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    一種同時提升室溫-高溫性能的Al-Cu合金及其制備方法技術

    技術編號:44517221 閱讀:0 留言:0更新日期:2025-03-07 13:11
    本發明專利技術提供了一種同時提升室溫?高溫性能的Al?Cu合金及其制備方法,屬于鋁銅合金技術領域。本發明專利技術通過引入Z(Z為Sc或/和Zr)元素形成Al<subgt;3</subgt;Z異質核心細化晶粒,并通過Q(Q為Sn、Cd或In)元素促進Cu?Q?空位團簇的形成,調控θ'?Al2Cu相的尺寸、分布均勻性及析出數密度。兩者協同作用顯著提升合金的室溫及熱暴露初期的高溫性能。Q元素在時效過程中促進X(X為Cr、Mn,或Cr和Mn)?Cu?空位團簇的形成,提高X元素在θ'?Al<subgt;2</subgt;Cu相中的富集;X元素在界面偏析并參與溶質配分效應,進一步增強熱穩定性。熱暴露后期,X和Z分別擴散至θ'?Al<subgt;2</subgt;Cu相的共格及半共格界面,降低粗化驅動力并產生溶質拖拽,抑制析出相尺寸增大,從而形成“序貫熱穩定化”效應。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術屬于鋁合金制造,具體涉及一種同時提升室溫-高溫性能的al-cu合金及其制備方法。


    技術介紹

    1、al-cu合金是典型的沉淀強化型鋁合金,其強化主要依賴于時效過程中形成的高數量密度且長厚比高的θ'-al2cu相。然而,當環境溫度大于200°c時,θ'-al2cu相會發生奧斯特瓦爾德熟化,使其數密度和長厚比顯著降低,強化效果減弱,從而導致合金性能明顯下降,嚴重制約了al-cu合金在高溫環境中的應用。

    2、目前,提高al-cu合金高溫性能的方法主要可歸為兩種:1)向合金中引入大體積分數的熱穩定第二相,如al2o3,tic,tib2等陶瓷相和al3sc,?al3zr,?al3ce等三鋁化合物,這些第二相在高溫熱暴露過程中不會發生粗化和溶解,可替代原有穩定性不佳的θ'-al2cu相提高al-cu合金的高溫穩定性;2)引入在al基體中擴散較慢的元素,如sc,zr,mn等,并使其偏析至θ'-al2cu/α-al界面處,從而降低θ'-al2cu相界面能,減弱奧斯特瓦爾德熟化的主要驅動力,起到減小θ'-al2cu粗化速率,提高其自身熱穩定性的效果。然而,引入的第二相只有在較大的體積分數下才可以起到有效的強化效果,其中陶瓷相由于與al基體錯配度較高而不可避免的會降低合金自身的塑性;三鋁化合物的析出和sc,zr,mn等元素在θ'-al2cu相表面的偏析則往往需要較高的處理溫度(>250°c),而al-cu合金的峰值時效溫度較低(<200°c),這會引起熱穩定化處理溫度與al-cu合金自身時效強化溫度的不匹配,在提高合金高溫性能的同時,帶來室溫性能下降的風險。


    技術實現思路

    1、本專利技術的目的在于克服上述現有技術的缺點,提供一種同時提升室溫-高溫性能的al-cu合金及其制備方法,以解決現有技術中al-cu合金難以同時滿足室溫性能和高溫性能的問題。

    2、為達到上述目的,本專利技術采用以下技術方案予以實現:

    3、一種同時提升室溫-高溫性能的al-cu合金,以質量分數計,包括3~7%的cu,0.3~0.6%的x,0.25~0.6%的z,0.1~0.4%的q,余量為al元素;所述x為cr、mn,或cr和mn;所述z為sc、zr,或sc和zr;q為sn、cd或in。

    4、本專利技術的進一步改進在于:

    5、優選的,以質量分數計包括:4.7%的cu,0.4%的cr,0.3%的zr,0.2%的cd,余量為al。

    6、一種上述的同時提升室溫-高溫性能的al-cu合金的制備方法,包括以下步驟:

    7、步驟1,稱量并混合原料,將原料置于熔煉爐中熔煉;所述原料包括al合金塊、cu合金、x合金、q合金以及z合金;

    8、步驟2,將熔融合金凝固后,獲得凝固件;

    9、步驟3,將凝固件依次通過固溶、水冷、時效和水冷后,獲得al-cu合金。

    10、優選的,步驟1中,所述al合金塊的純度≥99.99%,所述cu合金末、x合金、q合金以及z合金的純度均≥99%。

    11、優選的,步驟1中,所述cu合金、x合金、q合金以及z合金均為粉末;cu合金粉末的粒度為70~180μm,所述x合金粉末、q合金粉末以及z合金粉末的粒度均為110~180?μm。

