System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和長度必須引用該字符串內的位置。 參數名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind()
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及電化學領域,尤其是水電解,具體涉及一種基于流動工程化三維電極的堿性水電解槽。
技術介紹
1、目前,水電解主要分為堿性水電解(awe)和質子交換膜水電解(pemwe)。堿性水電解以低成本優勢為主,但效率和氣體管理能力不足,易受氣泡積聚的影響。相反,pem水電解具有更高的電解效率和氫氣純度,但其成本較高,主要由于使用稀有貴金屬作為催化劑。
2、因此,如何在堿性電解體系中實現接近pem電解的高效率,同時保持低成本,已成為亟待解決的技術難題。
技術實現思路
1、為了解決上述技術問題,本專利技術提供了一種基于流動工程化三維電極的堿性水電解槽,其在保持低成本的同時有效提升電解效率。
2、其技術方案是這樣的:一種基于流動工程化三維電極的堿性水電解槽,其包括電極和隔膜,其特征在于,所述電極為ni基泡沫電極并直接與所述隔膜接觸,所述電極的兩端設置有上游電解液入口和下游電解液出口,所述下游電解液出口同時為氧氣或氫氣出口。
3、其進一步特征在于,所述電極為基于鎳泡沫的三維多孔結構,且為雙層結構,靠近所述隔膜的為細孔層,遠離所述隔膜的為粗孔層;
4、所述電極表面涂覆有raney?ni涂層并進行活化處理。
5、采用本專利技術后,采用零間隙設計,電極直接與隔膜接觸,減少電解液的電阻,電解液從上游入口流入,從下游出口排出,形成均勻的流體環境,提升電解液的質量傳遞,并增強氣體逸出效率,降低了氣泡屏蔽效應帶來的能量損失,從而提升電解效率,并且
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種基于流動工程化三維電極的堿性水電解槽,其包括電極和隔膜,其特征在于,所述電極為Ni基泡沫電極并直接與所述隔膜接觸,所述電極的兩端設置有上游電解液入口和下游電解液出口,所述下游電解液出口同時為氧氣或氫氣出口。
2.根據權利要求1所述的一種基于流動工程化三維電極的堿性水電解槽,其特征在于,所述電極為基于鎳泡沫的三維多孔結構,且為雙層結構,靠近所述隔膜的為細孔層,遠離所述隔膜的為粗孔層。
3.根據權利要求1所述的一種基于流動工程化三維電極的堿性水電解槽,其特征在于,所述電極表面涂覆有Raney?Ni涂層并進行活化處理。
【技術特征摘要】
1.一種基于流動工程化三維電極的堿性水電解槽,其包括電極和隔膜,其特征在于,所述電極為ni基泡沫電極并直接與所述隔膜接觸,所述電極的兩端設置有上游電解液入口和下游電解液出口,所述下游電解液出口同時為氧氣或氫氣出口。
2.根據權利要求1所述的一種基于流動工程化三維電...
【專利技術屬性】
技術研發人員:彭詞,顧宇,陳倩倩,顧全斌,唐志永,
申請(專利權)人:無錫華光環保能源集團股份有限公司,
類型:發明
國別省市:
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。