【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于材料表面處理，具體涉及一種等離子體輔助原子層沉積氧化鋁包覆熒光粉的方法，在熒光粉顆粒表面沉積一層均勻的氧化鋁薄膜，用于提高熒光粉的穩定性和發光性能。
技術介紹
1、隨著現代光電技術的迅速發展，熒光粉在各種光電子設備中的應用日益廣泛，例如led照明、顯示器、激光器和熒光顯示屏等。這些設備依賴熒光粉的光學特性來實現高效的光轉化和發光。然而，熒光粉通常暴露在濕度、氧氣和紫外線等惡劣環境中，這些環境因素可能導致熒光粉的性能下降。例如，一些熒光粉在潮濕條件下容易出現光衰減，進而影響其發光效率和使用壽命。此外，氧化和光降解也是導致熒光粉性能降低的主要因素之一。這些問題限制了熒光粉在長期使用中的穩定性和可靠性。
2、為了提高熒光粉的環境穩定性，在粉體表面包覆一層無機阻隔膜是一個很好的解決方法，許多研究者已經采用溶膠-凝膠法、化學氣相沉積法等方法在熒光粉表面氧化鋁、氧化硅、氧化鈦等來提高熒光粉的壽命或改善其發光性能。但這些方法具有共同的缺點：包覆膜保形性差、厚度難以精確控制；對于具有多孔粗糙表面的粉體，這些方法很難實現好的包覆效果。因此，針對上述問題，有必要提供一種新的對熒光粉表面進行包覆處理的方法。
技術實現思路
1、本專利技術提供一種等離子體輔助原子層沉積氧化鋁包覆熒光粉的方法，旨在克服現有技術中采用溶膠-凝膠法或化學氣相沉積法等方法在熒光粉表面氧化鋁、氧化硅、氧化鈦等來提高熒光粉的壽命或改善其發光性能時存在的包覆膜保形性差、厚度難以精確控制等諸多不足。
3、s1.原子層沉積系統搭建安裝:原子層沉積系統的真空腔室內底部固定安裝有基臺，所述基臺由振動電機帶動振動，所述真空腔室與第一進氣管和第二進氣管；
4、s2.熒光粉處理：將熒光粉置于所述基臺上，開啟加熱機構對熒光粉進行加熱升溫，啟動振動電機，隨后對熒光粉進行脫氣處理和氧等離子體預處理；
5、s3.原子層沉積包覆成膜：保持振動電機為啟動狀態，通過第一進氣管和第二進氣管依次交替的向所述真空腔室通入兩種可相互反應成生氧化鋁薄膜的前驅體，每種前驅體通入完成且等待反應完成后，通過第一進氣管或第二進氣管通入惰性氣體對所述真空腔室的熒光粉進行吹掃以帶走游離于所述真空腔室內的前驅體，如此循環交替通入兩種前驅體若干次直至在熒光粉表面包覆形成特定厚度的氧化鋁薄膜。
6、在上述技術方案的基礎上，本專利技術還可以做如下進一步的具體選擇。
7、具體的，s1中第一進氣管用于向所述真空腔室以氣體脈沖方式送入一種前驅體，第二進氣管用于向所述真空腔室以氣體脈沖方式送入另一種前驅體。
8、具體的，s1中振動電機的振動頻率設置為50-60hz。
9、具體的，s2中熒光粉加熱后的溫度為50-70℃。
10、具體的，s2中對熒光粉脫氣處理是對真空腔室抽真空至氣壓為0.1pa。
11、具體的，s2中氧等離子體預處理時氧等離子體的生成功率為40-50w,預處理時間為8-20min,氧等離子體流量為10-15sccm。
12、具體的，s3中的兩種可相互反應成生氧化鋁薄膜的前驅體分別為氧等離子體和三甲基鋁。
13、具體的，s3中通入氧等離子體和三甲基鋁的脈沖時間分別為5-10s和1-2s。
14、具體的，s3中用到的惰性氣體為氬氣或氮氣，流量為90-110sccm，每次吹掃持續時間為30-40s。
15、具體的，所述熒光粉為顆粒直徑9±1μm硅基氮化物熒光粉或顆粒直徑12±1μm硅酸鹽熒光粉。
