【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及多孔硅制備，特別是涉及一種硅片夾具和多孔硅制備裝置。
技術(shù)介紹
1、外延單晶硅由于其優(yōu)異的晶體完整性和電阻率均勻性等性能，在功率器件和集成電路芯片中得到了廣泛地應(yīng)用。與此同時，外延單晶硅也受到了光伏行業(yè)的關(guān)注。
2、當(dāng)前，通常使用外延層轉(zhuǎn)移技術(shù)制備得到外延單晶硅。外延層轉(zhuǎn)移技術(shù)將外延硅片生長技術(shù)和多孔硅制備技術(shù)結(jié)合起來，先在單晶硅襯底表層制備一層或多層結(jié)構(gòu)疏松、機械強度弱的多孔硅層作為犧牲層，再在多孔硅表面制備外延單晶硅層，最后通過機械拉伸或化學(xué)溶液選擇性腐蝕等方法將外延層和襯底剝離開來。在陽極腐蝕制備多孔硅時，將硅片固定在陽極夾具上并與直流電源正極電連接，再向腐蝕槽內(nèi)填充電解液，使硅片正面浸沒在電解液中，通電后，利用電化學(xué)反應(yīng)原理在硅片拋光面發(fā)生電化學(xué)腐蝕反應(yīng)，從而形成一層或多層厚度和孔隙率可控的疏松多孔硅層。
3、為了保證硅片正面和背面的彼此絕緣隔離，在腐蝕形成多孔硅層時，通常在硅片表面設(shè)置密封圈，以阻止電解液的泄漏，防止引起短路。但是密封圈的設(shè)置導(dǎo)致硅片表面被密封圈遮擋的區(qū)域無法形成多孔硅層，增加了后續(xù)激光環(huán)切的工序，且造成了材料的浪費。業(yè)內(nèi)為了解決上述缺陷，實現(xiàn)硅片全面積腐蝕形成多孔硅層，或采用真空吸附的方式固定待腐蝕的硅片，或者利用機械裝置從硅片的側(cè)邊部位夾緊固定待腐蝕的硅片以確保密封效果。
4、上述這些硅片的固定方式要么無法完全避免硅片另一面的腐蝕，要么容易引起硅片的碎裂。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本技術(shù)提供一種硅片夾具和多孔硅制
2、本技術(shù)實施例提供了一種硅片夾具，所述硅片夾具包括：
3、夾具主體，所述夾具主體具有相互平行的第一表面和第二表面，以及位于所述第一表面和所述第二表面的側(cè)面，所述側(cè)面同時與所述第一表面和所述第二表面連接，所述夾具主體設(shè)有貫通所述第一表面和所述第二表面的容納空間；
4、柔性漲緊件，所述柔性漲緊件設(shè)置于所述容納空間內(nèi)。
5、可選地，所述硅片夾具還包括夾具蓋板；
6、所述夾具蓋板具有相互平行的第三表面和第四表面，所述夾具蓋板設(shè)有貫通所述第三表面和所述第四表面的通孔；
7、所述夾具蓋板與所述夾具主體固定連接，所述通孔與所述容納空間連通，所述柔性漲緊件夾設(shè)于所述夾具主體和所述夾具蓋板之間。
8、可選地，所述夾具主體具有拉手部。
9、可選地，所述夾具主體沿所述第一表面的中心軸線自下向上寬度增大。
10、可選地，所述硅片夾具還包括第一密封件，所述第一密封件設(shè)置在所述夾具主體的側(cè)面。
11、可選地，所述柔性漲緊件與所述硅片的側(cè)壁接觸的表面為帶有弧度的曲面，所述曲面內(nèi)凹的開口朝向所述容納空間的中心。
12、可選地，所述柔性漲緊件包括氣動漲緊件或形狀記憶合金漲緊件。
13、可選地，所述氣動漲緊件為沿所述容納空間的周向設(shè)置的環(huán)形氣囊；或，
14、所述氣動漲緊件包括沿所述容納空間的周向間隔分布的多個氣囊袋，以及設(shè)置于相鄰兩個所述氣囊袋之間的第二密封件。
15、可選地，所述環(huán)形氣囊包括：
16、氣囊本體，所述氣囊本體呈環(huán)形形狀，所述氣囊本體設(shè)置于所述容納空間的內(nèi)壁；
17、氣管，所述氣管與所述氣囊本體連通。
18、可選地，所述夾具主體設(shè)置有穿設(shè)所述氣管的通道。
19、可選地，靠近所述氣囊本體的中心的氣腔厚度小于遠離所述氣囊本體的中心的氣腔厚度，所述氣腔厚度為所述氣囊本體的腔體沿所述氣囊本體的軸心線方向的尺寸。
20、本技術(shù)實施例還提供了一種多孔硅制備裝置，所述多孔硅制備裝置包括電解槽和前述的任一種硅片夾具；
21、所述硅片夾具與所述電解槽可拆卸地連接。
