【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案整體涉及智能卡設(shè)備/系統(tǒng)，并且更具體地，例如涉及用于可以經(jīng)由總線接口連接到外部設(shè)備的智能卡設(shè)備的系統(tǒng)和方法。相關(guān)技術(shù)描述多年來，卡技術(shù)已經(jīng)在零售、電子商務(wù)和銀行應(yīng)用中擴(kuò)展了實(shí)用性和安全性。從在傳統(tǒng)磁條上存儲(chǔ)銀行信息的簡(jiǎn)單信用卡到利用集成電路(ic)提供增強(qiáng)的安全性和無接觸交易的各種智能卡，卡設(shè)備已經(jīng)開始提供日益增加的功能性寬度。如今，智能卡可充當(dāng)帶有其自己的處理器/存儲(chǔ)器架構(gòu)的微型計(jì)算機(jī)以及/或者充當(dāng)安全存儲(chǔ)設(shè)備。然而，提供擴(kuò)展的特征同時(shí)保持卡適配在標(biāo)準(zhǔn)錢包中的常見形狀因數(shù)已經(jīng)提出阻礙卡的接受性和實(shí)用性的進(jìn)一步擴(kuò)展的挑戰(zhàn)。
技術(shù)介紹
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種卡設(shè)備，所述卡設(shè)備包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡設(shè)備，還包括設(shè)置在所述基底層的至少一部分上的至少一個(gè)設(shè)計(jì)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的卡設(shè)備，其中所述至少一個(gè)設(shè)計(jì)層的至少一部分形成圍繞所述插片構(gòu)件提供空間的殼體，其中所述殼體響應(yīng)于所述插頭聯(lián)接到所述插片構(gòu)件而機(jī)械地固定所述插頭。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的卡設(shè)備，其中所述至少一個(gè)設(shè)計(jì)層的至少一部分被成形為顯露所述插片構(gòu)件。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的卡設(shè)備，其中所述基底層和所述至少一個(gè)設(shè)計(jì)層的組合厚度符合選自ID-1、CR?80、ISO?7810或ISO?7816中的至少一者的物理尺寸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡設(shè)備，其中所述總線接口符合USB-C、Micro?USB或Lightning中的至少一者的電氣標(biāo)準(zhǔn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的卡設(shè)備，其中所述微處理器被配置為：
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡設(shè)備，其中所述插片構(gòu)件的特征在于(i)所述插片的一側(cè)上的凹口或(ii)所述插片的兩側(cè)上的凹口中的至少一者被成形為響應(yīng)于所述插頭聯(lián)接到所述插片構(gòu)件
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡設(shè)備，其中所述PCB的形成所述插片的一部分具有設(shè)置在環(huán)氧層壓材料層上的加強(qiáng)層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的卡設(shè)備，其中所述加強(qiáng)層由在洛氏硬度標(biāo)度上具有等于或大于鋁的硬度的金屬構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的卡設(shè)備，其中所述加強(qiáng)層設(shè)置在一側(cè)上的所述環(huán)氧層壓材料層和另一側(cè)上的另一環(huán)氧層壓材料層之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的卡設(shè)備，其中所述環(huán)氧層壓材料層是阻燃4(FR-4)樹脂。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡設(shè)備，其中所述插片構(gòu)件是邊緣電鍍的。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡設(shè)備，其中所述卡設(shè)備包括一個(gè)或多個(gè)彈簧夾，所述彈簧夾被構(gòu)造成響應(yīng)于所述插頭聯(lián)接到所述插片構(gòu)件而在所述插頭上提供保持力以機(jī)械地固定所述插頭。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡設(shè)備，其中：
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡設(shè)備，其中所述卡設(shè)備被配置為USB拇指驅(qū)動(dòng)器、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)、加密電子貨幣錢包或用于非同質(zhì)化代幣(NFT)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)裝置中的至少一者。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡設(shè)備，所述卡設(shè)備還包括：
18.一種制造卡設(shè)備的方法，所述方法包括：
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，所述方法還包括：
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述加強(qiáng)金屬層被構(gòu)造成電接地、電力平面或熱傳遞機(jī)構(gòu)中的至少一者。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述卡設(shè)備符合選自ID-1、CR?80、ISO?7810或ISO?7816中的至少一者的物理尺寸。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，所述方法還包括：
23.一種制造卡設(shè)備的方法，所述方法包括：
...【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來華專利技術(shù)】
1.一種卡設(shè)備，所述卡設(shè)備包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡設(shè)備，還包括設(shè)置在所述基底層的至少一部分上的至少一個(gè)設(shè)計(jì)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的卡設(shè)備，其中所述至少一個(gè)設(shè)計(jì)層的至少一部分形成圍繞所述插片構(gòu)件提供空間的殼體，其中所述殼體響應(yīng)于所述插頭聯(lián)接到所述插片構(gòu)件而機(jī)械地固定所述插頭。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的卡設(shè)備，其中所述至少一個(gè)設(shè)計(jì)層的至少一部分被成形為顯露所述插片構(gòu)件。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的卡設(shè)備，其中所述基底層和所述至少一個(gè)設(shè)計(jì)層的組合厚度符合選自id-1、cr?80、iso?7810或iso?7816中的至少一者的物理尺寸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡設(shè)備，其中所述總線接口符合usb-c、micro?usb或lightning中的至少一者的電氣標(biāo)準(zhǔn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的卡設(shè)備，其中所述微處理器被配置為：
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡設(shè)備，其中所述插片構(gòu)件的特征在于(i)所述插片的一側(cè)上的凹口或(ii)所述插片的兩側(cè)上的凹口中的至少一者被成形為響應(yīng)于所述插頭聯(lián)接到所述插片構(gòu)件而機(jī)械地固定所述插頭。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡設(shè)備，其中所述pcb的形成所述插片的一部分具有設(shè)置在環(huán)氧層壓材料層上的加強(qiáng)層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的卡設(shè)備，其中所述加強(qiáng)層由在洛氏硬度標(biāo)度上具有等于或大于鋁的硬度的金屬構(gòu)成。
11.根...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：M·H·克拉普曼，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：桑迪士克科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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