16、與現有技術相比，本專利技術的有益效果是：
17、本專利技術將等離子體輔助原子層沉積技術與振動流化床對粉料的振動處理技術相結合，并成功應用到對熒光粉表面包覆氧化鋁薄膜中，在熒光粉表面形成了高質量的氧化鋁膜層，既有效保護熒光粉免受外界環境的影響，又在一定程度上改善其光學性能，增強了熒光粉的穩定性和光發射效率。
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1.一種等離子體輔助原子層沉積氧化鋁包覆熒光粉的方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種等離子體輔助原子層沉積氧化鋁包覆熒光粉的方法，其特征在于，S1中第一進氣管用于向所述真空腔室以氣體脈沖方式送入一種前驅體，第二進氣管用于向所述真空腔室以氣體脈沖方式送入另一種前驅體。
3.根據權利要求1所述的一種等離子體輔助原子層沉積氧化鋁包覆熒光粉的方法，其特征在于，S1中振動電機的振動頻率設置為50-60Hz。
4.根據權利要求1所述的一種等離子體輔助原子層沉積氧化鋁包覆熒光粉的方法，其特征在于，S2中熒光粉加熱后的溫度為50-70℃。
5.根據權利要求1所述的一種等離子體輔助原子層沉積氧化鋁包覆熒光粉的方法，其特征在于，S2中對熒光粉脫氣處理是對真空腔室抽真空至氣壓為0.1Pa。
6.根據權利要求1所述的一種等離子體輔助原子層沉積氧化鋁包覆熒光粉的方法，其特征在于，S2中氧等離子體預處理時氧等離子體的生成功率為40-50W,預處理時間為8-20min,氧等離子體流量為10-15sccm。
7.根
8.根據權利要求7所述的一種等離子體輔助原子層沉積氧化鋁包覆熒光粉的方法，其特征在于，S3中通入氧等離子體和三甲基鋁的脈沖時間分別為5-10s和1-2s。
9.根據權利要求1所述的一種等離子體輔助原子層沉積氧化鋁包覆熒光粉的方法，其特征在于，S3中用到的惰性氣體為氬氣或氮氣，流量為90-110sccm，每次吹掃持續時間為30-40s。
10.根據權利要求1至9任一項所述的一種等離子體輔助原子層沉積氧化鋁包覆熒光粉的方法，其特征在于，所述熒光粉為顆粒直徑9±1μm硅基氮化物熒光粉或顆粒直徑12±1μm硅酸鹽熒光粉。
...【技術特征摘要】
1.一種等離子體輔助原子層沉積氧化鋁包覆熒光粉的方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種等離子體輔助原子層沉積氧化鋁包覆熒光粉的方法，其特征在于，s1中第一進氣管用于向所述真空腔室以氣體脈沖方式送入一種前驅體，第二進氣管用于向所述真空腔室以氣體脈沖方式送入另一種前驅體。
3.根據權利要求1所述的一種等離子體輔助原子層沉積氧化鋁包覆熒光粉的方法，其特征在于，s1中振動電機的振動頻率設置為50-60hz。
4.根據權利要求1所述的一種等離子體輔助原子層沉積氧化鋁包覆熒光粉的方法，其特征在于，s2中熒光粉加熱后的溫度為50-70℃。
5.根據權利要求1所述的一種等離子體輔助原子層沉積氧化鋁包覆熒光粉的方法，其特征在于，s2中對熒光粉脫氣處理是對真空腔室抽真空至氣壓為0.1pa。
6.根據權利要求1所述的一種等離子體輔助原子層沉積氧化鋁包覆熒光粉的方法，其特征在于，s...
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