【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，尤其涉及一種晶粒的分離方法及晶粒。
技術介紹
1、在封裝制程中，需要將晶圓切割成單顆晶粒。其中，等離子體(plasma)切割作為一種高階切割工藝，能有效切割硅襯底，具有優(yōu)異的崩缺表現(xiàn)，適用于超窄切割道產品，但等離子體工藝無法切割金屬。因此，對于切割道中存在金屬的窄切割道晶圓，plasma無法有效將晶圓切割成單顆晶粒。
技術實現(xiàn)思路
1、本申請?zhí)峁┮环N晶粒的分離方法及晶粒，旨在解決對于切割道中存在金屬的窄切割道晶圓，plasma無法有效將晶圓切割成單顆晶粒的問題。
2、為解決上述技術問題，本申請采用的一個技術方案是：提供一種晶粒的分離方法，該方法包括：提供晶圓；所述晶圓具有相背的正面和背面，所述晶圓的正面設置有金屬層；從所述晶圓的背面所在的一側對所述晶圓進行切割，以形成多個溝槽，所述多個溝槽將所述晶圓分割為多個待分離的晶粒；利用貼附在所述晶圓的正面的擴展膜對所述晶圓進行擴膜處理，以分離所述多個待分離的晶粒。
3、在本申請一個實施例中，所述晶圓還包括襯底，所述金屬層設于所述襯底上；
4、所述從所述晶圓的背面所在的一側對所述晶圓進行切割的步驟，包括：
5、從所述襯底背離所述金屬層的一側對所述晶圓進行切割，并至少切割至所述襯底內截止。
6、在本申請一個實施例中，從所述襯底背離所述金屬層的一側切割至所述金屬層朝向所述襯底的一側表面截止。
7、在本申請一個實施例中，利用所述擴展膜從所述晶圓的正面所在的
8、在本申請一個實施例中，采用等離子體切割工藝對所述晶圓進行切割，以形成多個所述溝槽。
9、在本申請一個實施例中，在對所述晶圓進行切割之前，在所述晶圓的正面上貼附所述擴展膜。
10、在本申請一個實施例中，利用所述擴展膜對所述晶圓進行多次擴膜處理。
11、在本申請一個實施例中，在對所述晶圓進行擴膜處理時，所述晶圓通過所述擴展膜固定于所述分離平臺的固定組件；所述分離平臺的擴膜治具被配置為沿第一方向頂起所述擴展膜；
12、其中，每次擴膜處理，所述擴膜治具沿所述第一方向的頂升高度與所述擴膜處理的次數(shù)呈正相關。
13、在本申請一個實施例中，所述利用所述擴展膜對所述晶圓進行多次擴膜處理的步驟，包括：
14、將所述晶圓通過所述擴展膜固定在所述分離平臺上；
15、驅動所述分離平臺的擴膜治具的第一擴膜盤，沿第一方向頂起所述擴展膜，使得所述擴展膜進行第一擴膜處理；
16、驅動所述擴膜治具的至少一個第二擴膜盤，沿所述第一方向相對所述第一擴膜盤進一步頂起所述擴展膜，使得所述擴展膜進行至少一次第二擴膜處理。
17、在本申請一個實施例中，所述驅動所述擴膜治具的至少一個第二擴膜盤，沿所述第一方向進一步頂起所述擴展膜的步驟，包括：
18、按照所述擴膜治具的至少一個第二擴膜盤的橫截面積逐漸減小的順序，依次驅動所述至少一個第二擴膜盤，沿所述第一方向相對所述第一擴膜盤進一步頂起所述擴展膜；其中，所述至少一個第二擴膜盤與所述第一擴膜盤同軸設置；且每一所述第二擴膜盤的橫截面積小于所述第一擴膜盤的橫截面積。
19、為解決上述技術問題，本申請采用的另一個技術方案是：提供一種晶粒，采用上述所涉及的晶粒的分離方法分離得到。
20、本申請實施例的有益效果，區(qū)別于現(xiàn)有技術：本實施例提供的晶粒的分離方法，通過從晶圓的背面所在的一側對晶圓進行切割，以形成多個溝槽，多個溝槽將晶圓分割為多個待分離的晶粒；然后利用貼附在晶圓的正面的擴展膜對晶圓進行擴膜處理。如此使得該分離方法既兼具等離子體切割工藝的性能優(yōu)勢；且即使晶圓的正面設置有金屬層，切割工藝無法切割開金屬，也可以在切割之后，進一步通過擴膜處理將金屬層擴開，從而將晶圓分割為多個單顆晶粒。同時通過擴膜處理分離金屬層不會產生高溫，從而能夠有效避免襯底和/或金屬層因高溫而裂開，進而導致整個產品失效的問題。另外，擴膜處理工藝的成本較低，適用于產品的批量化生產。
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1.一種晶粒的分離方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的晶粒的分離方法，其特征在于，
3.根據(jù)權利要求2所述的晶粒的分離方法，其特征在于，
4.根據(jù)權利要求3所述的晶粒的分離方法，其特征在于，
5.根據(jù)權利要求1-4任一項所述的晶粒的分離方法，其特征在于，
6.根據(jù)權利要求1-4任一項所述的晶粒的分離方法，其特征在于，
7.根據(jù)權利要求1-4任一項所述的晶粒的分離方法，其特征在于，
8.根據(jù)權利要求7所述的晶粒的分離方法，其特征在于，
9.根據(jù)權利要求8所述的晶粒的分離方法，其特征在于，
10.根據(jù)權利要求9所述的晶粒的分離方法，其特征在于，
11.一種晶粒，其特征在于，采用權利要求1至10任一項所述的晶粒的分離方法分離得到。
【技術特征摘要】
1.一種晶粒的分離方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的晶粒的分離方法，其特征在于，
3.根據(jù)權利要求2所述的晶粒的分離方法，其特征在于，
4.根據(jù)權利要求3所述的晶粒的分離方法，其特征在于，
5.根據(jù)權利要求1-4任一項所述的晶粒的分離方法，其特征在于，
6.根據(jù)權利要求1-4任一項所述的晶粒的分離方法，其特...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：潘志剛，石天福，吳之焱，
申請(專利權)人：武漢新芯集成電路股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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