【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及硅片表面檢測，尤其涉及線切割損傷深度的測量方法及系統(tǒng)。
技術(shù)介紹
1、在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，硅片質(zhì)量直接影響后續(xù)的芯片制造工藝和最終產(chǎn)品的性能。在線切割工藝中，例如使用金剛線、砂漿線等進行硅片的切割。盡管這些線切割技術(shù)具有效率高、加工精度高等優(yōu)點，但在切割過程中會對硅片表面產(chǎn)生損傷，這些損傷會影響硅片性能，進而影響到整個半導(dǎo)體器件的可靠性和使用壽命。因此，需要對線切割的損傷深度進行定量測量。相關(guān)的線切割評價方法大多集中于其形貌，雖然對損傷深度也有涉及，但往往因其評價規(guī)范不明確而使數(shù)據(jù)偏差較大，原因主要是因為：外表面與損傷區(qū)的交界線難以判斷；損傷終止線判斷無統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)；研究者忽略了線痕方向的重要性。
2、基于此，本申請?zhí)峁┝司€切割損傷深度的測量方法及系統(tǒng)，以改進相關(guān)技術(shù)。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請的目的在于提供線切割損傷深度的測量方法及系統(tǒng)，準(zhǔn)確測量硅片在線切割后的損傷深度。
2、本申請的目的采用以下技術(shù)方案實現(xiàn)：
3、第一方面，本申請?zhí)峁┝艘环N線切割損傷深度的測量方法，用于測量硅片在線切割后的損傷深度，所述方法包括：確定所述硅片的外表面與損傷區(qū)的過渡區(qū)；所述過渡區(qū)的上界線和下界線相互平行，所述上界線和所述下界線根據(jù)線痕方向和損傷點的位置信息確定；構(gòu)建平行于所述上界線且平分所述過渡區(qū)的分界線；過所述損傷區(qū)中的倒數(shù)第n個損傷點，構(gòu)建平行于所述分界線的損傷終止線；n為正整數(shù)；測量所述分界線與所述損傷終止線之間的距離，作為所述硅片的損傷深度。
...【技術(shù)保護點】
1.一種線切割損傷深度的測量方法，其特征在于，用于測量硅片在線切割后的損傷深度，所述方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線切割損傷深度的測量方法，其特征在于，所述線切割為金剛線線切割；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的線切割損傷深度的測量方法，其特征在于，所述第一目標(biāo)角度的取值范圍為35度～55度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的線切割損傷深度的測量方法，其特征在于，所述過渡區(qū)中的線痕終止點的數(shù)量與線痕終止點的總數(shù)量的比值為第一目標(biāo)比值；
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線切割損傷深度的測量方法，其特征在于，所述線切割為砂漿線線切割或者結(jié)構(gòu)線線切割；
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的線切割損傷深度的測量方法，其特征在于，所述第二目標(biāo)角度的取值范圍為80度～90度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的線切割損傷深度的測量方法，其特征在于，所述過渡區(qū)中的損傷點的數(shù)量與損傷點的總數(shù)量的比值為第二目標(biāo)比值；
8.一種線切割損傷深度的測量系統(tǒng)，其特征在于，用于測量硅片在線切割后的損傷深度，所述系統(tǒng)包括控制模塊，所述控制模塊用于執(zhí)行權(quán)利要求1至7中
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種線切割損傷深度的測量方法，其特征在于，用于測量硅片在線切割后的損傷深度，所述方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線切割損傷深度的測量方法，其特征在于，所述線切割為金剛線線切割；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的線切割損傷深度的測量方法，其特征在于，所述第一目標(biāo)角度的取值范圍為35度～55度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的線切割損傷深度的測量方法，其特征在于，所述過渡區(qū)中的線痕終止點的數(shù)量與線痕終止點的總數(shù)量的比值為第一目標(biāo)比值；
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線切...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：鄒永鑫，李梓倫，
申請(專利權(quán))人：西安奕斯偉材料科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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