【技術實現步驟摘要】
本申請主要涉及光伏，尤其涉及一種太陽能電池的制備方法和太陽能電池。
技術介紹
1、柵線是太陽能電池的重要組成部件之一。制備柵線的方法包括絲網印刷、電鍍等。當前的絲網印刷、電鍍等工藝不能制備橫截面為三角形的柵線，或者即使能夠制備，但制備工藝復雜。如何制備具有三角形橫截面的柵線是本領域內的研究熱點之一。
技術實現思路
1、本申請要解決的技術問題是提供一種太陽能電池的制備方法和太陽能電池，該太陽能電池的制備方法和太陽能電池能夠制備具有三角形橫截面的柵線，且制備工藝簡單。
2、為解決上述技術問題，本申請提供了一種太陽能電池的制備方法，包括：提供太陽能電池前驅體，所述太陽能電池前驅體包括導電層和位于所述導電層上的絕緣層；形成覆蓋所述絕緣層的局部區域的導電漿料，所述導電漿料具有三角形的橫截面；對所述導電漿料進行燒結處理，以形成穿過所述絕緣層與所述導電層接觸的種子層，所述種子層具有三角形的橫截面；以及使用電鍍工藝形成覆蓋暴露在所述絕緣層外的種子層的電鍍層，以形成包括所述種子層和所述電鍍層的柵線，所述柵線具有三角形的橫截面。
3、在本申請一實施例中，所述種子層的兩側面之間的夾角等于或小于120°。
4、在本申請一實施例中，所述電鍍層的兩側面之間的夾角等于或小于120°。
5、在本申請一實施例中，所述電鍍層包括內層和外層，所述內層位于所述種子層與所述外層之間，所述外層的反射率大于所述內層的反射率。
6、在本申請一實施例中，所述導電層包括n型
7、在本申請一實施例中，所述太陽能電池具有隧穿氧化層，所述隧穿氧化層位于所述導電層與硅襯底之間，其中，所述導電層包括n型多晶硅或p型多晶硅。
8、在本申請一實施例中，所述導電層和所述隧穿氧化層設置在所述硅襯底的局部區域上，所述導電層的寬度等于或大于所述種子層的寬度。
9、在本申請一實施例中，所述電鍍層的寬度等于或大于所述導電層的寬度。
10、在本申請一實施例中，所述絕緣層包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的一種或多種。
11、本申請另一方面還提出一種太陽能電池，包括：導電層；絕緣層，位于所述導電層上；以及柵線，包括種子層和電鍍層，所述種子層穿過所述絕緣層與所述導電層接觸，所述種子層具有三角形的橫截面，所述電鍍層覆蓋暴露在所述絕緣層外的種子層，所述柵線具有三角形的橫截面。
12、在本申請一實施例中，所述種子層的兩側面之間的夾角等于或小于120°。
13、在本申請一實施例中，所述電鍍層的兩側面之間的夾角等于或小于120°。
14、在本申請一實施例中，所述電鍍層包括內層和外層，所述內層位于所述種子層與所述外層之間，所述外層的反射率大于所述內層的反射率。
15、在本申請一實施例中，所述導電層包括n型單晶硅或p型單晶硅。
16、在本申請一實施例中，太陽能電池還包括隧穿氧化層，所述隧穿氧化層位于所述導電層與硅襯底之間，其中，所述導電層包括n型多晶硅或p型多晶硅。
17、在本申請一實施例中，所述導電層和所述隧穿氧化層設置在所述硅襯底的局部區域上，所述導電層的寬度等于或大于所述種子層的寬度。
18、在本申請一實施例中，所述電鍍層的寬度等于或大于所述導電層的寬度。
19、在本申請一實施例中，所述絕緣層包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的一種或多種。
20、與現有技術相比，本申請具有以下優點：
21、(1)電鍍層具有三角形的橫截面，能夠將照射到電鍍層上的光線反射到太陽能電池的活性區，從而提高照射到太陽能電池活性區的光線的總量。
22、(2)形成柵線的過程不需要形成覆蓋整面絕緣層的種子層，而是通過直接在絕緣層的局部區域上形成漿料和燒結處理的方式形成種子層，這省去了去除多余種子層的工藝步驟。
23、(3)電鍍電鍍層之前不需要在絕緣層上覆蓋絕緣材料，簡化了形成柵線的工藝步驟，提高了生產效率，降低了成本。
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1.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述種子層的兩側面之間的夾角等于或小于120°。
3.如權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述電鍍層的兩側面之間的夾角等于或小于120°。
4.如權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述電鍍層包括內層和外層，所述內層位于所述種子層與所述外層之間，所述外層的反射率大于所述內層的反射率。
5.如權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述導電層包括N型單晶硅或P型單晶硅。
6.如權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述太陽能電池具有隧穿氧化層，所述隧穿氧化層位于所述導電層與硅襯底之間，其中，所述導電層包括N型多晶硅或P型多晶硅。
7.如權利要求6所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述導電層和所述隧穿氧化層設置在所述硅襯底的局部區域上，所述導電層的寬度等于或大于所述種子層的寬度。
8.如權利要求7所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述
9.如權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述絕緣層包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的一種或多種。
10.一種太陽能電池，其特征在于，包括：
11.如權利要求10所述的太陽能電池，其特征在于，所述種子層的兩側面之間的夾角等于或小于120°。
12.如權利要求10所述的太陽能電池，其特征在于，所述電鍍層的兩側面之間的夾角等于或小于120°。
13.如權利要求10所述的太陽能電池，其特征在于，所述電鍍層包括內層和外層，所述內層位于所述種子層與所述外層之間，所述外層的反射率大于所述內層的反射率。
14.如權利要求10所述的太陽能電池，其特征在于，所述導電層包括N型單晶硅或P型單晶硅。
15.如權利要求10所述的太陽能電池，其特征在于，還包括隧穿氧化層，所述隧穿氧化層位于所述導電層與硅襯底之間，其中，所述導電層包括N型多晶硅或P型多晶硅。
16.如權利要求15所述的太陽能電池，其特征在于，所述導電層和所述隧穿氧化層設置在所述硅襯底的局部區域上，所述導電層的寬度等于或大于所述種子層的寬度。
17.如權利要求16所述的太陽能電池，其特征在于，所述電鍍層的寬度等于或大于所述導電層的寬度。
18.如權利要求10所述的太陽能電池，其特征在于，所述絕緣層包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的一種或多種。
...【技術特征摘要】
1.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述種子層的兩側面之間的夾角等于或小于120°。
3.如權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述電鍍層的兩側面之間的夾角等于或小于120°。
4.如權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述電鍍層包括內層和外層，所述內層位于所述種子層與所述外層之間，所述外層的反射率大于所述內層的反射率。
5.如權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述導電層包括n型單晶硅或p型單晶硅。
6.如權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述太陽能電池具有隧穿氧化層，所述隧穿氧化層位于所述導電層與硅襯底之間，其中，所述導電層包括n型多晶硅或p型多晶硅。
7.如權利要求6所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述導電層和所述隧穿氧化層設置在所述硅襯底的局部區域上，所述導電層的寬度等于或大于所述種子層的寬度。
8.如權利要求7所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述電鍍層的寬度等于或大于所述導電層的寬度。
9.如權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述絕緣層包括氮化硅、氧化硅...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳奕峰，楊廣濤，陳達明，高紀凡，
申請(專利權)人：天合光能股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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