【技術實現步驟摘要】
本申請涉及基片臺，具體涉及一種基片臺及基片的生長方法。
技術介紹
1、近年來，單晶金剛石因其超優異性能，在諸多方面具有很好的發展前景，受到尖端半導體領域的廣泛關注，生長高質量單晶金剛石已成為金剛石材料推向應用端的主要方向，高質量單晶金剛石的生長技術也成為了當前金剛石材料
的研究熱點。微波等離子體化學氣相沉積(microwave?plasma?chemical?vapor?deposition，mpcvd)技術是目前制備高質量cvd單晶金剛石最理想的方法。在mpcvd方法沉積生長單晶金剛石過程中，所使用的基片臺結構以及所使用的生長方法對其生長速率和高質量有著重要的影響。
2、目前微波等離子體化學氣相沉積(mpcvd)技術中所使用的基片臺結構大多數仍然為傳統的開放式平臺結構，這主要是為了提升金剛石沉積速率。然而，開放式平臺結構基片臺是金剛石籽晶直接放置于基片臺平面上，籽晶的邊緣處通常會聚集等離子體，從而在邊緣處產生更高濃度的生長基團、更高的生長溫度及更高的生長速率，由于在沉積過程中等離子體微波放電的這種“邊緣效應”，導致金剛石籽晶表面溫度從邊緣到中心逐漸減小，籽晶表面的溫度差導致生長金剛石表面平整度差，且籽晶邊緣出現“多晶環”、缺陷和殘余應力，從而阻礙單晶金剛石的高質量生長。此外，開放式平臺結構基片臺上放置的金剛石籽晶在沉積過程中，容易受到腔體內氣體的擾動而發生移動，導致生長效率低。
技術實現思路
1、針對上述技術問題，本申請提供一種基片臺及基片的生長方法，能改善基片
2、第一方面，為解決上述技術問題，本申請提供了一種基片臺，用于容納基片，包括底座和至少一蓋板；
3、所述底座上設有至少一第一凹腔，所述第一凹腔的側壁具有與所述基片相抵接的部分；所述蓋板上設有至少一通孔，所述蓋板可更換地與所述底座配合，不同所述蓋板的厚度不同；所述蓋板與所述底座配合時，所述第一凹腔的投影位于所述通孔的投影邊緣的內部，所述蓋板的上表面高于所述基片的上表面。
4、在一實施方式中，所述第一凹腔的縱切面呈矩形，所述第一凹腔的底面設有第二凹腔，所述第二凹腔的開口面積小于所述第一凹腔的開口面積。
5、在一實施方式中，所述第一凹腔的開口和所述第二凹腔的開口均呈圓形，所述基片呈矩形，所述第一凹腔的直徑與所述基片的對角線長度相匹配，所述第二凹腔的直徑小于或等于所述基片的邊長。
6、在一實施方式中，所述第一凹腔的縱切面呈梯形，所述第一凹腔的開口面積大于所述第一凹腔的底面面積，所述第一凹腔的開口和底面均呈圓形，所述基片呈矩形，所述第一凹腔的開口的直徑大于所述基片的對角線長度，所述第一凹腔的底面的直徑小于所述基片的對角線長度。
7、在一實施方式中，所述蓋板與所述底座配合時，所述蓋板的上表面與所述基片的上表面的高度差為1.0mm～1.8mm。
8、在一實施方式中，所述通孔的直徑與所述第一凹腔的直徑之差為1.6mm～3mm。
9、在一實施方式中，所述底座設有第一限位部，所述蓋板設有第二限位部，所述蓋板與所述底座配合時，所述第一限位部與所述第二限位部相匹配。
10、在一實施方式中，所述第一限位部為沿所述底座上緣設置的環形凹槽，所述第二限位部為沿所述蓋板下緣設置的環形凸邊。
11、在一實施方式中，所述環形凹槽上設有至少一限位凸臺，所述環形凸邊上設有至少一限位凹口，所述蓋板與所述底座配合時，所述限位凸臺與所述限位凹口相匹配。
12、在一實施方式中，所述第一限位部為沿所述底座上緣設置的環形凸邊，所述第二限位部為沿所述蓋板下緣設置的環形凹槽。
13、第二方面，本申請還提供一種基片的生長方法，應用如上所示的基片臺，包括以下步驟：
14、s1.提供如第一方面所述的基片臺；
15、在所述基片臺的底座的第一凹腔內放置基片，所述第一凹腔的側壁與所述基片至少部分相抵接；
16、s2.在所述底座上方蓋上蓋板，所述第一凹腔的投影位于所述蓋板上通孔的投影邊緣的內部，所述蓋板的上表面高于所述基片的上表面；
17、s3.進行所述基片的生長；
18、s4.根據所述基片所處的生長階段，更換不同厚度的所述蓋板，使更換后的蓋板的上表面高于所述基片的上表面；
