【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及電路設計，具體涉及一種溫度無關的基準電流源及其應用。
技術介紹
1、基準電流源是集成電路的一個相當關鍵的單元，其精度直接影響芯片能否正常工作。以nor?flash存儲器為例，芯片在電源上電之后，需要一串精確的時鐘信號來讀取內部存儲的參數值，這些存儲的參數值是設計者經過調節后讓芯片處于最佳狀態的值。精確的時鐘一般通過芯片內部的張弛振蕩器實現，張弛振蕩器需要一個不隨溫度變化的電流源，因此基準電流源在存儲器芯片中至關重要。
2、現有傳統結構的基準電流源，其一般將基準電壓轉換為基準電流，但是由于在轉換過程中需要采用電阻，而在現有工藝下無法實現一種不隨溫度變化的電阻，因此現有設計中的基準電流源在溫度變化時會有很大的溫度偏差。
3、因此設計一種電流輸出不受溫度影響的基準電流源，成為了亟需解決的問題。
技術實現思路
1、針對現有技術的不足，本專利技術提供一種溫度無關的基準電流源，可以根據電阻的溫度特性，對電流源做溫度補償，從而獲得與溫度無關的基準電流。
2、本專利技術解決技術問題采用如下技術方案：
3、本專利技術提供一種溫度無關的基準電流源，包括溫度相關電阻、多電壓生成模塊和補償基準電流生成模塊，其中，
4、所述溫度相關電阻為溫度負相關電阻或溫度正相關電阻；
5、所述多電壓生成模塊接入電源電路，配置成用于生成并輸出溫度正相關電壓、溫度負相關電壓和溫度無關基準電壓中的一種或幾種，所述溫度正相關電壓與溫度正相關電阻
6、所述補償基準電流生成模塊接入電源電路，配置成基于溫度正相關電壓和溫度正相關電阻或者溫度負相關電壓和溫度負相關電阻生成與溫度無關的基準電流。
7、優選地，所述多電壓生成模塊包括帶隙基準源子模塊和電壓調制子模塊，所述電壓調制子模塊接入帶隙基準源子模塊并生成溫度正相關電壓、溫度負相關電壓和溫度無關基準電壓中的一種或幾種；
8、所述補償基準電流生成模塊包括溫度正相關調制子模塊或溫度負相關調制子模塊中的一種或幾種，其中，
9、所述溫度正相關調制子模塊接入溫度正相關電阻，并基于溫度正相關電壓調制生成與溫度無關的基準電流；
10、所述溫度負相關調制子模塊接入溫度負相關電阻，并基于溫度負相關電壓調制生成與溫度無關的基準電流。
11、優選地，所述帶隙基準源子模塊具體包括pmos管pm1-pm3，三極管q1-q2，nmos管nm1、電阻r1，其中，
12、所述pmos管pm1、pm2、pm3共源端并接入電源電路；
13、所述pmos管pm1、pm2、pm3共柵端并接入pm1的漏端；
14、所述pmos管pm1、pm2、pm3的漏端分別接入nmos管nm1的漏端、三極管q1的集電極、三極管q2的集電極；
15、所述三極管q1、q2共基極并接入q1的集電極；
16、所述nmos管nm1的柵端接入三極管q2的集電極；
17、所述nmos管nm1的源端與三極管q1的發射極相連并接入電阻r1的一端；
18、所述電阻r1的另一端與三極管q2的發射極相連并接入公共接地端；
19、所述電壓調制子模塊具體包括pmos管pm4，三極管q3，電阻r2-r4，其中，
20、所述pmos管pm4的源端接入電源電路，且與pmos管pm3共柵端；
21、所述pmos管pm4的漏端接入電阻r4的一端并作為第一輸出節點輸出溫度正相關電壓；
22、所述電阻r4另一端接入電阻r3的一端并作為第二輸出節點輸出溫度無關基準電壓；
23、所述電阻r3另一端接入電阻r2的一端并作為第三輸出節點輸出溫度負相關電壓；
24、所述電阻r2的另一端與三極管q3的集電極相連并接入q3的基極；
25、所述三極管q3的發射極接入公共接地端；
26、所述三極管q1、q2、q3均為npn型。
27、優選地，所述帶隙基準源子模塊具體包括pmos管pm1-pm2，三極管q1-q2，電阻r1和第一運算放大器，其中，
28、所述pmos管pm1、pm2共源端并接入電源電路；
29、所述pmos管pm1、pm2共柵端并接入第一運算放大器的輸出端；
30、所述pmos管pm1的漏端與電阻r1的一端相連并接入第一運算放大器的同相輸入端；
31、所述電阻r1的另一端接入三極管q1的發射極；
32、所述pmos管pm2的漏端與三極管q2的發射極相連并接入第一運算放大器的反相輸入端；
33、所述三極管q1和q2的集電極和基極均接入公共接地端；
34、所述電壓調制子模塊具體包括pmos管pm3，三極管q3，電阻r2-r4，其中，
35、所述pmos管pm3的源端接入電源電路，且與pmos管pm2共柵端；
36、所述pmos管pm3的漏端接入電阻r4的一端并作為第一輸出節點輸出溫度正相關電壓；
