【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種鍵合設(shè)備和鍵合方法。
技術(shù)介紹
1、在半導(dǎo)體鍵合過(guò)程中，鍵合波通常自待鍵合對(duì)象的中心向邊緣擴(kuò)散，且待鍵合對(duì)象的間隙中的氣體被推向邊緣，由此導(dǎo)致待鍵合對(duì)象的邊緣位置處容易產(chǎn)生水滴或水泡，因而鍵合良率較低，生產(chǎn)效率較低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N鍵合設(shè)備和鍵合方法，能夠在鍵合過(guò)程中有效地降低在待鍵合對(duì)象的邊緣處形成水滴的可能性，提高鍵合良率以及生產(chǎn)效率。
2、為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)第一方面提供一種鍵合設(shè)備，用于將第一元件與第二元件對(duì)準(zhǔn)鍵合，所述鍵合設(shè)備包括：拾取裝置，用于拾取待鍵合的第一元件，并將所述第一元件移動(dòng)至與所述第二元件對(duì)準(zhǔn)鍵合；承載臺(tái)，用于承載所述第二元件；以及邊緣溫度控制裝置，用于在所述第一元件鍵合至所述第二元件的過(guò)程中對(duì)所述第一元件和/或所述第二元件的邊緣加熱，以使所述第一元件和/或所述第二元件的邊緣處的氣體溫度升高。
3、一些實(shí)施例中，所述邊緣溫度控制裝置包括：輻射發(fā)射器，用于根據(jù)輻射強(qiáng)度發(fā)射輻射波；輻射反射器，用于接收由所述輻射發(fā)射器發(fā)射的輻射波的至少部分，獲取接收到的所述輻射波的至少部分的能量信號(hào)，并將接收到的所述輻射波的至少部分反射至所述第一元件和/或所述第二元件的邊緣；以及控制器，與所述輻射發(fā)射器和所述輻射反射器連接，用于根據(jù)所述能量信號(hào)設(shè)定所述輻射強(qiáng)度。
4、一些實(shí)施例中，所述輻射反射器包括至少一個(gè)反射部，且至少一個(gè)所述反射部圍設(shè)于所述承載臺(tái)和所述拾取裝置中的一者的外周緣；以及所
5、一些實(shí)施例中，所述發(fā)射部和所述反射部的數(shù)量均為一個(gè)，且所述發(fā)射部和所述反射部均為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述發(fā)射部環(huán)繞所述拾取裝置的外周緣延伸設(shè)置，所述反射部環(huán)繞所述承載臺(tái)的外周緣延伸設(shè)置，且所述發(fā)射部在所述承載臺(tái)所在平面的投影落入所述反射部在所述承載臺(tái)所在平面上的投影的范圍內(nèi)；或所述發(fā)射部和所述反射部的數(shù)量均為多個(gè)，多個(gè)所述發(fā)射部沿所述拾取裝置的周向間隔設(shè)置，多個(gè)所述反射部沿所述承載臺(tái)的周向間隔設(shè)置，且每一所述發(fā)射部在所述承載臺(tái)所在平面上的投影與至少一所述反射部在所述承載臺(tái)所在平面上的投影至少部分重疊。
6、一些實(shí)施例中，所述輻射反射器和所述輻射發(fā)射器均位于所述承載臺(tái)所在的一側(cè)；所述輻射發(fā)射器包括多個(gè)發(fā)射部，所述輻射反射器包括多個(gè)反射部，多個(gè)所述發(fā)射部和多個(gè)所述反射部沿所述承載臺(tái)的周向交替且間隔設(shè)置。
7、一些實(shí)施例中，所述輻射反射器沿所述承載臺(tái)的外周緣的至少部分延伸設(shè)置，且所述輻射反射器的長(zhǎng)度不小于所述承載臺(tái)的直徑。
8、一些實(shí)施例中，所述邊緣溫度控制裝置還包括：濾波器，設(shè)于所述輻射發(fā)射器和所述輻射反射器之間，用于對(duì)從所述輻射發(fā)射器發(fā)射至所述輻射反射器之間的輻射波進(jìn)行過(guò)濾。
9、一些實(shí)施例中，所述邊緣溫度控制裝置還包括：處理器，連接所述控制器和所述輻射反射器，用于根據(jù)所述能量信號(hào)調(diào)節(jié)所述控制器設(shè)定的輻射強(qiáng)度。
10、一些實(shí)施例中，所述邊緣溫度控制裝置對(duì)所述第一元件和/或所述第二元件的邊緣溫度升高范圍為1～5℃。
11、為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)第二方面還提供一種鍵合方法，用于將第一元件與第二元件對(duì)準(zhǔn)鍵合，所述鍵合方法包括：拾取待鍵合的所述第一元件，并將所述第一元件移動(dòng)至與所述第二元件對(duì)準(zhǔn)；以及將所述第一元件鍵合至所述第二元件，并在所述第一元件鍵合至所述第二元件的過(guò)程中對(duì)所述第一元件和/或所述第二元件的邊緣加熱，以使所述第一元件和/或所述第二元件的邊緣處的氣體溫度升高。
12、在一些實(shí)施例中，所述在所述第一元件鍵合至所述第二元件的過(guò)程中對(duì)所述第一元件和/或所述第二元件的邊緣加熱，以使所述第一元件和/或所述第二元件的邊緣處的氣體溫度升高包括：輻射發(fā)射器根據(jù)設(shè)定的輻射強(qiáng)度發(fā)射輻射波；以及獲取被輻射反射器接收的輻射波的能量信號(hào)，將接收的輻射波反射至所述第一元件和/或所述第二元件的邊緣，以使所述第一元件和/或所述第二元件的邊緣處的氣體溫度升高。
13、在一些實(shí)施例中，根據(jù)所述能量信號(hào)設(shè)定所述輻射波的輻射強(qiáng)度。
