【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體設備中的噴淋盤機構，尤其涉及一種半導體背面沉積基座。
技術介紹
1、在現有技術中，有一種需要在晶圓背面沉積薄膜的工藝，其中關鍵機構為帶有噴淋和加熱結構的基座。現有技術中，一般將其整體采用三系鋁材進行旋轉摩擦焊或者eb(電子束焊)焊接的方式固定連接。
2、但是，上述基座機構設計中，基座需要長期反復加熱和降溫，現有設計將所有部件均采用旋轉摩擦焊或電子束焊的固定連接方式，因此會導致加熱絲傳遞的熱能產生的熱應力不均勻，進一步導致基座變形，變形的基座會影響薄膜沉積質量。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于克服現有技術的不足，提供一種半導體背面沉積基座，以解決現有加熱噴淋盤長期使用容易變形的技術問題。
2、為實現上述目的，本專利技術采用以下技術方案：
3、本專利技術的實施例提供了一種半導體背面沉積基座，其包括：面板、中間基板和底部基板，所述面板、所述中間基板和所述底部基板依次層疊設置，所述面板與所述中間基板之間共同圍合成進氣腔室，所述面板上設有若干連通所述進氣腔室的噴淋孔；所述底部基板與所述中間基板之間采用真空釬焊焊接固定連接。
4、其中，所述中間基板上還設有凹槽，所述凹槽內設有發熱絲，所述發熱絲采用真空釬焊焊接方式固定連接于所述凹槽內。
5、其中，所述進氣腔室內還設有擋板，所述擋板采用電子束焊焊接固定連接于所述中間基板上。
6、其中，所述底部基板的底部中心位置還垂直連接有基柄，所述基柄內穿設有進氣
7、其中，所述面板與所述中間基板之間采用電子束焊焊接固定。
8、其中，所述進氣管的上部與所述中間基板之間采用電子束焊焊接固定。
9、其中，所述面板包括：依次焊接固定連接的外層板、中層板和內層板，所述中層板位于所述外層板和所述內層板之間，所述外層板和所述內層板采用一系鋁材質，所述中層板采用六系鋁材質。
10、其中，所述面板包括：依次焊接固定連接的外層板、中層板和內層板，所述中層板位于所述外層板和所述內層板之間，所述外層板和所述內層板采用一系鋁材質，所述中層板采用鎳或鈦材質。
11、其中，所述外層板、中層板和內層板的圓盤直徑范圍為250-500mm，圓盤厚度范圍為1-100mm。
12、其中，所述中間基板和所述底部基板均包括三系鋁材質的基體以及焊接于所述基體表面的一系鋁材質的面層。
13、本專利技術的半導體背面沉積基座，其將基座的底部基板與中間基板、加熱絲與中間基板之間均采用真空釬焊焊接固定，從而解決噴淋盤在長期使用過程中，反復加熱導致各部件之間應力不均勻導致變形的問題，其他部件之間采用電子束焊焊接固定方式，解決噴淋盤容易產生微顆粒的問題。
14、上述說明僅是本專利技術技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本專利技術技術手段，可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本專利技術的上述和其它目的、特征及優點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，詳細說明如下。
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1.一種半導體背面沉積基座，其特征在于，包括：面板、中間基板和底部基板，所述面板、所述中間基板和所述底部基板依次層疊設置，所述面板與所述中間基板之間共同圍合成進氣腔室，所述面板上設有若干連通所述進氣腔室的噴淋孔；所述底部基板與所述中間基板之間采用真空釬焊焊接固定連接。
2.根據權利要求1所述的半導體背面沉積基座，其特征在于，所述中間基板上還設有凹槽，所述凹槽內設有發熱絲，所述發熱絲采用真空釬焊焊接方式固定連接于所述凹槽內。
3.根據權利要求2所述的半導體背面沉積基座，其特征在于，所述進氣腔室內還設有擋板，所述擋板采用電子束焊焊接固定連接于所述中間基板上。
4.根據權利要求3所述的半導體背面沉積基座，其特征在于，所述底部基板的底部中心位置還垂直連接有基柄，所述基柄內穿設有進氣管，所述進氣管連通于所述進氣腔室，且所述進氣管的上端部位于所述擋板正下方。
5.根據權利要求4所述的半導體背面沉積基座，其特征在于，所述面板與所述中間基板之間采用電子束焊焊接固定。
6.根據權利要求5所述的半導體背面沉積基座，其特征在于，所述進氣管的上
7.根據權利要求1至6任意一項所述的半導體背面沉積基座，其特征在于，所述面板包括：依次焊接固定連接的外層板、中層板和內層板，所述中層板位于所述外層板和所述內層板之間，所述外層板和所述內層板采用一系鋁材質，所述中層板采用六系鋁材質。
8.根據權利要求1至6任意一項所述的半導體背面沉積基座，其特征在于，所述面板包括：依次焊接固定連接的外層板、中層板和內層板，所述中層板位于所述外層板和所述內層板之間，所述外層板和所述內層板采用一系鋁材質，所述中層板采用鎳或鈦材質。
9.根據權利要求8所述的半導體背面沉積基座，其特征在于，所述外層板、中層板和內層板的圓盤直徑范圍為250-500mm，圓盤厚度范圍為1-100mm。
10.根據權利要求2所述的半導體背面沉積基座，其特征在于，所述中間基板和所述底部基板均包括三系鋁材質的基體以及焊接于所述基體表面的一系鋁材質的面層。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體背面沉積基座，其特征在于，包括：面板、中間基板和底部基板，所述面板、所述中間基板和所述底部基板依次層疊設置，所述面板與所述中間基板之間共同圍合成進氣腔室，所述面板上設有若干連通所述進氣腔室的噴淋孔；所述底部基板與所述中間基板之間采用真空釬焊焊接固定連接。
2.根據權利要求1所述的半導體背面沉積基座，其特征在于，所述中間基板上還設有凹槽，所述凹槽內設有發熱絲，所述發熱絲采用真空釬焊焊接方式固定連接于所述凹槽內。
3.根據權利要求2所述的半導體背面沉積基座，其特征在于，所述進氣腔室內還設有擋板，所述擋板采用電子束焊焊接固定連接于所述中間基板上。
4.根據權利要求3所述的半導體背面沉積基座，其特征在于，所述底部基板的底部中心位置還垂直連接有基柄，所述基柄內穿設有進氣管，所述進氣管連通于所述進氣腔室，且所述進氣管的上端部位于所述擋板正下方。
5.根據權利要求4所述的半導體背面沉積基座，其特征在于，所述面板與所述中間基板之間采用電子束焊焊接固定。
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【專利技術屬性】
技術研發人員：方成，劉振，
申請(專利權)人：拓荊科技上海有限公司，
類型：發明
國別省市：
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