【技術實現步驟摘要】
本技術涉及半導體分立器件，尤其涉及一種絕緣分立器件的封裝結構。
技術介紹
1、目前，市面上igbt(insulated?gate?bipolar?transistor，絕緣柵雙極晶體管)的分立器件在使用時，因分立器件背面外露與內部不絕緣，即背面導電，使得客戶在安裝的時候需要使用絕緣墊片，導致材料成本增加，同時增加了工序，最終增加了整機生產環節和生產成本，影響了生產效率。
技術實現思路
1、本技術的目的在于，提供一種絕緣分立器件的封裝結構，解決以上技術問題；
2、一種絕緣分立器件的封裝結構，包括，
3、塑封外殼，所述塑封外殼內包覆有，
4、金屬散熱板，所述金屬散熱板上設有芯片，所述金屬散熱板的一端設有金屬引腳，所述金屬引腳遠離所述金屬散熱板的一端伸出所述塑封外殼。
5、優選地，所述塑封外殼的形狀為長方形，所述塑封外殼的長為20mm～30mm，所述塑封外殼的寬為10mm～20mm，所述塑封外殼的厚度為2mm～7mm；
6、所述金屬散熱板的尺寸小于所述塑封外殼的尺寸。
7、優選地，所述芯片為絕緣柵雙極晶體管、場效應管、二極管以及晶閘管中的至少一個。
8、優選地，所述金屬引腳的數目為2～4，所述金屬引腳之間的間隙為1mm～10mm，所述金屬引腳的寬為0.5mm～3mm，所述金屬引腳的厚度為0.4mm～1mm。
9、優選地，所述塑封外殼在長度方向上包括第一凸臺、連接部以及第二凸臺；
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11、優選地，所述第一連接部的斜邊、所述第二連接部的斜邊以及所述第二凸臺的斜邊的傾斜角度為4°～20°。
12、優選地，所述第一凸臺的厚度、所述第二連接部的厚度以及所述第二凸臺的厚度為2mm～5mm。
13、優選地，所述第一凸臺的長度為8mm～15mm、所述第一連接部的長度為10mm～20mm，所述第二凸臺的長度為3mm～8mm，所述第二凸臺的寬度為1mm～4mm。
14、優選地，所述塑封外殼與所述金屬散熱板之間的距離為0.2mm～1mm。
15、優選地，所述塑封外殼上設有用于散熱的圓孔，所述圓孔的直徑為2mm～5mm。
16、本技術的有益效果是：由于采用以上技術方案，分立器件的背面絕緣，無需增加絕緣墊片，節省了生產成本和操作環節，提高了生產效率。
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1.一種絕緣分立器件的封裝結構，其特征在于，包括，
2.根據權利要求1所述的絕緣分立器件的封裝結構，其特征在于，所述塑封外殼(1)的形狀為長方形，所述塑封外殼(1)的長為20mm～30mm，所述塑封外殼(1)的寬為10mm～20mm，所述塑封外殼(1)的厚度為2mm～7mm；
3.根據權利要求1所述的絕緣分立器件的封裝結構，其特征在于，所述芯片(5)為絕緣柵雙極晶體管、場效應管、二極管以及晶閘管中的至少一個。
4.根據權利要求1所述的絕緣分立器件的封裝結構，其特征在于，所述金屬引腳(3)的數目為2～4，所述金屬引腳(3)之間的間隙為1mm～10mm，所述金屬引腳(3)的寬為0.5mm～3mm，所述金屬引腳(3)的厚度為0.4mm～1mm。
5.根據權利要求1所述的絕緣分立器件的封裝結構，其特征在于，所述第一連接部(13)的斜邊、所述第二連接部(14)的斜邊以及所述第二凸臺(12)的斜邊的傾斜角度為4°～20°。
6.根據權利要求1所述的絕緣分立器件的封裝結構，其特征在于，所述第一凸臺(11)的厚度、所述第二連接部(14)
7.根據權利要求1所述的絕緣分立器件的封裝結構，其特征在于，所述第一凸臺(11)的長度為8mm～15mm、所述第一連接部(13)的長度為10mm～20mm，所述第二凸臺(12)的長度為3mm～8mm，所述第二凸臺(12)的寬度為1mm～4mm。
8.根據權利要求1所述的絕緣分立器件的封裝結構，其特征在于，所述塑封外殼(1)與所述金屬散熱板(2)之間的距離為0.2mm～1mm。
...【技術特征摘要】
1.一種絕緣分立器件的封裝結構，其特征在于，包括，
2.根據權利要求1所述的絕緣分立器件的封裝結構，其特征在于，所述塑封外殼(1)的形狀為長方形，所述塑封外殼(1)的長為20mm～30mm，所述塑封外殼(1)的寬為10mm～20mm，所述塑封外殼(1)的厚度為2mm～7mm；
3.根據權利要求1所述的絕緣分立器件的封裝結構，其特征在于，所述芯片(5)為絕緣柵雙極晶體管、場效應管、二極管以及晶閘管中的至少一個。
4.根據權利要求1所述的絕緣分立器件的封裝結構，其特征在于，所述金屬引腳(3)的數目為2～4，所述金屬引腳(3)之間的間隙為1mm～10mm，所述金屬引腳(3)的寬為0.5mm～3mm，所述金屬引腳(3)的厚度為0.4mm～1mm。
5.根據權利要求1所述的絕緣分...
【專利技術屬性】
技術研發人員：田哲偉，
申請(專利權)人：浙江谷藍電子科技有限公司，
類型：新型
國別省市：
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