【技術實現(xiàn)步驟摘要】
技術介紹
1、本公開整體涉及收發(fā)器的混頻器，并且更具體地涉及補償混頻器處的溫度變化。
2、收發(fā)器的混頻器可包括多個晶體管(例如，充當開關)。該多個晶體管中的每個晶體管可耦合到阻抗。例如，每個晶體管可以接收本地振蕩信號的正同相分量或負同相分量或正正交分量或負正交分量。然而，由于晶體管之間的現(xiàn)實(例如，制造和/或工藝)差異，晶體管的開關閾值電壓可能失配，從而導致混頻器中的二階非線性。雖然可使用校準電路(例如，包括耦合到晶體管的電阻器梯(resistor?ladder))來校準失配晶體管的補償值，但晶體管的閾值電壓以及偏置電壓可隨溫度而變化。此外，混頻器可能會經(jīng)歷跨溫度的性能快速下降。因此，可能期望減小由混頻器跨越溫度的操作引起的二階截點(iip2)變化。
技術實現(xiàn)思路
1、下面闡述了本文所公開的某些實施方案的概要。應當理解，呈現(xiàn)這些方面僅僅是為了向讀者提供這些特定實施方案的簡明概要，并且這些方面不旨在限制本公開的范圍。實際上，本公開可以涵蓋可能未在下面闡述的多個方面。
2、在一個實施方案中，電子設備包括一個或多個天線和耦合到該一個或多個天線的混頻器。該混頻器包括：多個晶體管；校準電路，該校準電路耦合到該多個晶體管；副本混頻器(replica?mixer)電路，該副本混頻器電路耦合到該校準電路，該副本混頻器電路包括第一晶體管和第一電壓緩沖器；以及溫度補償電路，該溫度補償電路耦合到該校準電路。
3、在另一個實施方案中，接收器包括低噪聲放大器和耦合到該低
4、在又一個實施方案中，該混頻器包括多個晶體管和耦合到該多個晶體管的校準電路，該校準電路被配置為校準該多個晶體管中的至少一個晶體管的共模電壓、閾值電壓或兩者。該混頻器還包括耦合到該校準電路的副本混頻器電路，該副本混頻器電路被配置為生成參考電壓以施加到校準電路，該參考電壓隨溫度而變化。
5、關于本公開的各個方面，可以存在對上述特征的各種改進。其他特征也可被結合在這些各個方面中。這些改進和附加特征可以單獨地或以任何組合存在。例如，下面關于所例示實施方案中的一個或多個實施方案所討論的各種特征可單獨地或以任何組合被結合到本公開的上述方面中的任何一個方面中。上面所呈現(xiàn)的簡要概要僅旨在使讀者熟悉本公開的實施方案的某些方面和上下文，而不限制所要求保護的主題。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術保護點】
1.一種電子設備，所述電子設備包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的電子設備，其中所述副本混頻器電路包括第二電壓緩沖器，所述第一晶體管在反饋回路中耦合到所述第二電壓緩沖器和所述第一電壓緩沖器。
3.根據(jù)權利要求2所述的電子設備，其中所述第一晶體管的柵極耦合到所述第一電壓緩沖器的輸出，所述第一晶體管的漏極耦合到電源，并且所述第一晶體管的源極耦合到電流源和所述第一電壓緩沖器。
4.根據(jù)權利要求2所述的電子設備，其中第二晶體管的柵極耦合到所述第二電壓緩沖器，所述第二晶體管的漏極耦合到所述校準電路，并且所述第二晶體管的源極耦合到電源。
5.根據(jù)權利要求1所述的電子設備，其中所述溫度補償電路包括偏置電流源、上拉電流源和下拉電流源。
6.根據(jù)權利要求5所述的電子設備，其中所述偏置電流源和所述上拉電流源耦合到電源。
7.根據(jù)權利要求5所述的電子設備，其中所述上拉電流源、所述下拉電流源、所述偏置電流源、所述第一晶體管的漏極和所述第一晶體管的柵極耦合在一起。
8.一種接收器，所述接收器包括：
9.根據(jù)權利要求
10.根據(jù)權利要求9所述的接收器，其中所述第一電壓緩沖器被配置為從共模電壓源接收所述共模電壓并且將所述共模電壓提供給所述第一晶體管。
11.根據(jù)權利要求9所述的接收器，其中所述第一晶體管被配置為接收柵極-源極電壓，所述柵極-源極電壓包括所述共模電壓、所述閾值電壓和過驅動電壓的總和。
12.根據(jù)權利要求11所述的混頻器，其中所述第二電壓緩沖器被配置為從所述第一晶體管接收所述柵極-源極電壓并且將所述參考電壓提供給耦合到所述校準電路的第二晶體管。
13.根據(jù)權利要求12所述的混頻器，其中所述參考電壓與所述柵極-源極電壓成比例。
14.根據(jù)權利要求11所述的混頻器，其中所述溫度補償電路包括上拉電流源和下拉電流源，所述上拉電流源和所述下拉電流源各自被配置
15.根據(jù)權利要求14所述的混頻器，其中所述上拉電流源被配置為與所述PTAT電流源成比例，并且所述下拉電流源被配置為與恒定電流源成比例，并且其中所述溫度補償電路被配置為將所述上拉電流源施加到所述校準電路的電阻器梯。
16.根據(jù)權利要求14所述的混頻器，其中所述上拉電流源被配置為與恒定電流源成比例，并且所述下拉電流源被配置為與所述PTAT電流源成比例，并且其中所述溫度補償電路被配置為將所述下拉電流源施加到所述校準電路的電阻器梯。
17.一種混頻器，所述混頻器包括：
18.根據(jù)權利要求17所述的混頻器，其中所述參考電壓隨所述共模電壓、所述閾值電壓或兩者而變化。