37、所述電阻r4另一端接入電阻r3的一端并作為第二輸出節點輸出溫度無關基準電壓；
38、所述電阻r3另一端接入電阻r2的一端并作為第三輸出節點輸出溫度負相關電壓；
39、所述電阻r2的另一端與三極管q3的發射極相連；
40、所述三極管q3的集電極和基極均接入公共接地端；
41、所述三極管q1、q2、q3均為pnp型。
42、優選地，所述溫度正相關調制子模塊具體包括pmos管pm5和第二運算放大器，其中，
43、所述pmos管pm5的源端接入電源電路；
44、所述第二運算放大器的反相輸入端接入溫度正相關電壓；
45、所述第二運算放大器的同相輸入端與所述pmos管pm5的漏端相連并接入溫度正相關電阻rptat的一端，所述溫度正相關電阻rptat的另一端接入公共接地端；
46、所述pmos管pm5的柵端接入第二運算放大器的輸出端。
47、優選地，所述溫度正相關調制子模塊具體包括pmos管pm5、第二運算放大器和nmos管nm2，其中，
48、所述pmos管pm5的源端接入電源電路，其漏端與柵端相連并接入nmos管nm2的漏端；
49、所述第二運算放大器的同相輸入端接入溫度正相關電壓；
50、所述第二運算放大器的反相輸入端與所述nmos管nm2的源端相連并接入溫度正相關電阻rptat的一端，所述溫度正相關電阻rptat的另一端接入公共接地端；
51、所述nmos管nm2的柵端接入第二運算放大器的輸出端。
52、優選地，所述溫度負相關調制子模塊具體包括pmos管pm6和第三運算放大器，其中，
53、所述pmos管pm6的源端接入電源電路；
【技術保護點】
1.一種溫度無關的基準電流源，其特征在于，包括溫度相關電阻、多電壓生成模塊和補償基準電流生成模塊，其中，
2.根據權利要求1所述的一種溫度無關的基準電流源，其特征在于，所述多電壓生成模塊包括帶隙基準源子模塊和電壓調制子模塊，所述電壓調制子模塊接入帶隙基準源子模塊并生成溫度正相關電壓、溫度負相關電壓和溫度無關基準電壓中的一種或幾種；
3.根據權利要求2所述的一種溫度無關的基準電流源，其特征在于，所述帶隙基準源子模塊具體包括PMOS管PM1-PM3，三極管Q1-Q2，NMOS管NM1、電阻R1，其中，
4.根據權利要求2所述的一種溫度無關的基準電流源，其特征在于，所述帶隙基準源子模塊具體包括PMOS管PM1-PM2，三極管Q1-Q2，電阻R1和第一運算放大器，其中，
5.根據權利要求2所述的一種溫度無關的基準電流源，其特征在于，所述溫度正相關調制子模塊具體包括PMOS管PM5和第二運算放大器，其中，
6.根據權利要求2所述的一種溫度無關的基準電流源，其特征在于，所述溫度正相關調制子模塊具體包括PMOS管PM5、第二運算放大器
7.根據權利要求2所述的一種溫度無關的基準電流源，其特征在于，所述溫度負相關調制子模塊具體包括PMOS管PM6和第三運算放大器，其中，
8.根據權利要求2所述的一種溫度無關的基準電流源，其特征在于，所述溫度負相關調制子模塊具體包括PMOS管PM6、第三運算放大器和NMOS管NM3，其中，
9.根據權利要求3或4所述的一種溫度無關的基準電流源，其特征在于，所述PMOS管的寬長比相同；
10.一種芯片電路，其特征在于，所述芯片電路中包含如權利要求1-9任意一項所述的溫度無關的基準電流源。
...【技術特征摘要】
1.一種溫度無關的基準電流源，其特征在于，包括溫度相關電阻、多電壓生成模塊和補償基準電流生成模塊，其中，
2.根據權利要求1所述的一種溫度無關的基準電流源，其特征在于，所述多電壓生成模塊包括帶隙基準源子模塊和電壓調制子模塊，所述電壓調制子模塊接入帶隙基準源子模塊并生成溫度正相關電壓、溫度負相關電壓和溫度無關基準電壓中的一種或幾種；
3.根據權利要求2所述的一種溫度無關的基準電流源，其特征在于，所述帶隙基準源子模塊具體包括pmos管pm1-pm3，三極管q1-q2，nmos管nm1、電阻r1，其中，
4.根據權利要求2所述的一種溫度無關的基準電流源，其特征在于，所述帶隙基準源子模塊具體包括pmos管pm1-pm2，三極管q1-q2，電阻r1和第一運算放大器，其中，
5.根據權利要求2所述的一種溫度無關的基準電流源，其特征在于...
【專利技術屬性】
技術研發人員：潘國昌，李政達，歐陽托日，任軍，李昱，李文超，王也，陳亮，
申請(專利權)人：恒爍半導體合肥股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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