【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及數(shù)據(jù)存儲，特別涉及一種固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)讀取方法、系統(tǒng)、設備及介質(zhì)。
技術介紹
1、隨著ssd(solid?state?disk，固態(tài)硬盤)的高速發(fā)展和廣泛應用，固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)的可靠性成為關注重點。
2、一個ssd的主要存儲介質(zhì)一般為nand(non-volatile?memory?device)，非易失性存儲設備)，而受nand顆粒自身物理屬性的限制，溫度對數(shù)據(jù)的保存和讀取產(chǎn)生較大影響。部分nand顆粒受溫度波動影響明顯，當出現(xiàn)跨溫度區(qū)間數(shù)據(jù)寫入和讀取時，容易造成讀取數(shù)據(jù)不出成功的問題，進而進入多級糾錯的情況。
3、因此亟需一種降低溫度對數(shù)據(jù)讀取影響程度的固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)讀取方法以解決上述技術問題。
技術實現(xiàn)思路
1、基于此，有必要針對上述技術問題，提供一種固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)讀取方法、系統(tǒng)、設備及介質(zhì)。
2、第一方面，本申請?zhí)峁┮环N固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)讀取方法，所述方法包括：
3、響應于檢測到數(shù)據(jù)寫操作，獲取固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)寫入時所處工作環(huán)境的數(shù)據(jù)寫入溫度；
4、響應于檢測到數(shù)據(jù)讀操作，獲取所述固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)讀取時所處工作環(huán)境的數(shù)據(jù)讀取溫度；
5、根據(jù)所述數(shù)據(jù)寫入溫度及所述數(shù)據(jù)讀取溫度以及預設的最佳偏移電壓表，確定第一目標偏移電壓；
6、根據(jù)所述第一目標偏移電壓讀取所述固態(tài)硬盤中的數(shù)據(jù)。
7、在一些實施例中，所述根據(jù)所述第一目標偏移電壓讀取所述固態(tài)硬盤中的數(shù)據(jù)之后，所述方法還包括：
8、響應于檢
9、讀取固態(tài)硬盤第一固定重試表中定義的第一重試讀取電壓；
10、根據(jù)讀取到的第一重試讀取電壓和偏移量，確定第二目標偏移電壓；
11、根據(jù)所述第二目標偏移電壓讀取所述固態(tài)硬盤中的數(shù)據(jù)。
12、在一些實施例中，所述根據(jù)所述第二目標偏移電壓讀取所述固態(tài)硬盤中的數(shù)據(jù)之后，所述方法還包括：
13、響應于檢測到所述固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)讀取失敗，檢測所述第一固定重試表是否為與所述固態(tài)硬盤匹配的最后一個固定重試表；
14、響應于檢測到所述第一固定重試表是所述固態(tài)硬盤匹配的最后一個固定重試表，進入下一級糾錯；
15、響應于檢測到所述第一固定重試表不是所述固態(tài)硬盤匹配的最后一個固定重試表，則根據(jù)所述第一固定重試表下一個固定重試表中定義的重讀讀取電壓更新所述第一重試讀取電壓；
16、根據(jù)所述第一重試讀取電壓和所述偏移量，確定第二目標偏移電壓；
17、根據(jù)所述第二目標偏移電壓讀取所述固態(tài)硬盤中的數(shù)據(jù)。
18、在一些實施例中，所述數(shù)據(jù)讀操作為非數(shù)據(jù)巡檢讀操作時，所述根據(jù)所述第一目標偏移電壓讀取所述固態(tài)硬盤中的數(shù)據(jù)或根據(jù)所述第二目標偏移電壓讀取所述固態(tài)硬盤中的數(shù)據(jù)之后，所述方法包括：
19、檢測是否存在針對所述數(shù)據(jù)讀操作的反饋數(shù)據(jù)；
20、響應于未檢測到數(shù)據(jù)，確定數(shù)據(jù)讀取失敗；
21、響應于檢測到存在反饋數(shù)據(jù)，確定數(shù)據(jù)讀取成功并獲取所述反饋數(shù)據(jù)中的錯誤比特數(shù)；
22、響應于檢測到所述反饋數(shù)據(jù)中的錯誤比特數(shù)大于等于第一閾值，觸發(fā)強制垃圾回收請求生成。
23、在一些實施例中，所述數(shù)據(jù)讀操作為數(shù)據(jù)巡檢讀操作時，響應于檢測到存在反饋數(shù)據(jù)之后，所述方法包括；
24、比較所述反饋數(shù)據(jù)中的錯誤比特數(shù)與所述第一閾值；
25、響應于檢測到所述數(shù)據(jù)中的錯誤比特數(shù)大于等于第一閾值，確定數(shù)據(jù)讀取失敗；
26、響應于檢測到所述數(shù)據(jù)中的錯誤比特數(shù)小于所述第一閾值，確定數(shù)據(jù)讀取成功。
27、在一些實施例中，所述最佳偏移電壓表的生成方法包括：
28、設計讀溫度測試區(qū)間和寫溫度測試區(qū)間，并進行組合生成讀寫溫度區(qū)間；
29、在所述讀寫溫度區(qū)間中選取測試溫度區(qū)間，并使用非易失性存儲設備測試治具在所述測試讀寫溫度區(qū)間中包含的寫溫度下對指定塊進行數(shù)據(jù)寫入；
30、根據(jù)候選偏移電壓在所述測試溫度區(qū)間中包含的讀溫度下對指定塊進行數(shù)據(jù)讀取以獲取反饋數(shù)據(jù)；
31、根據(jù)反饋數(shù)據(jù)中包含的錯誤比特數(shù)，在候選偏移電壓中確定所述指定塊在所述測試溫度區(qū)間下的最佳偏移電壓；
32、記錄所述測試溫度區(qū)間和所述最佳偏移電壓以生成最佳偏移電壓表。
33、在一些實施例中，所述記錄所述測試溫度區(qū)間和所述最佳偏移電壓以生成最佳偏移電壓表之前，所述方法還包括對與測試溫度區(qū)間匹配的最佳偏移電壓進行驗證：
34、在測試溫度區(qū)間包含的寫溫度下對非易失性存儲設備中包含的數(shù)據(jù)塊進行數(shù)據(jù)寫入；
35、在測試溫度區(qū)間包含的讀溫度下，利用所述最佳偏移電壓對非易失性存儲設備中包含的數(shù)據(jù)塊進行數(shù)據(jù)讀取；
36、統(tǒng)計所述非易失性存儲設備中包含的數(shù)據(jù)塊的讀寫成功率；
37、響應于所述讀寫成功率小于第二閾值，則與測試溫度區(qū)間匹配的最佳偏移電壓驗證通過；
38、響應于所述讀寫成功率大于等于所述第二閾值，則與測試溫度區(qū)間匹配的最佳偏移電壓驗證失敗。
