【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及帶有多層涂層的玻璃基材，該多層涂層包括硼摻雜的硅氧化物層，其用于保護多層涂層免受化學降解。本專利技術還涉及一種等離子體增強化學氣相沉積方法，用于沉積這樣的保護層，特別是在例如尺寸至少為3.2*6m2的大型玻璃基材上沉積這樣的保護層。本專利技術的保護層還可以保持折射率非常接近未摻雜的硅氧化物的折射率。
技術介紹
1、多層涂層為涂覆的玻璃基材提供多種特性，尤其可以提供太陽能控制特性、絕緣特性、抗反射特性、和/或防鳥類碰撞特性。
2、這種涂層通常使用磁控濺射來沉積，并且可包括例如介電層、透明傳導性氧化物層和金屬層。這種涂層在處理、運輸和加工為成品窗期間受到機械和化學壓力。在這些步驟期間，多層涂層暴露于這樣的條件：該條件可導致涂層的腐蝕，從而導致例如點缺陷的缺陷或甚至分層。
3、在玻璃裝配領域，有幾種用于玻璃基材的保護涂層是已知的。這些保護涂層通常用于提供磁控濺射涂層，其具有額外的針對不同的機械和/或化學攻擊的抗性。
4、例如，ep2262745a1描述了帶有太陽能控制或低輻射(low?e)絕緣涂層的玻璃基材，該涂層帶有基于鈦氧化物和zro2、sio2或cr2o3的額外氧化物的保護頂層。該保護頂層提供機械和化學耐久性；然而，這些涂層的折射率很高，在633nm的波長下通常為至少2.0。這種高折射率層往往增加所得涂層堆的反射比，尤其是在較高厚度下，這在許多應用中是不希望的，因此其厚度受到限制。
5、wo03068500a1公開了由鋁和硅的混合氧化物制成的具有較低折射率的保護頂層。
6、ep2857370a1公開了等離子體增強化學氣相沉積的sio2層，該層具有良好的沉積速率和良好的耐熱處理性。然而發現這些層的耐化學性仍然有待提高。
7、因此，本領域需要這樣的層：該層提高多層涂層對化學降解的抗性，并且具有低的折射率且可以以高的沉積速率來沉積。
技術實現思路
1、本專利技術的目的是提供一種帶有多層涂層的玻璃基材，該多層涂層包括保護層，該保護層為涂覆的基材提供增加的耐化學性，并且優選地在可見光范圍內具有低的折射率。
2、因此，本專利技術涉及一種帶有多層涂層的玻璃基材，該多層涂層包括硼摻雜的硅氧化物的保護層，其中，硼摻雜的硅氧化物包含si、o、b、和oh基團，并且其中，硼含量在4原子％至12原子％之間。
3、本專利技術的另一個目的是提供一種沉積硼摻雜的硅氧化物保護層的方法，其中，硼摻雜的硅氧化物包含si、o、b、和oh基團，并且其中，硼含量在4原子％至12原子％之間。
4、在本專利技術的某些實施方式中，用于在玻璃基材上沉積硼摻雜的硅氧化物保護層(包含si、o、b、和oh基團，并且其中，硼含量在4原子％至12原子％之間)的方法包括：
5、a.提供玻璃基材，
6、b.提供線性中空陰極型等離子體源，該等離子體源的長度包括至少一對中空陰極等離子體產生電極，并且該等離子體源包括連接至ac、dc或脈沖dc發電機電源的至少一個電極對，用于將所述保護層沉積在基材上，
7、c.以每延米等離子體源長度125sccm至750sccm的流速在等離子體源的電極中注入包含氧的等離子體產生反應氣體，
8、d.向等離子體源施加每延米等離子體源長度10kw至50kw的電功率，和
9、e.以每延米等離子體源長度500sccm至2500sccm的流速注入前體氣體，該前體氣體至少在等離子體源的每個電極對的電極之間被注入到等離子體中，通過將基材暴露于等離子體源的等離子體，將保護層沉積在玻璃基材上。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種帶有多層涂層的玻璃基材，所述多層涂層包括硼摻雜的硅氧化物的保護層，其中，所述硼摻雜的硅氧化物包含：
2.根據權利要求1所述的玻璃基材，其中，所述保護層不含碳。
3.根據前述權利要求中任一項所述的玻璃基材，其中，所述保護層具有在0.25至0.5之間的-OH伸縮振動吸收峰面積與Si-O-Si伸縮振動吸收峰面積的FTIR吸收峰面積比AOH/ASiOSi。
4.根據前述權利要求中任一項所述的玻璃基材，其中，所述保護層的厚度為至少50nm且至多400nm。
5.根據前述權利要求中任一項所述的玻璃基材，其中，所述保護層在波長633nm處的折射率在1.4至1.5之間。
6.根據前述權利要求中任一項所述的玻璃基材，其中，所述保護層包含至少80重量％的SiO2。
7.根據前述權利要求中任一項所述的玻璃基材，其中，所述保護層包含至多15重量％的鈦氧化物、鋯氧化物、或鈦氧化物和鋯氧化物的混合物。
8.根據權利要求1至6中任一項所述的玻璃基材，其中，所述保護層基本上由Si、B、O和H組成。
9.根據前
10.一種用于在玻璃基材上沉積硼摻雜的硅氧化物保護層的方法，所述保護層包含Si、O、和OH基團，其中，硼含量在4原子％至12原子％之間，所述方法包括：
11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述前體氣體包括至少一種包含Si的前體、至少一種包含B的前體、和/或至少一種包含Si和B的前體。
12.根據權利要求10或11所述的方法，其中，所述反應氣體為O2或O2-Ar混合物。
13.根據權利要求10至12中任一項所述的方法，其中，所述反應氣體的流速為每延米等離子體源長度2000sccm至5000sccm。
14.根據權利要求10至13中任一項所述的方法，其中，所述前體氣體包括選自包含硅的前體、包含硼的前體、和/或包含硅和硼的前體的至少一種前體，并且其中，每種前體的總流速在10sccm至500sccm之間。
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種帶有多層涂層的玻璃基材，所述多層涂層包括硼摻雜的硅氧化物的保護層，其中，所述硼摻雜的硅氧化物包含：
2.根據權利要求1所述的玻璃基材，其中，所述保護層不含碳。
3.根據前述權利要求中任一項所述的玻璃基材，其中，所述保護層具有在0.25至0.5之間的-oh伸縮振動吸收峰面積與si-o-si伸縮振動吸收峰面積的ftir吸收峰面積比aoh/asiosi。
4.根據前述權利要求中任一項所述的玻璃基材，其中，所述保護層的厚度為至少50nm且至多400nm。
5.根據前述權利要求中任一項所述的玻璃基材，其中，所述保護層在波長633nm處的折射率在1.4至1.5之間。
6.根據前述權利要求中任一項所述的玻璃基材，其中，所述保護層包含至少80重量％的sio2。
7.根據前述權利要求中任一項所述的玻璃基材，其中，所述保護層包含至多15重量％的鈦氧化物、鋯氧化物、或鈦氧化物和鋯氧化物的混合物。
8.根據權利要求1至6中任一項所述的玻璃基材，其中，所述保護層基...
【專利技術屬性】
技術研發人員：E·米歇爾，E·蒂克霍，
申請(專利權)人：旭硝子歐洲玻璃公司，
類型：發明
國別省市：
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