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【技術實現步驟摘要】
本公開的實施例總體上涉及集成電路領域,并且更具體地,涉及用于集成電路組件中的串擾緩解的接地過孔群集的技術和配置。
技術介紹
1、高速信號端總線廣泛用于通信的封裝上和封裝外線路二者以解決集成電路(ic)封裝的高帶寬需求。然而,串擾(特別是垂直互連件的串擾)可能限制這些高速信號端總線能夠實現的數據速率,并且因此,可能在面對信號發送性能目標時構成挑戰。額外的管腳可能用于接地連接,以使更多的垂直互連件可用于被分配為接地,以努力將信號彼此隔離并因此降低信號之間的串擾。然而,這些信號管腳可能增大封裝形式因子并且可能增加制造的成本。
2、本文提供的背景描述用于總體上呈現本公開的背景。除非在本文中另有指示,否則在本部分中所描述的材料不是本申請中權利要求的現有技術,并且不能通過包含在該部分中而被承認是現有技術或現有技術的暗示。
技術實現思路
【技術保護點】
1.一種半導體封裝,包括:
2.根據權利要求1所述的半導體封裝,其中,所述第一層電介質材料包括環氧樹脂和硅石。
3.根據權利要求1所述的半導體封裝,還包括:
4.根據權利要求1所述的半導體封裝,還包括第五過孔,其位于所述接地焊料球焊盤上方并電耦合至所述接地焊料球焊盤,所述第五過孔位于所述封裝基板的所述第一層電介質材料中,所述第五過孔與所述第一過孔和所述第二過孔橫向間隔開。
5.根據權利要求1所述的半導體封裝,還包括圍繞所述接地球焊盤的多個信號球焊盤。
6.根據權利要求5所述的半導體封裝,其中,圍繞所述接地球焊盤的所述多個信號球焊盤呈六邊形布置。
7.根據權利要求1所述的半導體封裝,還包括第二管芯。
8.根據權利要求7所述的半導體封裝,其中,所述管芯是處理器管芯,并且所述第二管芯是存儲器管芯。
9.一種制造半導體封裝的方法,包括:
10.根據權利要求9所述的制造半導體封裝的方法,其中,所述第一層電介質材料包括環氧樹脂和硅石。
11.根據權利要求9所述的制造半導體封
12.根據權利要求9所述的制造半導體封裝的方法,還包括圍繞所述接地球焊盤的多個信號球焊盤。
13.根據權利要求12所述的制造半導體封裝的方法,其中,圍繞所述接地球焊盤的所述多個信號球焊盤呈六邊形布置。
14.一種計算設備,包括:
15.根據權利要求14所述的計算設備,其中,所述第一層電介質材料包括環氧樹脂。
16.根據權利要求14所述的計算設備,還包括:
17.根據權利要求14所述的計算設備,還包括第五過孔,其位于所述接地焊料球焊盤上方并電耦合至所述接地焊料球焊盤,所述第五過孔位于所述封裝基板的所述第一層電介質材料中,所述第五過孔與所述第一過孔和所述第二過孔橫向間隔開。
18.根據權利要求14所述的計算設備,還包括圍繞所述接地球焊盤的多個信號球焊盤。
19.根據權利要求18所述的計算設備,其中,圍繞所述接地球焊盤的所述多個信號球焊盤呈六邊形布置。
20.根據權利要求14所述的計算設備,還包括無線通信芯片和存儲器芯片。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體封裝,包括:
2.根據權利要求1所述的半導體封裝,其中,所述第一層電介質材料包括環氧樹脂和硅石。
3.根據權利要求1所述的半導體封裝,還包括:
4.根據權利要求1所述的半導體封裝,還包括第五過孔,其位于所述接地焊料球焊盤上方并電耦合至所述接地焊料球焊盤,所述第五過孔位于所述封裝基板的所述第一層電介質材料中,所述第五過孔與所述第一過孔和所述第二過孔橫向間隔開。
5.根據權利要求1所述的半導體封裝,還包括圍繞所述接地球焊盤的多個信號球焊盤。
6.根據權利要求5所述的半導體封裝,其中,圍繞所述接地球焊盤的所述多個信號球焊盤呈六邊形布置。
7.根據權利要求1所述的半導體封裝,還包括第二管芯。
8.根據權利要求7所述的半導體封裝,其中,所述管芯是處理器管芯,并且所述第二管芯是存儲器管芯。
9.一種制造半導體封裝的方法,包括:
10.根據權利要求9所述的制造半導體封裝的方法,其中,所述第一層電介質材料包括環氧樹脂和硅石。
11.根據權利要求9所述的制造半導體封裝的方法,還包括第五過孔,所述第五過位于所述接地焊料球焊盤上方并電耦合至...
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