39、第二方面，本申請?zhí)峁┮环N固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)讀取系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：
40、準備模塊，用于響應于檢測到數(shù)據(jù)寫操作，獲取固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)寫入時所處工作環(huán)境的數(shù)據(jù)寫入溫度；
41、所述準備模塊，還用于響應于檢測到數(shù)據(jù)讀操作，獲取所述固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)讀取時所處工作環(huán)境的數(shù)據(jù)讀取溫度；
42、處理模塊，用于根據(jù)所述數(shù)據(jù)寫入溫度及所述數(shù)據(jù)讀取溫度以及預設的最佳偏移電壓表，確定第一目標偏移電壓；
43、讀取模塊，用于根據(jù)所述第一目標偏移電壓讀取所述固態(tài)硬盤中的數(shù)據(jù)。
44、第三方面，本申請?zhí)峁┮环N計算機程序產(chǎn)品，計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)以下方法的步驟：
45、響應于檢測到數(shù)據(jù)寫操作，獲取固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)寫入時所處工作環(huán)境的數(shù)據(jù)寫入溫度；
46、響應于檢測到數(shù)據(jù)讀操作，獲取所述固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)讀取時所處工作環(huán)境的數(shù)據(jù)讀取溫度；
47、根據(jù)所述數(shù)據(jù)寫入溫度及所述數(shù)據(jù)讀取溫度以及預設的最佳偏移電壓表，確定第一目標偏移電壓；
48、根據(jù)所述第一目標偏移電壓讀取所述固態(tài)硬盤中的數(shù)據(jù)。
49、第四方面，本申請?zhí)峁┝艘环N電子設備，電子設備包括：一個或多個處理器；
50、以及與一個或多個處理器關聯(lián)的存儲器，存儲器用于存儲程序指令，程序指令在被一個或多個處理器讀取執(zhí)行時，執(zhí)行如下操作：
51、響應于檢測到數(shù)據(jù)寫操作，獲取固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)寫入時所處工作環(huán)境的數(shù)據(jù)寫入溫度；
52、響應于檢測到數(shù)據(jù)讀操作，獲取所述固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)讀取時所處工作環(huán)境的數(shù)據(jù)讀取溫度；
53、根據(jù)所述數(shù)據(jù)寫入溫度及所述數(shù)據(jù)讀取溫度以及預設的最佳偏移電壓表，確定第一目標偏移電壓；
54、根據(jù)本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術保護點】
1.一種固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)讀取方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述第一目標偏移電壓讀取所述固態(tài)硬盤中的數(shù)據(jù)之后，所述方法還包括：
3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述第二目標偏移電壓讀取所述固態(tài)硬盤中的數(shù)據(jù)之后，所述方法還包括：
4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)讀操作為非數(shù)據(jù)巡檢讀操作時，所述根據(jù)所述第一目標偏移電壓讀取所述固態(tài)硬盤中的數(shù)據(jù)或根據(jù)所述第二目標偏移電壓讀取所述固態(tài)硬盤中的數(shù)據(jù)之后，所述方法包括：
5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)讀操作為數(shù)據(jù)巡檢讀操作時，響應于檢測到存在反饋數(shù)據(jù)之后，所述方法包括；
6.根據(jù)權利要求1-5任一項所述的方法，其特征在于，所述最佳偏移電壓表的生成方法包括：
7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述記錄所述測試溫度區(qū)間和所述最佳偏移電壓以生成最佳偏移電壓表之前，所述方法還包括對與測試溫度區(qū)間匹配的最佳偏移電壓進行驗證：
8.一種固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)讀取系統(tǒng)，其特
9.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括：
10.一種計算機可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，其存儲計算機程序，所述計算機程序使得計算機執(zhí)行權利要求1-7中任一項所述方法。
...【技術特征摘要】
1.一種固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)讀取方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述第一目標偏移電壓讀取所述固態(tài)硬盤中的數(shù)據(jù)之后，所述方法還包括：
3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述第二目標偏移電壓讀取所述固態(tài)硬盤中的數(shù)據(jù)之后，所述方法還包括：
4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)讀操作為非數(shù)據(jù)巡檢讀操作時，所述根據(jù)所述第一目標偏移電壓讀取所述固態(tài)硬盤中的數(shù)據(jù)或根據(jù)所述第二目標偏移電壓讀取所述固態(tài)硬盤中的數(shù)據(jù)之后，所述方法包括：
5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)讀操作為數(shù)據(jù)...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：錢翔，邵文豪，方超，
申請(專利權)人：蘇州元腦智能科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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