【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，特別是指一種硅片邊緣研磨方法和裝置。
技術介紹
1、對硅片進行加工的主要流程包括：對硅片進行線切割，對線切割后的硅片進行邊緣研磨，對邊緣研磨后的硅片進行雙面研磨，對雙面研磨后的硅片進行刻蝕處理，對刻蝕處理后的硅片進行雙面拋光，對雙面拋光后的硅片進行清洗處理，得到加工完成的硅片。
2、在上述的對線切割后的硅片進行邊緣研磨的工藝中，一般是設定好對硅片進行邊緣研磨后的半徑，之后獲取線切割后的硅片，利用硅片缺口(notch)對硅片進行定位，以硅片原有的圓心作為半徑，并根據設定好的對硅片進行邊緣研磨后的半徑對硅片進行邊緣研磨，研磨后對硅片進行清洗和干燥的操作。
3、但是由于在對硅片進行線切割后，靠近硅片邊緣處往往會存在一些崩邊缺陷，該崩邊缺陷按照上述的邊緣研磨工藝往往無法完全去除，這導致硅片在后續制程過程中會發生碎片。
4、因此，需要在對硅片進行邊緣研磨的過程中，將崩邊缺陷研磨掉，以保證后續的硅片的質量，但是按照現有的邊緣研磨方式，往往不能有效地研磨掉崩邊缺陷，導致該硅片被報廢，硅片的良品率低。
技術實現思路
1、本專利技術實施例提供一種硅片邊緣研磨方法和裝置，用以解決現有技術中對硅片進行邊緣研磨時，無法有效地研磨掉崩邊缺陷的問題。
2、為解決上述技術問題，本專利技術的實施例提供技術方案如下：
3、本專利技術實施例提供一種硅片邊緣研磨方法，包括：
4、對經過線切割后的硅片進行檢測，得到所述硅片的邊緣
5、根據所述崩邊缺陷的位置信息和尺寸信息，確定對所述硅片進行邊緣研磨的研磨中心；
6、根據所述研磨中心和目標半徑，對所述硅片進行邊緣研磨，其中，所述目標半徑為對所述硅片進行邊緣研磨后的硅片半徑。
7、一些實施例中，對經過線切割后的硅片進行檢測，得到所述硅片的邊緣區域的崩邊缺陷的位置信息和尺寸信息，包括：
8、利用激光束在所述線切割后的硅片的表面進行掃描，得到所述激光束在所述硅片表面的不同位置上的反射強度；
9、根據所述反射強度，得到所述硅片表面上的崩邊缺陷的位置信息和尺寸信息。
10、一些實施例中，利用激光束在所述線切割后的硅片的表面進行掃描，得到所述激光束在所述硅片表面的不同位置上的反射強度，包括：
11、控制所述硅片旋轉；
12、在所述硅片旋轉過程中，控制所述激光束由所述線切割后的硅片的表面圓心，沿徑向方向移動至所述線切割后的硅片的表面邊緣，得到所述激光束在所述硅片表面的不同位置上的反射強度。
13、一些實施例中，根據所述崩邊缺陷的位置信息和尺寸信息，確定對所述硅片進行邊緣研磨的研磨中心，包括：
14、根據所述位置信息和所述尺寸信息，確定所述崩邊缺陷上距離所述線切割后的硅片的表面圓心最近的第一位置坐標；
15、根據所述第一位置坐標確定對所述硅片進行邊緣研磨的研磨中心。
16、一些實施例中，根據所述第一位置坐標確定對所述硅片進行邊緣研磨的研磨中心，包括：
17、在所述崩邊缺陷的數量為兩個的情況下，獲取兩個所述崩邊缺陷中的第一崩邊缺陷對應的第一位置坐標和兩個所述崩邊缺陷中的第二崩邊缺陷對應的第一位置坐標；
18、根據所述第一崩邊缺陷對應的第一位置坐標和所述線切割后的硅片的表面半徑，確定第一預選中心坐標；
19、根據所述第二崩邊缺陷對應的第一位置坐標和所述線切割后的硅片的表面半徑，確定第二預選中心坐標；
20、根據所述第一預選中心坐標和所述第二預選中心坐標，確定對所述硅片進行邊緣研磨的研磨中心。
21、一些實施例中，根據所述第一位置坐標確定對所述硅片進行邊緣研磨的研磨中心，包括：
22、在所述崩邊缺陷的數量大于或等于3的情況下，根據所述位置信息和所述尺寸信息，確定所述崩邊缺陷中的第三崩邊缺陷、第四崩邊缺陷和中心崩邊缺陷；
23、獲取所述第三崩邊缺陷對應的第一位置坐標、所述第四崩邊缺陷對應的第一位置坐標和所述中心崩邊缺陷對應的第一位置坐標；
24、根據所述第三崩邊缺陷對應的第一位置坐標、所述第四崩邊缺陷對應的第一位置坐標、所述中心崩邊缺陷對應的第一位置坐標，確定對所述硅片進行邊緣研磨的研磨中心。
25、一些實施例中，根據所述位置信息和所述尺寸信息，確定所述崩邊缺陷中的第三崩邊缺陷、第四崩邊缺陷和中心崩邊缺陷，包括：
26、確定所述崩邊缺陷中，沿所述硅片的圓周的順時針方向上，距離所述硅片的缺口最近的崩邊缺陷為所述第三崩邊缺陷；
27、確定所述崩邊缺陷中，沿所述硅片的圓周的逆時針方向上，距離所述硅片的缺口最近的崩邊缺陷為所述第四崩邊缺陷；
28、確定所述崩邊缺陷中，沿所述硅片的圓周方向上，距離所述硅片的缺口最遠的崩邊缺陷為所述中心崩邊缺陷。
29、一些實施例中，根據所述第三崩邊缺陷對應的第一位置坐標、所述第四崩邊缺陷對應的第一位置坐標、所述中心崩邊缺陷對應的第一位置坐標，確定對所述硅片進行邊緣研磨的研磨中心，包括：
30、在所述第三崩邊缺陷對應的第一位置坐標和所述中心崩邊缺陷對應的第一位置坐標之間生成第一線段；