    12、優選的,步驟1中,加熱過程分為三個階段。

    13、優選的,第一階段加熱溫度為700-750℃,靜置時間為0.5~1h,第二階段加熱溫度為700~800°c,靜置時間為1~2?h。

    14、優選的,第三階段加熱溫度為700~800°c,靜置時間為1~2?h。

    15、優選的,步驟3中,固溶溫度為530~540°,固溶時間為2~5?h。

    16、優選的,時效溫度為170~180°c,時效時間為8~12h。

    17、與現有技術相比,本專利技術具有以下有益效果:

    18、本專利技術提供了一種同時提高al-cu合金室-高溫性能的微合金化方法,該方法,通過引入z(z=sc或/和zr)元素,在凝固過程中形成al3z異質核心,實現晶粒細化;通過引入q(q=sn、cd或in)元素,在時效階段促進cu-q-空位團簇的形成,增強θ'-al2cu相的析出,優化其尺寸、分布均勻性及析出數密度。這一設計有效提升了合金的室溫性能,并顯著增強了熱暴露初期的高溫性能。此外,q元素在時效過程中進一步促進x-cu-空位團簇的形成,提高x元素在θ'-al2cu相中的富集程度,并通過溶質配分效應在θ'-al2cu粗化過程中提升其高溫穩定性。在熱暴露后期,x和z分別擴散并富集至θ'-al2cu相的共格與半共格界面,降低界面能并抑制粗化驅動力,形成“序貫熱穩定化”效應。該創新性微合金化策略旨在同步提升al-cu合金的室溫和高溫力學性能,通過顯著改善其在不同溫度條件下的強度和穩定性,進一步拓寬al-cu合金在航空航天等領域的應用潛力。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種同時提升室溫-高溫性能的Al-Cu合金,其特征在于,以質量分數計,包括3~7%的Cu,0.3~0.6%的X,0.25~0.6%的Z,0.1~0.4%的Q,余量為Al元素;所述X為Cr、Mn,或Cr和Mn;所述Z為Sc、Zr,或Sc和Zr;Q為Sn、Cd或In。

    2.根據權利要求1所述的一種同時提升室溫-高溫性能的Al-Cu合金,其特征在于,以質量分數計包括:4.7%的Cu,0.4%的Cr,0.3%的Zr,0.2%的Cd,余量為Al。

    3.一種權利要求1所述的同時提升室溫-高溫性能的Al-Cu合金的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

    4.根據權利要求3所述的同時提升室溫-高溫性能的Al-Cu合金的制備方法,其特征在于,步驟1中,所述Al合金塊的純度≥99.99%,所述Cu合金末、X合金、Q合金以及Z合金的純度均≥99%。

    5.根據權利要求3所述的同時提升室溫-高溫性能的Al-Cu合金的制備方法,其特征在于,步驟1中,所述Cu合金、X合金、Q合金以及Z合金均為粉末;Cu合金粉末的粒度為70~180μm,所述X合金粉末、Q合金粉末以及Z合金粉末的粒度均為110~180?μm。

    6.根據權利要求3所述的同時提升室溫-高溫性能的Al-Cu合金的制備方法,其特征在于,步驟1中,加熱過程分為三個階段。

    7.根據權利要求6所述的同時提升室溫-高溫性能的Al-Cu合金的制備方法,其特征在于,第一階段加熱溫度為700-750℃,靜置時間為0.5~1h,第二階段加熱溫度為700~800°C,靜置時間為1~2?h。

    8.根據權利要求6所述的同時提升室溫-高溫性能的Al-Cu合金的制備方法,其特征在于,第三階段加熱溫度為700~800°C,靜置時間為1~2?h。

    9.根據權利要求3所述的同時提升室溫-高溫性能的Al-Cu合金的制備方法,其特征在于,步驟3中,固溶溫度為530~540°,固溶時間為2~5?h。

    10.根據權利要求3所述的同時提升室溫-高溫性能的Al-Cu合金的制備方法,其特征在于,時效溫度為170~180°C,時效時間為8~12h。

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    【技術特征摘要】

    1.一種同時提升室溫-高溫性能的al-cu合金,其特征在于,以質量分數計,包括3~7%的cu,0.3~0.6%的x,0.25~0.6%的z,0.1~0.4%的q,余量為al元素;所述x為cr、mn,或cr和mn;所述z為sc、zr,或sc和zr;q為sn、cd或in。

    2.根據權利要求1所述的一種同時提升室溫-高溫性能的al-cu合金,其特征在于,以質量分數計包括:4.7%的cu,0.4%的cr,0.3%的zr,0.2%的cd,余量為al。

    3.一種權利要求1所述的同時提升室溫-高溫性能的al-cu合金的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

    4.根據權利要求3所述的同時提升室溫-高溫性能的al-cu合金的制備方法,其特征在于,步驟1中,所述al合金塊的純度≥99.99%,所述cu合金末、x合金、q合金以及z合金的純度均≥99%。

    5.根據權利要求3所述的同時提升室溫-高溫性能的al-cu合金的制備方法,其特征在于,步驟1中,所述cu合金、x合金、q合金以及z合金均為粉末;c...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:王振男鹿旭飛,車仕龍,林鑫楊海歐,劉建睿,
    申請(專利權)人:西北工業大學,
    類型:發明
    國別省市:

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