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    薄膜材料擊穿測試區域篩選方法、裝置、設備及存儲介質制造方法及圖紙

    技術編號:44514074 閱讀:2 留言:0更新日期:2025-03-07 13:09
    本發明專利技術涉及絕緣介質脈沖擊穿性能測試技術領域,公開了薄膜材料擊穿測試區域篩選方法、裝置、設備及存儲介質,該方法包括:將薄膜材料劃分為多個待測區域,并計算每個待測區域在脈沖電場下對應的含時脈沖介電常數;基于每個含時脈沖介電常數計算每個待測區域的權重系數,并基于每個待測區域的權重系數計算均權重系數;基于每個待測區域的權重系數與均權重系數計算每個待測區域的偏離度,并基于偏離度與偏離度因子的關系將每個待測區域確定為缺陷區域或正常區域;將確定為正常區域的待測區域作為脈沖高電壓擊穿測試區域,本發明專利技術實現了非破壞性方法預先評估高電壓擊穿測試所需要薄膜材料的幾何區域,保證無損檢測,節省了材料成本。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及絕緣介質脈沖擊穿性能測試,具體涉及薄膜材料擊穿測試區域篩選方法、裝置、設備及存儲介質


    技術介紹

    1、在電力行業應用中,聚合物薄膜在運行環境下通常需要耐受強電場,強電場導致絕緣擊穿是造成電力器件、裝置及設備失效乃至破壞的重要因素。目前對于聚合物薄膜絕緣擊穿所需樣品幾何尺寸的選取均采用后評估方法,即通過高電壓擊穿測試結果反推需要選擇的幾何尺寸。然而,高電壓擊穿是一個破壞性測試,會造成介質薄膜不可逆的損傷,浪費材料并提高測試成本。因此,需要通過非破壞性方法預先評估高電壓擊穿測試所需要的幾何尺寸區域。


    技術實現思路

    1、有鑒于此,本專利技術提供了一種薄膜材料擊穿測試區域篩選方法、裝置、設備及存儲介質,以解決破壞性測試造成介質薄膜不可逆的損傷,浪費材料和增大測試成本的問題。

    2、第一方面,本專利技術提供了一種薄膜材料擊穿測試區域篩選方法,該方法包括:

    3、將薄膜材料劃分為多個待測區域,并計算每個待測區域在脈沖電場下對應的含時脈沖介電常數;

    4、基于每個含時脈沖介電常數計算每個待測區域的權重系數,并基于每個待測區域的權重系數計算均權重系數;

    5、基于每個待測區域的權重系數與均權重系數計算每個待測區域的偏離度,并基于偏離度與偏離度因子的關系將每個待測區域確定為缺陷區域或正常區域;將確定為正常區域的待測區域作為脈沖高電壓擊穿測試區域。

    6、本專利技術提供的一種薄膜材料擊穿測試區域篩選方法,將薄膜材料劃分為多個待測區域,并計算每個待測區域在脈沖電場下對應的含時脈沖介電常數,并基于每個含時脈沖介電常數計算每個待測區域的權重系數;基于每個待測區域的權重系數計算均權重系數;基于每個待測區域的權重系數與均權重系數計算每個待測區域的偏離度,從而根據偏離度與偏離度因子的關系將每個待測區域確定為缺陷區域或正常區域;最終將確定為正常區域的待測區域作為脈沖高電壓擊穿測試區域,實現了非破壞性方法預先評估高電壓擊穿測試所需要薄膜材料的幾何區域,保證無損檢測,節省了材料成本,解決了破壞性測試造成介質薄膜不可逆的損傷,浪費材料和增大測試成本的問題。

    7、在一種可選的實施方式中,計算每個待測區域在脈沖電場下對應的含時脈沖介電常數,包括:

    8、獲取薄膜材料的厚度、每個待測區域的長和寬;

    9、計算每個待測區域單位面積的脈沖電場下的注入電流;

    10、基于注入電流、薄膜材料的厚度、每個待測區域的長和寬計算對應的含時脈沖介電常數。

    11、本專利技術提供的一種薄膜材料擊穿測試區域篩選方法,通過對每個待測區域含時脈沖介電常數的計算,實現了通過測試薄膜的含時脈沖介電常數可以獲得特定電場強度下薄膜材料幾何尺寸的大小的目的,在利用含時脈沖介電常數測試時不會破壞薄膜材料,也不會產生電弧,還不會產生高溫降解薄膜材料,更不會造成應力破壞薄膜材料以及其他不利于薄膜材料性能的負面效應。

    12、在一種可選的實施方式中,在基于每個含時脈沖介電常數計算每個待測區域的權重系數之前,薄膜材料擊穿測試區域篩選方法還包括:

    13、為每個待測區域標記編號,編號包括行號和列號。

    14、在一種可選的實施方式中,基于每個含時脈沖介電常數計算每個待測區域的權重系數,包括:

    15、獲取薄膜材料的總長、總寬、穩態介電常數,待測區域的行號和列號以及脈沖持續時間、脈沖起始時間以及脈沖結束時間;

