【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本公開總體上涉及集成電路(ic)。更具體地，本公開涉及用于射頻(rf)開關的動態本體偏置。
技術介紹
1、移動射頻(rf)芯片(例如，移動rf收發器)的設計復雜性因增加了用于支持通信增強的電路功能而變得復雜。設計移動rf收發器可以包括使用絕緣體上半導體技術。絕緣體上半導體(soi)技術用分層的半導體-絕緣體-半導體襯底取代常規半導體(如硅)襯底，以減少寄生器件電容并且改善性能。基于soi的器件不同于常規硅制造的器件，因為硅結在電絕緣體(通常是掩埋氧化物(box)層)上方。然而，厚度減小的box層可能不能充分減少由soi層上的有源器件和支撐box層的soi襯底的接近所引起的人為諧波。
2、例如，目前使用soi襯底來制造高性能互補金屬氧化物半導體(cmos)射頻(rf)開關技術。雖然soi襯底可以在rf收發器中提供一些針對帶外諧波的保護，但需要增加器件隔離并且減少rf損耗。此外，使用soi技術而制造的晶體管可能受到浮體效應的影響，其中晶體管的本體收集在晶體管器件的結處生成的電荷。
技術實現思路
1、描述了一種射頻集成電路(rfic)。rfic包括開關場效應晶體管(fet)。開關fet包括源極區、漏極區、本體區和柵極區。rfic還包括動態偏置控制電路。動態偏置控制電路包括耦合在開關fet的本體區與柵極區之間的至少一個晶體管。
2、描述了一種構造具有開關場效應晶體管(fet)的射頻集成電路(rfic)的方法。該方法包括將柵極區綁定到開關fet的本體區。該方法還包括在
3、這相當寬泛地概述了本公開的特征和技術優勢，以便更好地理解下面的詳細描述。以下將描述本公開的附加特征和優點。本領域技術人員應當理解，本公開可以容易地用作修改或設計用于實現本公開的相同目的的其他結構的基礎。本領域技術人員還應當意識到，這樣的等效構造不偏離所附權利要求中所闡述的本公開的教導。當結合附圖考慮時，根據以下描述將更好地理解被認為是本公開的特征的新穎特征，包括其組織和操作方法、以及另外的目的和優點。然而，應當明確地理解，提供每個附圖僅僅是為了說明和描述的目的，而不是意圖作為本公開的范圍的定義。
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1.一種射頻集成電路(RFIC)，包括：
2.根據權利要求1所述的RFIC，其中所述動態偏置控制電路包括：
3.根據權利要求2所述的RFIC，其中所述NMOS柵極端子耦合到所述PMOS源極端子和所述開關FET的所述本體區。
4.根據權利要求2所述的RFIC，其中所述NMOS漏極端子耦合到所述PMOS本體端子。
5.根據權利要求2所述的RFIC，還包括柵極電阻器，所述柵極電阻器耦合到所述NMOS源極端子、所述PMOS柵極端子和所述開關FET的所述柵極區。
6.根據權利要求1所述的RFIC，其中所述至少一個晶體管包括N溝道金屬氧化物半導體(NMOS)晶體管，所述NMOS晶體管包括NMOS本體端子、耦合到所述開關FET的所述柵極區的NMOS源極端子、耦合到所述開關FET的所述本體區的NMOS漏極端子、以及耦合到所述NMOS本體端子的NMOS柵極端子。
7.根據權利要求6所述的RFIC，還包括第一柵極電阻器，所述第一柵極電阻器耦合到所述NMOS源極端子和所述開關FET的所述柵極區。
8.根據權利要求6所述
9.根據權利要求1所述的RFIC，其中所述至少一個晶體管包括N溝道金屬氧化物半導體(NMOS)晶體管，所述NMOS晶體管包括耦合到所述開關FET的所述柵極區的NMOS源極端子、耦合到所述開關FET的所述本體區的NMOS漏極端子、耦合到所述NMOS漏極端子的NMOS本體端子、以及耦合到所述NMOS漏極端子的NMOS柵極端子。
10.根據權利要求9所述的RFIC，還包括柵極電阻器，所述柵極電阻器耦合到所述NMOS源極端子和所述開關FET的所述柵極區。
11.根據權利要求1所述的RFIC，其中所述至少一個晶體管包括P溝道金屬氧化物半導體(PMOS)晶體管，所述PMOS晶體管包括PMOS本體端子、耦合到所述開關FET的所述柵極區的PMOS源極端子、耦合到所述開關FET的所述本體區的PMOS漏極端子、以及耦合到所述PMOS本體端子的PMOS柵極端子。