19.根據(jù)權利要求17所述的混頻器，其中所述校準電路被配置為基于所述參考電壓生成偏置電壓，并且將所述偏置電壓施加到所述混頻器。
20.根據(jù)權利要求17所述的混頻器，所述混頻器包括耦合到所述校準電路的溫度補償電路，所述溫度補償電路被配置為基于失配變化百分比而生成溫度系數(shù)以施加到所述校準電路中的電流。
21.一種電子設備，所述電子設備包括：
22.根據(jù)權利要求21所述的電子設備，其中所述一個或多個處理器被配置為接收ADC時鐘的分諧波。
23.根據(jù)權利要求22所述的電子設備，其中所述一個或多個處理器被配置為接收所述第一相位集合與所述第二相位集合之間的最接近的相量。
24.根據(jù)權利要求23所述的電子設備，其中所述一個或多個處理器被配置為基于與所述ADC時鐘的所述分諧波最接近的相量來旋轉所述第二變換。
25.根據(jù)權利要求21所述的電子設備，其中所述第一變換和所述第二變換包括快速傅立葉變換(FFT)。
26.根據(jù)權利要求21所述的電子設備，其中所述一個或多個處理器被配置為在所述混頻器處接收所述二階互調產(chǎn)物的拍頻。
27.根據(jù)權利要求26所述的電子設備，其中所述一個或多個處理器被配置為接收ADC時鐘的對應于所述拍頻的分諧波。
28.根據(jù)權利要求21所述的電子設備，其中所述一個或多個處理器被配置為旋轉所述第二變換以將所述第二相位集合與所述第一相位集合對準。
29.一種方法，所述方法包括：
30.根據(jù)權利要求29所述的方法，其中經(jīng)由所述處理電路生成所述補償值包括經(jīng)由所述處理電路對所述ADC功率樣本集合進行平均。
31.根據(jù)權利要求29所述的方法，...
【技術特征摘要】
1.一種電子設備，所述電子設備包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的電子設備，其中所述副本混頻器電路包括第二電壓緩沖器，所述第一晶體管在反饋回路中耦合到所述第二電壓緩沖器和所述第一電壓緩沖器。
3.根據(jù)權利要求2所述的電子設備，其中所述第一晶體管的柵極耦合到所述第一電壓緩沖器的輸出，所述第一晶體管的漏極耦合到電源，并且所述第一晶體管的源極耦合到電流源和所述第一電壓緩沖器。
4.根據(jù)權利要求2所述的電子設備，其中第二晶體管的柵極耦合到所述第二電壓緩沖器，所述第二晶體管的漏極耦合到所述校準電路，并且所述第二晶體管的源極耦合到電源。
5.根據(jù)權利要求1所述的電子設備，其中所述溫度補償電路包括偏置電流源、上拉電流源和下拉電流源。
6.根據(jù)權利要求5所述的電子設備，其中所述偏置電流源和所述上拉電流源耦合到電源。
7.根據(jù)權利要求5所述的電子設備，其中所述上拉電流源、所述下拉電流源、所述偏置電流源、所述第一晶體管的漏極和所述第一晶體管的柵極耦合在一起。
8.一種接收器，所述接收器包括：
9.根據(jù)權利要求8所述的接收器，其中所述副本混頻器電路包括第一晶體管、第一電壓緩沖器和第二電壓緩沖器，所述第一晶體管在反饋回路中耦合到所述第一電壓緩沖器并且耦合到所述第二電壓緩沖器。
10.根據(jù)權利要求9所述的接收器，其中所述第一電壓緩沖器被配置為從共模電壓源接收所述共模電壓并且將所述共模電壓提供給所述第一晶體管。
11.根據(jù)權利要求9所述的接收器，其中所述第一晶體管被配置為接收柵極-源極電壓，所述柵極-源極電壓包括所述共模電壓、所述閾值電壓和過驅動電壓的總和。
12.根據(jù)權利要求11所述的混頻器，其中所述第二電壓緩沖器被配置為從所述第一晶體管接收所述柵極-源極電壓并且將所述參考電壓提供給耦合到所述校準電路的第二晶體管。
13.根據(jù)權利要求12所述的混頻器，其中所述參考電壓與所述柵極-源極電壓成比例。
14.根據(jù)權利要求11所述的混頻器，其中所述溫度補償電路包括上拉電流源和下拉電流源，所述上拉電流源和所述下拉電流源各自被配置
15.根據(jù)權利要求14所述的混頻器，其中所述上拉電流源被配置為與所述ptat電流源成比例，并且所述下拉電流源被配置為與恒定電流源成比例，并且其中所述溫度補償電路被配置為將所述上拉電流源施加到所述校準電路的電阻器梯。
16.根據(jù)權利要求14所述的混頻器，其中所述上拉電流源被配置為與恒定電流源成比例，并且所述下拉電流源被配置為與所述ptat電流源成比例，并且其中所述溫度補償電路被配置為將所述下拉電流源施加到所述校準電路的電阻器梯。
17.一種混頻器，所述混頻器包括：
18.根據(jù)權利要求17所述的混頻器，其中所述參考電壓隨所述共模電壓、所述閾值電壓或兩者而變化。
19.根據(jù)權利要求17所述的混頻器，其中所述校準電路被配置為基于所述參考電壓生成偏置電壓，并且將所述偏置電壓施加到所述混頻器。
20.根據(jù)權利要求17所述的混頻器，所述混頻器包括耦合到所...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：孔龍，盧詩南，U·塞克欽，
申請(專利權)人：蘋果公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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