14、本申請(qǐng)一些實(shí)施例提供的鍵合設(shè)備包括拾取裝置、承載臺(tái)和邊緣溫度控制裝置，在第一元件鍵合至第二元件的過(guò)程中，利用邊緣溫度控制裝置對(duì)第一元件和/或第二元件中的邊緣加熱，使得第一元件和/或第二元件的邊緣處的氣體溫度升高，因而可有效地降低氣體在待鍵合對(duì)象的邊緣處形成水滴的可能性，提高鍵合良率以及生產(chǎn)效率。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種鍵合設(shè)備，用于將第一元件與第二元件對(duì)準(zhǔn)鍵合，其特征在于，所述鍵合設(shè)備包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍵合設(shè)備，其特征在于，所述邊緣溫度控制裝置包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍵合設(shè)備，其特征在于，所述輻射反射器包括至少一個(gè)反射部，且至少一個(gè)所述反射部圍設(shè)于所述承載臺(tái)和所述拾取裝置中的一者的外周緣；以及
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鍵合設(shè)備，其特征在于，所述發(fā)射部和所述反射部的數(shù)量均為一個(gè)，且所述發(fā)射部和所述反射部均為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述發(fā)射部環(huán)繞所述拾取裝置的外周緣延伸設(shè)置，所述反射部環(huán)繞所述承載臺(tái)的外周緣延伸設(shè)置，且所述發(fā)射部在所述承載臺(tái)所在平面的投影落入所述反射部在所述承載臺(tái)所在平面上的投影的范圍內(nèi)；或
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍵合設(shè)備，其特征在于，所述輻射反射器和所述輻射發(fā)射器均位于所述承載臺(tái)所在的一側(cè)；
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍵合設(shè)備，其特征在于，所述輻射反射器沿所述承載臺(tái)的外周緣的至少部分延伸設(shè)置，且所述輻射反射器的長(zhǎng)度不小于所述承載臺(tái)的直徑。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍵合設(shè)備，其特征在于，所述邊緣
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍵合設(shè)備，其特征在于，所述邊緣溫度控制裝置還包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍵合設(shè)備，其特征在于，所述邊緣溫度控制裝置對(duì)所述第一元件和/或所述第二元件的邊緣溫度升高范圍為1～5℃。
10.一種鍵合方法，用于將第一元件與第二元件對(duì)準(zhǔn)鍵合，其特征在于，所述鍵合方法包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的鍵合方法，其特征在于，所述在所述第一元件鍵合至所述第二元件的過(guò)程中對(duì)所述第一元件和/或所述第二元件的邊緣加熱，以使所述第一元件和/或所述第二元件的邊緣處的氣體溫度升高包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的鍵合方法，其特征在于，還包括：根據(jù)所述能量信號(hào)設(shè)定所述輻射波的輻射強(qiáng)度。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種鍵合設(shè)備，用于將第一元件與第二元件對(duì)準(zhǔn)鍵合，其特征在于，所述鍵合設(shè)備包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍵合設(shè)備，其特征在于，所述邊緣溫度控制裝置包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍵合設(shè)備，其特征在于，所述輻射反射器包括至少一個(gè)反射部，且至少一個(gè)所述反射部圍設(shè)于所述承載臺(tái)和所述拾取裝置中的一者的外周緣；以及
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鍵合設(shè)備，其特征在于，所述發(fā)射部和所述反射部的數(shù)量均為一個(gè)，且所述發(fā)射部和所述反射部均為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述發(fā)射部環(huán)繞所述拾取裝置的外周緣延伸設(shè)置，所述反射部環(huán)繞所述承載臺(tái)的外周緣延伸設(shè)置，且所述發(fā)射部在所述承載臺(tái)所在平面的投影落入所述反射部在所述承載臺(tái)所在平面上的投影的范圍內(nèi)；或
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍵合設(shè)備，其特征在于，所述輻射反射器和所述輻射發(fā)射器均位于所述承載臺(tái)所在的一側(cè)；
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍵合設(shè)備，其特征在于，所述輻射反...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：鐘璠，顧健華，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：武漢新芯集成電路股份有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：
還沒(méi)有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。