19、s5.所述基片的生長厚度達到預設值時，停止所述基片的生長。
20、在一實施方式中，所述s5步驟之后，還包括：
21、對所述基片臺進行階梯性降溫保溫處理，以完成所述基片的生長。
22、在一實施方式中，所述s3步驟之前，還包括：
23、將所述基片臺放入mpcvd設備，設定所述mpcvd設備的微波功率為30kw～40kw，腔體壓力為10kpa～15kpa；
24、通入工藝氣體使所述基片生長。
25、本申請的基片臺及基片的生長方法，基片臺用于容納基片，包括底座和至少一蓋板；底座上設有至少一第一凹腔，第一凹腔的側壁具有與基片相抵接的部分；蓋板上設有至少一通孔，蓋板可更換地與底座配合，不同蓋板的厚度不同；蓋板與底座配合時，第一凹腔的投影位于通孔的投影邊緣的內部，蓋板的上表面高于基片的上表面。基片的生長方法包括：在第一凹腔內放置基片后，在底座上方蓋上蓋板，蓋板的上表面高于基片的上表面；通入工藝氣體使基片生長；根據基片所處的生長階段，更換不同厚度的蓋板，使更換后的蓋板的上表面高于基片的上表面；基片的生長厚度達到預設值時，停止通入工藝氣體。本申請通過第一凹腔與通孔的配合結構形成容納基片的半封閉式空間，并能根據基片的生長階段調整蓋板的厚度，改善了基片的生長狀態，提高基片的生長質量。
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1.一種基片臺，用于容納基片，其特征在于，包括底座和至少一蓋板；
2.根據權利要求1所述的基片臺，其特征在于，所述第一凹腔的縱切面呈矩形，所述第一凹腔的底面設有第二凹腔，所述第二凹腔的開口面積小于所述第一凹腔的開口面積。
3.根據權利要求2所述的基片臺，其特征在于，所述第一凹腔的開口和所述第二凹腔的開口均呈圓形，所述基片呈矩形，所述第一凹腔的直徑與所述基片的對角線長度相匹配，所述第二凹腔的直徑小于或等于所述基片的邊長。
4.根據權利要求1所述的基片臺，其特征在于，所述蓋板與所述底座配合時，所述蓋板的上表面與所述基片的上表面的高度差為1.0mm～1.8mm。
5.根據權利要求1所述的基片臺，其特征在于，所述底座設有第一限位部，所述蓋板設有第二限位部，所述蓋板與所述底座配合時，所述第一限位部與所述第二限位部相匹配。
6.根據權利要求5所述的基片臺，其特征在于，所述第一限位部為沿所述底座上緣設置的環形凹槽，所述第二限位部為沿所述蓋板下緣設置的環形凸邊。
7.根據權利要求6所述的基片臺，其特征在于，所述環形凹槽上設有
8.一種基片的生長方法，其特征在于，包括以下步驟：
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述S5步驟之后，還包括：
10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述S3步驟，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種基片臺，用于容納基片，其特征在于，包括底座和至少一蓋板；
2.根據權利要求1所述的基片臺，其特征在于，所述第一凹腔的縱切面呈矩形，所述第一凹腔的底面設有第二凹腔，所述第二凹腔的開口面積小于所述第一凹腔的開口面積。
3.根據權利要求2所述的基片臺，其特征在于，所述第一凹腔的開口和所述第二凹腔的開口均呈圓形，所述基片呈矩形，所述第一凹腔的直徑與所述基片的對角線長度相匹配，所述第二凹腔的直徑小于或等于所述基片的邊長。
4.根據權利要求1所述的基片臺，其特征在于，所述蓋板與所述底座配合時，所述蓋板的上表面與所述基片的上表面的高度差為1.0mm～1.8mm。
5.根據權利要求1所述的基片臺，其特征在于，所述底座...
【專利技術屬性】
技術研發人員：彭祖軍，何申偉，黃雪潤，龐體強，楊家樂，潘鵬，
申請(專利權)人：錢塘科技創新中心，
類型：發明
國別省市：
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