12.根據權利要求11所述的RFIC，還包括第一柵極電阻器，所述第一柵極電阻器耦合到所述PMOS源極端子和所述開關FET的所述柵極區。
13.根據權利要求11所述的RFIC，還包括第二柵極電阻器，所述第二柵極電阻器耦合到所述PMOS柵極端子和所述PMOS本體端子。
14.根據權利要求1所述的RFIC，其中所述至少一個晶體管包括P溝道金屬氧化物半導體(PMOS)晶體管，所述PMOS晶體管包括耦合到所述開關FET的所述柵極區的PMOS源極端子、耦合到所述開關FET的所述本體區的PMOS漏極端子、耦合到所述PMOS源極端子的PMOS本體端子、以及耦合到所述PMOS源極端子的PMOS柵極端子。
15.根據權利要求14所述的RFIC，還包括柵極電阻器，所述柵極電阻器耦合到所述PMOS源極端子和所述開關FET的所述柵極區。
16.根據權利要求1所述的RFIC，被集成到RF前端模塊中，所述RF前端模塊被并入到以下項中的至少一項中：音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、通信設備、個人數字助理(PDA)、固定位置數據單元、移動電話和便攜式計算機。
17.一種構造具有開關場效應晶體管(FET)的射頻集成電路(RFIC)的方法，包括：
18.根據權利要求17所述的方法，其中所述動態偏置控制電路包括：
19.根據權利要求18所述的方法，其中所述動態偏置控制電路還包括柵極電阻器，所述柵極電阻器耦合到所述NMOS源極端子、所述PMOS柵極端子和所述開關FET的所述柵極區。
20.根據權利要求17所述的方法，還包括將所述RFIC集成到RF前端模塊中，所述RF前端模塊被并入到以下項中的至少一項中：音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、通信設備、個人數字助理(PDA)、固定位置數據單元、移動電話和便攜式計算機。
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種射頻集成電路(rfic)，包括：
2.根據權利要求1所述的rfic，其中所述動態偏置控制電路包括：
3.根據權利要求2所述的rfic，其中所述nmos柵極端子耦合到所述pmos源極端子和所述開關fet的所述本體區。
4.根據權利要求2所述的rfic，其中所述nmos漏極端子耦合到所述pmos本體端子。
5.根據權利要求2所述的rfic，還包括柵極電阻器，所述柵極電阻器耦合到所述nmos源極端子、所述pmos柵極端子和所述開關fet的所述柵極區。
6.根據權利要求1所述的rfic，其中所述至少一個晶體管包括n溝道金屬氧化物半導體(nmos)晶體管，所述nmos晶體管包括nmos本體端子、耦合到所述開關fet的所述柵極區的nmos源極端子、耦合到所述開關fet的所述本體區的nmos漏極端子、以及耦合到所述nmos本體端子的nmos柵極端子。
7.根據權利要求6所述的rfic，還包括第一柵極電阻器，所述第一柵極電阻器耦合到所述nmos源極端子和所述開關fet的所述柵極區。
8.根據權利要求6所述的rfic，還包括耦合到所述nmos柵極端子和所述nmos本體端子的第二柵極電阻器。
9.根據權利要求1所述的rfic，其中所述至少一個晶體管包括n溝道金屬氧化物半導體(nmos)晶體管，所述nmos晶體管包括耦合到所述開關fet的所述柵極區的nmos源極端子、耦合到所述開關fet的所述本體區的nmos漏極端子、耦合到所述nmos漏極端子的nmos本體端子、以及耦合到所述nmos漏極端子的nmos柵極端子。
10.根據權利要求9所述的rfic，還包括柵極電阻器，所述柵極電阻器耦合到所述nmos源極端子和所述開關fet的所述柵極區。
11.根據權利要求1所述的rfic，其中所述至少一個晶體管包括p溝道金屬氧化物半導體(pmos)晶體管，所述pmos晶體管包括pmos本體端子、耦合到所述開關fet的所述柵極區的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：R·P·K·維杜拉，A·保羅，H·鄭，
申請(專利權)人：高通股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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