31、在所述第四崩邊缺陷對應的第一位置坐標和所述中心崩邊缺陷對應的第一位置坐標之間生成第二線段；
32、將所述第一線段的中垂線和所述第二線段的中垂線的交點作為對所述硅片進行邊緣研磨的研磨中心。
33、一些實施例中，根據所述研磨中心和目標半徑，對所述硅片進行邊緣研磨，包括：
34、根據所述位置信息和所述尺寸信息，確定所述崩邊缺陷上距離所述研磨中心最近的第二位置坐標；
35、在所述第二位置坐標與所述研磨中心之間的距離大于所述目標半徑的情況下，根據所述研磨中心和目標半徑，對所述硅片進行邊緣研磨。
36、本專利技術實施例還提供一種硅片邊緣研磨裝置，包括：
37、第一處理模塊，用于對經過線切割后的硅片進行檢測，得到所述硅片的邊緣區域的崩邊缺陷的位置信息和尺寸信息；
38、第一確定模塊，用于根據所述崩邊缺陷的位置信息和尺寸信息，確定對所述硅片進行邊緣研磨的研磨中心；
39、第二處理模塊，用于根據所述研磨中心和目標半徑，對所述硅片進行邊緣研磨，其中，所述目標半徑為對所述硅片進行邊緣研磨后的硅片半徑。
40、本專利技術的實施例具有以下有益效果：
41、本專利技術實施例提供的硅片邊緣研磨方法，對經過線切割后的硅片進行檢測，得到所述硅片的邊緣區域的崩邊缺陷的位置信息和尺寸信息，考慮崩邊缺陷的位置信息和尺寸信息，確定對硅片進行邊緣研磨時的研磨中心，該研磨中心并非是切割后的硅片的表面圓心，根據該研磨中心和預先設定對硅片進行研磨后的目標半徑，對硅片進行邊緣研磨，通過上述方式，可以在邊緣研磨的過程中，更加有效地研磨本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種硅片邊緣研磨方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對經過線切割后的硅片進行檢測，得到所述硅片的邊緣區域的崩邊缺陷的位置信息和尺寸信息，包括：
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，利用激光束在所述線切割后的硅片的表面進行掃描，得到所述激光束在所述硅片表面的不同位置上的反射強度，包括：
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，根據所述崩邊缺陷的位置信息和尺寸信息，確定對所述硅片進行邊緣研磨的研磨中心，包括：
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，根據所述第一位置坐標確定對所述硅片進行邊緣研磨的研磨中心，包括：
6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，根據所述第一位置坐標確定對所述硅片進行邊緣研磨的研磨中心，包括：
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，根據所述位置信息和所述尺寸信息，確定所述崩邊缺陷中的第三崩邊缺陷、第四崩邊缺陷和中心崩邊缺陷，包括：
8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，根據所述第三崩邊缺陷對應的第一位置坐標、所述第四崩邊缺
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，根據所述研磨中心和目標半徑，對所述硅片進行邊緣研磨，包括：
10.一種硅片邊緣研磨裝置，其特征在于，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種硅片邊緣研磨方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對經過線切割后的硅片進行檢測，得到所述硅片的邊緣區域的崩邊缺陷的位置信息和尺寸信息，包括：
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，利用激光束在所述線切割后的硅片的表面進行掃描，得到所述激光束在所述硅片表面的不同位置上的反射強度，包括：
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，根據所述崩邊缺陷的位置信息和尺寸信息，確定對所述硅片進行邊緣研磨的研磨中心，包括：
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，根據所述第一位置坐標確定對所述硅片進行邊緣研磨的研磨中心，包括：
6.根據權利要...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉成隆，王誠，
申請(專利權)人：西安奕斯偉材料科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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