【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及led發光，特別涉及一種高可靠性的芯片下沉式燈珠及制作方法。
技術介紹
1、現有大功率的陶瓷led產品，存在可靠性差的問題，特別是白膠的開裂問題需要解決。
2、目前主流的解決方案分為兩種：其一，使用硬度較軟的白膠，雖然可以對改善白膠開裂的問題取到一定的效果，但軟膠方案存在led結構強度不足的問題，這就使得其在貼片等終端使用過程中的白膠破損問題；
3、其二，通過molding?emc/smc等硬度較高的材料，雖然相較于以上方案可解決led結構強度的問題，但該方案對設備的前期投入過大，且原材料較一般白膠產品更貴的問題。
4、同時，以上兩個方案還存在芯片的散熱路徑較長的缺點。
5、因此，針對現有技術的不足提供一種高可靠性的芯片下沉式燈珠。
技術實現思路
1、為了克服現有技術的不足，本專利技術提供一種高可靠性的芯片下沉式燈珠，旨在解決白膠與熱源直接接觸，導致白膠開裂的問題。
2、為了達到上述目的，本專利技術采用以下技術方案：
3、一種高可靠性的芯片下沉式燈珠，包括：基板、芯片、第一焊盤、第二焊盤、固熒光片層、光轉換層、透明層、散熱層和白膠層；
4、所述基板設有凹槽，所述芯片、所述光轉換層和所述透明層位于所述凹槽內，所述第一焊盤延伸至所述凹槽內與所述芯片連接，所述光轉換層位于所述芯片的上表面，所述固熒光片層位于所述芯片與所述光轉換層之間，所述透明層位于所述光轉換層的上表面，所述散熱層圍繞所述芯片
5、作為本專利技術技術方案的進一步改進，兩所述第一焊盤從基板底部向上延伸至基板的頂部后，沿著所述凹槽的內壁延伸至所述凹槽的底部后分別與所述芯片的正負極連接；
6、所述第一焊盤呈幾字形。
7、作為本專利技術技術方案的進一步改進，兩所述第一焊盤從基板底部向上直接延伸至所述凹槽的底部后分別與所述芯片的正負極連接；
8、所述第一焊盤呈z字形。
9、作為本專利技術技術方案的進一步改進，所述第二焊盤寬度為所述芯片寬度的70％-95％。
10、作為本專利技術技術方案的進一步改進，所述第二焊盤與所述芯片之間的距離為50μm-200μm。
11、作為本專利技術技術方案的進一步改進，所述散熱層為高導熱絕緣材料，所述散熱層的高度大于所述芯片的厚度；
12、所述芯片的厚度為50μm-150μm。
13、作為本專利技術技術方案的進一步改進，所述白膠層的高度不高于所述透明層的上表面；
14、所述光轉換層的厚度為80μm-150μm。
15、作為本專利技術技術方案的進一步改進，所述凹槽的深度為150μm-300μm。
16、作為本專利技術技術方案的進一步改進，所述基板為陶瓷基。
17、一種高可靠性的芯片下沉式燈珠的制作方法，適用于上述的高可靠性的芯片下沉式燈珠，包括以下步驟：
18、s1：將芯片通過共晶焊或熱壓焊固定在基板的凹槽內，在芯片四周填充散熱層，芯片的正負電極分別與凹槽內的兩第一焊盤通過共晶焊或熱壓焊實現電連接；
19、s2：將光轉換層通過固熒光片層固定在芯片上表面；
20、s3：通過點膠的方法將白膠層填充在光轉換層及透明層的四周。
21、與現有技術相比，本專利技術的有益效果為：
22、本專利技術的高可靠性的芯片下沉式燈珠中，將芯片、光轉換層和透明層依次疊放在凹槽內，第一焊盤延伸至凹槽內與芯片連接，在芯片四周填入散熱層，防止白膠層與芯片直接接觸，同時通過第一焊盤和第二焊盤保證芯片散熱的問題，往透明層四周注入白膠，從而實現燈珠單面出光的效果。本高可靠性的芯片下沉式燈珠，具有避免白膠與熱源的直接接觸，從根本上改善白膠開裂的特點。
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1.一種高可靠性的芯片下沉式燈珠，其特征在于，包括：基板、芯片、第一焊盤、第二焊盤、固熒光片層、光轉換層、透明層、散熱層和白膠層；
2.根據權利要求1所述的一種高可靠性的芯片下沉式燈珠，其特征在于，兩所述第一焊盤從基板底部向上延伸至基板的頂部后，沿著所述凹槽的內壁延伸至所述凹槽的底部后分別與所述芯片的正負極連接；
3.根據權利要求1所述的一種高可靠性的芯片下沉式燈珠，其特征在于，兩所述第一焊盤從基板底部向上直接延伸至所述凹槽的底部后分別與所述芯片的正負極連接；
4.根據權利要求1所述的一種高可靠性的芯片下沉式燈珠，其特征在于，所述第二焊盤寬度為所述芯片寬度的70％-95％。
5.根據權利要求4所述的一種高可靠性的芯片下沉式燈珠，其特征在于，所述第二焊盤與所述芯片之間的距離為50μm-200μm。
6.根據權利要求1所述的一種高可靠性的芯片下沉式燈珠，其特征在于，所述散熱層為高導熱絕緣材料，所述散熱層的高度大于所述芯片的厚度；
7.根據權利要求1所述的一種高可靠性的芯片下沉式燈珠，其特征在于，所述白膠層的高度不
8.根據權利要求1所述的一種高可靠性的芯片下沉式燈珠，其特征在于，所述凹槽的深度為150μm-300μm。
9.根據權利要求1所述的一種高可靠性的芯片下沉式燈珠，其特征在于，所述基板為陶瓷基。
10.一種高可靠性的芯片下沉式燈珠的制作方法，適用于權利要求1-9中任一項所述的高可靠性的芯片下沉式燈珠，其特征在于，包括以下步驟：
...【技術特征摘要】
1.一種高可靠性的芯片下沉式燈珠，其特征在于，包括：基板、芯片、第一焊盤、第二焊盤、固熒光片層、光轉換層、透明層、散熱層和白膠層；
2.根據權利要求1所述的一種高可靠性的芯片下沉式燈珠，其特征在于，兩所述第一焊盤從基板底部向上延伸至基板的頂部后，沿著所述凹槽的內壁延伸至所述凹槽的底部后分別與所述芯片的正負極連接；
3.根據權利要求1所述的一種高可靠性的芯片下沉式燈珠，其特征在于，兩所述第一焊盤從基板底部向上直接延伸至所述凹槽的底部后分別與所述芯片的正負極連接；
4.根據權利要求1所述的一種高可靠性的芯片下沉式燈珠，其特征在于，所述第二焊盤寬度為所述芯片寬度的70％-95％。
5.根據權利要求4所述的一種高可靠性的芯片下沉式燈珠，其特征在...
【專利技術屬性】
技術研發人員：胡波平，萬垂銘，羅昕穗，雷望，曾照明，
申請(專利權)人：廣東晶科電子股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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