【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)實施例涉及一種通信，尤其涉及一種基于偏置電壓的射頻放大裝置。
技術(shù)介紹
1、隨著通信技術(shù)的不斷發(fā)展，移動通信終端對射頻前端模塊的性能要求越來越高。其中，射頻放大器(power?amplifier，rf)作為射頻前端模塊中的一個重要組成部分，其帶寬、增益、損耗、線性度、發(fā)射功率和效率及使用壽命等主要技術(shù)性能指標(biāo)就顯得尤為重要。
2、射頻放大器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)可以分為信號放大鏈路電路和偏置電路兩部分。偏置電路會輸出穩(wěn)定電壓，從而控制放大器的開啟關(guān)閉以及靜態(tài)電流；?實際中射頻功率放大器的靜態(tài)電流存在較大的波動性，射頻放大器的靜態(tài)電流波動性不僅僅由偏置電路的波動性決定，還取決于信號放大鏈路電路中放大器芯片內(nèi)部元件參數(shù)的波動性；一般來說偏置電路輸出電壓具有較好的抗波動性；而放大器芯片內(nèi)部元件參數(shù)包括電阻阻值、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管中的基級及發(fā)射級的電壓（即：hbt?vbe）和放大器電流增益β等；其中，電阻阻值是最關(guān)鍵的波動影響因子之一；目前放大器芯片以gaas?hbt工藝制成，gaas?hbt工藝可以集成高精度薄膜電阻，gaas?hbt高精度薄膜電阻的目的就是通過較小的電阻波動從而控制電路整體靜態(tài)電流的波動，但電路的靜態(tài)電流依然有較大變動，從而顯著影響放大器特性。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)提供一種基于偏置電壓的射頻放大裝置，以實現(xiàn)在信號放大鏈路電路上集成電阻單元，電阻單元與偏置電路連接，同時保證偏置電路跟隨電阻單元的電阻變化比例輸出波動偏置電壓信號，從而補償信號放大鏈路電路中的
2、為達(dá)到以上目的，本專利技術(shù)實施例提供了一種基于偏置電壓的射頻放大裝置，該裝置包括：信號放大鏈路電路及偏置電路；所述信號放大鏈路電路包括電阻單元及多級放大器芯片；所述電阻單元與所述偏置電路連接；所述偏置電路與多級所述放大器芯片電連接；
3、所述偏置電路，用于輸出波動偏置電壓信號至多級所述放大器芯片；其中，所述波動偏置電壓信號跟隨所述電阻單元的電阻變化比例正向變化且當(dāng)所述電阻變化比例為1時，所述波動偏置電壓信號為預(yù)設(shè)偏置電壓；
4、所述電阻單元的電阻變化比例與多級所述放大器芯片上的固定電阻的電阻變化比例相同。
5、可選的，所述電阻單元包括至少一個電阻；各所述電阻與各級所述放大器芯片一一對應(yīng)設(shè)置；
6、和/或，各所述電阻與任一級所述放大器芯片對應(yīng)設(shè)置。
7、可選的，所述電阻單元的第一端與所述偏置電路連接；所述電阻單元的第二端接地；
8、或者，所述電阻單元的第一端與所述偏置電路連接；所述電阻單元的第二端接固定電位；
9、或者，所述電阻單元的兩端串接于所述偏置電路中。
10、可選的，所述偏置電路包括：第一電阻、第二電阻及放大器；
11、所述第一電阻的第一端與所述電阻單元的第一端電連接；所述電阻單元的第二端接地；所述第一電阻的第二端與所述第二電阻的第一端及所述放大器的第一端電連接；所述第二電阻的第二端與電壓源電連接；所述放大器的第二端與所述放大器的輸出端及多級所述放大器芯片電連接。
12、可選的，所述偏置電路還包括：電流源；
13、所述電流源的一端與所述第一電阻的第一端及所述電阻單元的第一端電連接；所述電流源的的另一端與電壓源連接。
14、可選的，各級所述放大器芯片均包括放大器芯片偏置支路及放大器芯片本體；
15、所述偏置電路與多級所述放大器芯片偏置支路電連接；所述放大器芯片偏置支路與所述放大器芯片本體電連接；
16、所述放大器芯片偏置支路，用于接收并傳輸所述波動偏置電壓信號至所述放大器芯片本體以使所述放大器本體輸出射頻放大信號。
17、可選的，所述放大器芯片偏置支路包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第一電容及第三電阻；
18、所述第三電阻的第一端與所述偏置電路電連接；所述第三電阻的第二端與所述第一晶體管的控制端及所述第一晶體管的第一端電連接；所述第一晶體管的第二端與所述第二晶體管的第一端及所述第二晶體管的控制端電連接；所述第二晶體管的第二端接地；所述第一晶體管的第一端與所述第一電容的第一端電連接；所述第一電容的第二端接地；所述第一電容的第一端還與第三晶體管的控制端電連接；所述第三晶體管的第一端與電壓源電連接；所述第三晶體管的第二端與所述放大器芯片本體電連接。
19、其中，所述第三電阻作為多級所述放大器芯片上的固定電阻。
20、可選的，所述放大器芯片本體包括：第二電容、第四電阻及第四晶體管；
21、所述第二電容的第一端作為放大器芯片本體的第一輸入端；所述第二電容的第二端與所述第四電阻的第二端電連接；所述第四電阻的第二端作為所述放大器芯片本體的第二輸入端；所述第二電容的第二端與所述第四晶體管的控制端電連接，所述第四晶體管的第二端接地，所述第四晶體管的第一端作為所述放大器芯片本體的輸出端；
22、其中，所述第三電阻及所述第四電阻作為多級所述放大器芯片上的固定電阻。
23、可選的，所述信號放大鏈路電路與所述偏置電路工藝不同；