    16、基于薄膜材料的總長、總寬、穩態介電常數,待測區域的行號和列號以及脈沖持續時間、脈沖起始時間以及脈沖結束時間計算每個待測區域的權重系數。

    17、本專利技術提供的一種薄膜材料擊穿測試區域篩選方法,通過計算每個待測區域的權重系數,可以提取出薄膜材料中正常區域和缺陷區域的介電常數特征,為后續計算偏離度提供了條件。

    18、在一種可選的實施方式中,基于每個待測區域的權重系數計算均權重系數,包括:

    19、將所有待測區域的權重系數平方值累加求和后得到權重系數和值;

    20、計算權重系數和值的開方值與待測區域數量的比值得到均權重系數。

    21、在一種可選的實施方式中,基于每個待測區域的權重系數與均權重系數計算每個待測區域的偏離度,包括:

    22、將每個待測區域的權重系數與含時介電常數積分值相乘后得到第一加權值;

    23、將穩態介電常數與均權重系數相乘獲得第二加權值;

    24、計算第一加權值與第二加權值的比值;

    25、計算預設常數與比值的差值得到每個待測區域的偏離度。

    26、在一種可選的實施方式中,薄膜材料擊穿測試區域篩選方法還包括:

    27、剔除薄膜材料的缺陷區域,并調整薄膜材料待測區域的劃分數量和幾何面積。

    28、本專利技術提供的一種薄膜材料擊穿測試區域篩選方法,基于每個待測區域的權重系數與均權重系數計算每個待測區域的偏離度,實現了對薄膜材料缺陷區域和正常區域的劃分,剔除薄膜材料的缺陷區域,并調整薄膜材料待測區域的劃分數量和幾何面積后可進一步節省薄膜材料的幾何尺寸,節省了材料成本。

    29、第二方面,本專利技術提供了一種薄膜材料擊穿測試區域篩選裝置,該裝置包括:

    30、區域劃分及含時脈沖介電常數計算模塊,用于將薄膜材料劃分為多個待測區域,并計算每個待測區域在脈沖電場下對應的含時脈沖介電常數;

    31、權重系數計算模塊,用于基于每個含時脈沖介電常數計算每個待測區域的權重系數,并基于每個待測區域的權重系數計算均權重系數;

    32、偏離度計算及區域判定模塊,用于基于每個待測區域的權重系數與均權重系數計算每個待測區域的偏離度,并基于偏離度與偏離度因子的關系將每個待測區域確定為缺陷區域或正常區域;

    33、擊穿測試區域確定模塊,用于將確定為正常區域的待測區域作為脈沖高電壓擊穿測試區域。

    34、第三方面,本專利技術提供了一種計算機設備,包括:存儲器和處理器,存儲器和處理器之間互相通信連接,存儲器中存儲有計算機指令,處理器通過執行計算機指令,從而執行上述第一方面或其對應的任一實施方式的薄膜材料擊穿測試區域篩選方法。

    35、第四方面,本專利技術提供了一種計算機可讀存儲介質,該計算機可讀存儲介質上存儲有計算機指令,計算機指令用于使計算機執行上述第一方面或其對應的任一實施方式的薄膜材料擊穿測試區域篩選方法。

    36、第五方面,本專利技術提供了一種計算機程序產品,包括計算機指令,計算機指令用于使計算機執行上述第一方面或其對應的任一實施方式的薄膜材料擊穿測試區域篩選方法。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種薄膜材料擊穿測試區域篩選方法,其特征在于,所述方法包括:

    2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述計算每個待測區域在脈沖電場下對應的含時脈沖介電常數,包括:

    3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在所述基于每個含時脈沖介電常數計算每個待測區域的權重系數之前,所述方法還包括:

    4.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述基于每個含時脈沖介電常數計算每個待測區域的權重系數,包括:

    5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于每個待測區域的權重系數計算均權重系數,包括:

    6.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,所述基于每個待測區域的權重系數與均權重系數計算每個待測區域的偏離度,包括:

    7.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:

    8.一種薄膜材料擊穿測試區域篩選裝置,其特征在于,所述裝置包括:

    9.一種計算機設備,其特征在于,包括:

    10.一種計算機可讀存儲介質,其特征在于,所述計算機可讀存儲介質上存儲有計算機指令,所述計算機指令用于使計算機執行權利要求1至7中任一項所述的薄膜材料擊穿測試區域篩選方法。

    ...

    【技術特征摘要】

    1.一種薄膜材料擊穿測試區域篩選方法,其特征在于,所述方法包括:

    2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述計算每個待測區域在脈沖電場下對應的含時脈沖介電常數,包括:

    3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在所述基于每個含時脈沖介電常數計算每個待測區域的權重系數之前,所述方法還包括:

    4.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述基于每個含時脈沖介電常數計算每個待測區域的權重系數,包括:

    5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于每個待測區域的權重系數計算均權重...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:張傳升邵濤
    申請(專利權)人:中國科學院電工研究所
    類型:發明
    國別省市:

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