22、本技術(shù)實施例的硅片夾具在用于硅片的全面積腐蝕時，將硅片嵌入固定在夾具主體所設(shè)置的容納空間中，可由容納空間中的柔性漲緊件對硅片進行夾持固定，使硅片保持豎直的姿態(tài)，硅片的正面和背面可分別與電解液接觸。這種夾具利用柔性漲緊件實現(xiàn)對硅片的柔性夾持，調(diào)節(jié)柔性漲緊件的形變大小即可調(diào)整夾持力度的大小，可以避免剛性接觸帶來的碎裂風(fēng)險。因此，這種硅片夾具在實現(xiàn)硅片全面積腐蝕的同時還可以降低碎片率。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護點】
1.一種硅片夾具，其特征在于，所述硅片夾具包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片夾具，其特征在于，所述硅片夾具還包括夾具蓋板；
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅片夾具，其特征在于，所述夾具主體具有拉手部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片夾具，其特征在于，所述夾具主體沿所述第一表面的中心軸線自下向上寬度增大。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的硅片夾具，其特征在于，所述硅片夾具還包括第一密封件，所述第一密封件設(shè)置在所述夾具主體的側(cè)面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片夾具，其特征在于，所述柔性漲緊件與所述硅片的側(cè)壁接觸的表面為帶有弧度的曲面，所述曲面內(nèi)凹的開口朝向所述容納空間的中心。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4或6所述的硅片夾具，其特征在于，所述柔性漲緊件包括氣動漲緊件或形狀記憶合金漲緊件。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的硅片夾具，其特征在于，所述氣動漲緊件為沿所述容納空間的周向設(shè)置的環(huán)形氣囊；或，
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的硅片夾具，其特征在于，所述環(huán)形氣囊包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的硅片夾
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的硅片夾具，其特征在于，靠近所述氣囊本體的中心的氣腔厚度小于遠離所述氣囊本體的中心的氣腔厚度，所述氣腔厚度為所述氣囊本體的腔體沿所述氣囊本體的軸心線方向的尺寸。
12.一種多孔硅制備裝置，其特征在于，所述多孔硅制備裝置包括電解槽和權(quán)利要求1至11任一項所述的硅片夾具；
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種硅片夾具，其特征在于，所述硅片夾具包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片夾具，其特征在于，所述硅片夾具還包括夾具蓋板；
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅片夾具，其特征在于，所述夾具主體具有拉手部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片夾具，其特征在于，所述夾具主體沿所述第一表面的中心軸線自下向上寬度增大。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的硅片夾具，其特征在于，所述硅片夾具還包括第一密封件，所述第一密封件設(shè)置在所述夾具主體的側(cè)面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片夾具，其特征在于，所述柔性漲緊件與所述硅片的側(cè)壁接觸的表面為帶有弧度的曲面，所述曲面內(nèi)凹的開口朝向所述容納空間的中心。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4或6所述的硅...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：吉幸，仲銀鵬，彭云成，周銳，張肅，
申請(專利權(quán))人：隆基綠能科技股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。