【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及太陽能電池，特別涉及一種topcon電池膜層結構及其制備方法。
技術介紹
1、在topcon電池中，正面電極層穿過第二鈍化膜a+b層，與第二導電類型半導體層相接觸，背面電極層穿過第一鈍化層與第一導電類型半導體層相接觸，彼此之間形成導電通路。
2、在topcon電池中，“復合”是一個關鍵的物理過程，復合是指光生載流子(電子和空穴)在各種因素作用下，從激發態回到基態的過程，即電子與空穴重新結合而消失。這種復合可以發生在電池的不同區域，如體復合(在半導體材料內部)、表面復合(在半導體表面)和金屬復合(在金屬與半導體接觸區域)。
3、在太陽能電池的工作過程中，太陽光激發硅半導體產生電子-空穴對，這些載流子需要被有效分離并傳輸到電池的外部電路以產生電流。但是，如果載流子在傳輸過程中重新結合，就會導致能量損失，從而降低電池的光電轉換效率。
技術實現思路
1、本專利技術提供一種topcon電池膜層結構及其制備方法，用以解決目前載流子在傳輸過程中重新結合，導致能量損失，降低電池的光電轉換效率的技術問題。
2、為解決上述技術問題，本專利技術公開了一種topcon電池膜層結構，包括：基底，基底的第一表面設置隧穿層，隧穿層上設置第一導電類型半導體區域，第一導電類型半導體區域上設置透明導電層，透明導電層上設置若干第一電極，基底的第二表面設置第二導電類型半導體區域，第二導電類型半導體區域上設置第二鈍化膜a，第二鈍化膜a上設置第二鈍化膜b，第二電極穿過第二鈍化
3、優選的，透明導電層材料包括但不限于氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化鋅鋁(azo)、氟摻雜氧化錫(fto)、氧化銦鈦(itio)、氧化銦鎢(iwo)、摻鎵氧化鋅(gzo)中的一種或多種。
4、優選的，透明導電層采用磁控濺射法、化學氣相沉積法、印刷法、電子束蒸鍍法中的至少一種方法制備而成。
5、一種topcon電池膜層結構制備方法，包括：在基底的第一表面上形成隧穿層的隧穿層形成操作，在隧穿層上形成第一導電類型半導體區域的第一導電類型半導體區域形成操作，在第一導電類型半導體區域上形成透明導電層的透明導電層形成操作，在透明導電層上形成第一電極的第一電極形成操作，通過將第二導電類型的雜質摻入半導體基底的第二表面中形成第二導電類型半導體區域的第二導電類型半導體區域形成操作，在第二導電類型半導體區域上形成第二鈍化膜a的第二鈍化膜a形成操作，在第二鈍化膜a上形成第二鈍化膜b的第二鈍化膜b形成操作，以及形成穿過第二鈍化膜a和第二鈍化膜b并與第二導電類型半導體區域連接的第二電極的第二電極形成操作。
6、優選的，采用印刷、電鍍、濺射、噴涂、涂附、輥壓、卷印中的一種或多種方法，在第一表面的透明導電層上使用漿料制備第一電極，并燒結，漿料包括但不限于銀包銅漿料、銀包鎳漿料、銀包鋁漿料、銅漿。
7、優選的，第一電極的柵線層為單層或多層。
8、優選的，第一電極燒結溫度為200-600℃。
9、優選的，采用印刷、電鍍、濺射、噴涂、涂附、輥壓、卷印中的一種或多種方法，在第二表面的第二鈍化膜b上使用銀漿制備第二電極，并燒結。
10、優選的，第二電極的柵線層為單層或多層。
11、優選的，第二電極燒結溫度為600-850℃。
12、本專利技術的技術方案具有以下優點：本專利技術提供了一種topcon電池膜層結構及其制備方法，涉及太陽能電池
，topcon電池膜層結構包括基底，基底的第一表面設置隧穿層，隧穿層上設置第一導電類型半導體區域，第一導電類型半導體區域上設置透明導電層，透明導電層上設置若干第一電極，基底的第二表面設置第二導電類型半導體區域，第二導電類型半導體區域上設置第二鈍化膜a，第二鈍化膜a上設置第二鈍化膜b，第二電極穿過第二鈍化膜a和第二鈍化膜b，與第二導電類型半導體區域相接觸。本專利技術中，透明導電層與第一電極、第一導電類型半導體區域形成良好的界面接觸，促進載流子的有效傳輸，減少了載流子的復合，減小了傳輸能量損失，提高了topcon電池的光電轉換效率。
13、本專利技術的其它特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本專利技術而了解。本專利技術的目的和其他優點可通過在所寫的說明書以及說明書附圖中所特別指出的裝置來實現和獲得。
14、下面通過附圖和實施例，對本專利技術的技術方案做進一步的詳細描述。