24、和/或，所述信號放大鏈路電路及所述偏置電路采用同一工藝。
25、可選的，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管及所述第四晶體管均包括雙極結(jié)型晶體管及場效應(yīng)晶體管中任一形式。
26、本專利技術(shù)實施例，通過信號放大鏈路電路上集成電阻單元，電阻單元與偏置電路連接，同時保證偏置電路跟隨電阻單元的電阻變化比例輸出波動偏置電壓信號，其中，波動偏置電壓信號跟隨電阻單元的電阻變化比例正向變化且當(dāng)所述電阻變化比例為1時，所述波動偏置電壓信號為預(yù)設(shè)偏置電壓；這樣電阻單元由于集成在信號放大鏈路上，其電阻變化比例與多級放大器芯片上的固定電阻的電阻變化比例相同，從而補償多級放大器芯片中的固定電阻的對應(yīng)電阻變化比例引起的靜態(tài)電流波動，從而顯著改善靜態(tài)電流較大的波動。
27、應(yīng)當(dāng)理解，本部分所描述的內(nèi)容并非旨在標(biāo)識本專利技術(shù)的實施例的關(guān)鍵或重要特征，也不用于限制本專利技術(shù)的范圍。本專利技術(shù)的其它特征將通過以下的說明書而變得容易理解。
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1.一種基于偏置電壓的射頻放大裝置，其特征在于，包括：信號放大鏈路電路及偏置電路；所述信號放大鏈路電路包括電阻單元及多級放大器芯片；所述電阻單元與所述偏置電路連接；所述偏置電路與多級所述放大器芯片電連接；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于偏置電壓的射頻放大裝置，其特征在于，所述電阻單元包括至少一個電阻；各所述電阻與各級所述放大器芯片一一對應(yīng)設(shè)置；
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于偏置電壓的射頻放大裝置，其特征在于，所述電阻單元的第一端與所述偏置電路連接；所述電阻單元的第二端接地；
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于偏置電壓的射頻放大裝置，其特征在于，所述偏置電路包括：第一電阻、第二電阻及放大器；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于偏置電壓的射頻放大裝置，其特征在于，所述偏置電路還包括：電流源；
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于偏置電壓的射頻放大裝置，其特征在于，各級所述放大器芯片均包括放大器芯片偏置支路及放大器芯片本體；
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于偏置電壓的射頻放大裝置，其特征在于，所述放大器芯片偏置支路包括：第一晶體管、第二晶體
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于偏置電壓的射頻放大裝置，其特征在于，所述放大器芯片本體包括：第二電容、第四電阻及第四晶體管；
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于偏置電壓的射頻放大裝置，其特征在于，所述信號放大鏈路電路與所述偏置電路工藝不同；
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基于偏置電壓的射頻放大裝置，其特征在于，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管及所述第四晶體管均包括雙極結(jié)型晶體管及場效應(yīng)晶體管中任一形式。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種基于偏置電壓的射頻放大裝置，其特征在于，包括：信號放大鏈路電路及偏置電路；所述信號放大鏈路電路包括電阻單元及多級放大器芯片；所述電阻單元與所述偏置電路連接；所述偏置電路與多級所述放大器芯片電連接；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于偏置電壓的射頻放大裝置，其特征在于，所述電阻單元包括至少一個電阻；各所述電阻與各級所述放大器芯片一一對應(yīng)設(shè)置；
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于偏置電壓的射頻放大裝置，其特征在于，所述電阻單元的第一端與所述偏置電路連接；所述電阻單元的第二端接地；
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于偏置電壓的射頻放大裝置，其特征在于，所述偏置電路包括：第一電阻、第二電阻及放大器；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于偏置電壓的射頻放大裝置，其特征在于，所述偏置電路還包括：電流源；
...【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王余峰，
申請(專利權(quán))人：上海凡麒微電子有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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