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1.一種TOPCon電池膜層結構，其特征在于，包括：基底(1)，基底(1)的第一表面設置隧穿層(2)，隧穿層(2)上設置第一導電類型半導體區域(3)，第一導電類型半導體區域(3)上設置透明導電層(4)，透明導電層(4)上設置若干第一電極(5)，基底(1)的第二表面設置第二導電類型半導體區域(6)，第二導電類型半導體區域(6)上設置第二鈍化膜A(7)，第二鈍化膜A(7)上設置第二鈍化膜B(8)，第二電極(9)穿過第二鈍化膜A(7)和第二鈍化膜B(8)，與第二導電類型半導體區域(6)相接觸。
2.根據權利要求1所述的一種TOPCon電池膜層結構，其特征在于，透明導電層(4)材料包括但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅鋁(AZO)、氟摻雜氧化錫(FTO)、氧化銦鈦(ITiO)、氧化銦鎢(IWO)、摻鎵氧化鋅(GZO)中的一種或多種。
3.根據權利要求1所述的一種TOPCon電池膜層結構，其特征在于，透明導電層(4)采用磁控濺射法、化學氣相沉積法、印刷法、電子束蒸鍍法中的至少一種方法制備而成。
4.一種TOPCon電池膜層結構制備方法
5.根據權利要求4所述的一種TOPCon電池膜層結構制備方法，其特征在于，采用印刷、電鍍、濺射、噴涂、涂附、輥壓、卷印中的一種或多種方法，在第一表面的透明導電層(4)上使用漿料制備第一電極(5)，并燒結，漿料包括但不限于銀包銅漿料、銀包鎳漿料、銀包鋁漿料、銅漿。
6.根據權利要求5所述的一種TOPCon電池膜層結構制備方法，其特征在于，第一電極(5)的柵線層為單層或多層。
7.根據權利要求5所述的一種TOPCon電池膜層結構制備方法，其特征在于，第一電極(5)燒結溫度為200-600℃。
8.根據權利要求4所述的一種TOPCon電池膜層結構制備方法，其特征在于，采用印刷、電鍍、濺射、噴涂、涂附、輥壓、卷印中的一種或多種方法，在第二表面的第二鈍化膜B(8)上使用銀漿制備第二電極(9)，并燒結。
9.根據權利要求8所述的一種TOPCon電池膜層結構制備方法，其特征在于，第二電極(9)的柵線層為單層或多層。
10.根據權利要求8所述的一種TOPCon電池膜層結構制備方法，其特征在于，第二電極(9)燒結溫度為600-850℃。
...【技術特征摘要】
1.一種topcon電池膜層結構，其特征在于，包括：基底(1)，基底(1)的第一表面設置隧穿層(2)，隧穿層(2)上設置第一導電類型半導體區域(3)，第一導電類型半導體區域(3)上設置透明導電層(4)，透明導電層(4)上設置若干第一電極(5)，基底(1)的第二表面設置第二導電類型半導體區域(6)，第二導電類型半導體區域(6)上設置第二鈍化膜a(7)，第二鈍化膜a(7)上設置第二鈍化膜b(8)，第二電極(9)穿過第二鈍化膜a(7)和第二鈍化膜b(8)，與第二導電類型半導體區域(6)相接觸。
2.根據權利要求1所述的一種topcon電池膜層結構，其特征在于，透明導電層(4)材料包括但不限于氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化鋅鋁(azo)、氟摻雜氧化錫(fto)、氧化銦鈦(itio)、氧化銦鎢(iwo)、摻鎵氧化鋅(gzo)中的一種或多種。
3.根據權利要求1所述的一種topcon電池膜層結構，其特征在于，透明導電層(4)采用磁控濺射法、化學氣相沉積法、印刷法、電子束蒸鍍法中的至少一種方法制備而成。
4.一種topcon電池膜層結構制備方法，用于制備如權利要求1-3中任一項所述的一種topcon電池膜層結構，其特征在于，包括：在基底(1)的第一表面上形成隧穿層(2)的隧穿層(2)形成操作，在隧穿層(2)上形成第一導電類型半導體區域(3)的第一導電類型半導體區域(3)形成操作，在第一導電類型半導體區域(3)上形成透明導電層(4)的透明導電層(4)形成操作，在透明導電層(4)上形成第一電極(5)的第一電極(5)形成操作，通過將第二導電類型...
【專利技術屬性】
技術研發人員：沈貞東，王璐，唐步玉，楊健，嚴冬，
申請(專利權)人：江蘇潤達新能源科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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