【技術實現步驟摘要】
本公開涉及場效應高電子遷移率晶體管（hemt）器件及其制造過程。
技術介紹
1、已知其中導電溝道基于異質結處、即具有不同帶隙的半導體材料之間的界面處具有高遷移率的二維電子氣（2deg）層的形成的hemt器件。例如，已知hemt器件基于氮化鋁鎵（algan）層與氮化鎵（gan）層之間的異質結。
2、基于algan/gan異質結或異質結構的hemt器件提供了使其特別適合并廣泛應用于不同應用的多種優勢。例如，hemt器件的高擊穿閾值用于高性能功率開關；導電溝道中的高電子遷移率允許獲得高頻放大器；而且，2deg中的高電子濃度允許獲得低導通電阻（ron）。此外，用于射頻（rf）應用的hemt器件通常比類似的硅ldmos器件提供更好的rf性能。
3、一些hemt器件可以包括凹陷柵極。但是，用于形成凹陷柵極的過程可能導致對敏感層的損壞。這可能導致器件功能不良或甚至器件無法工作。
4、背景部分中討論的所有主題不一定都是現有技術，并且不應當僅因為其在背景部分中討論就假設為現有技術。因此，除非明確說明是現有技術，否則背景部分中討論的或與此類主題相關的現有技術中存在的問題的任何認識都不應當被視為現有技術。代替地，背景部分中對任何主題的討論都應當被視為專利技術人解決特定問題的方法的一部分，而這本身也可以具有專利技術性。
技術實現思路
1、本公開的實施例提供了一種具有凹陷柵極而不損壞hemt器件的敏感區域的hemt器件。本公開的實施例實現第一外延生長過程以生長hemt的第
2、在一個實施例中，一種方法包括用第一外延生長過程沉積hemt的背阻擋層，并在背阻擋層上沉積鈍化層。該方法包括通過對鈍化層進行圖案化在背阻擋層上形成鈍化殘留物，并通過在存在鈍化殘留物的情況下執行第二外延生長過程在背阻擋層上沉積hemt的溝道層和阻擋層。該方法包括通過去除鈍化殘留物在溝道層中形成凹部，并在凹部中形成hemt的柵極電極。
3、在一個實施例中，一種方法包括用第一外延生長過程沉積高電子遷移率晶體管（hemt）的背阻擋層，以及用第一外延生長過程在背阻擋層上沉積hemt的溝道層的第一部分。該方法包括在溝道層的第一部分上沉積鈍化層，并通過對鈍化層進行圖案化在溝道層的第一部分上形成鈍化殘留物。該方法包括通過在存在鈍化殘留物的情況下執行第二外延生長過程在溝道層的第一部分上沉積溝道層的第二部分和hemt的阻擋層，去除鈍化殘留物，并在凹部中形成hemt的柵極電極。
4、在一個實施例中，一種方法包括在第一外延生長過程中形成氮化鎵層并在氮化鎵層上形成電介質結構。該方法包括在形成電介質結構之后在第二外延生長過程中在存在電介質結構的情況下，在氮化鎵層上形成hemt的溝道層，其中溝道層的側壁與電介質結構鄰接。該方法包括在形成溝道層之后去除電介質結構并在電介質結構的位置形成hemt的柵極電極。
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1.一種方法，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，包括在去除所述鈍化殘留物之前在所述阻擋層上沉積電介質帽層。
3.根據權利要求2所述的方法，其中，形成所述柵極電極包括：
4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一外延生長過程在半導體基板上形成氮化鋁層，在所述氮化鋁層上形成超晶格，在所述超晶格上形成摻雜有碳的氮化鎵的第一層，并在所述氮化鎵的第一層上形成所述背阻擋層。
5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述背阻擋層是氮化鎵的第二層。
6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述背阻擋層摻雜有鎂。
7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述溝道層是氮化鎵的第三層。
8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述阻擋層是氮化鋁鎵。
9.根據權利要求1所述的方法，包括形成與所述溝道層接觸的所述HEMT的源極電極和所述HEMT的漏極電極。
10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述漏極電極比所述源極電極距離所述柵極電極更遠。
11.一種方法，包括：
12.根據權利要求
13.根據權利要求12所述的方法，其中，形成所述柵極電極包括：
14.根據權利要求11所述的方法，其中，去除所述鈍化殘留物包括執行濕蝕刻。
15.根據權利要求11所述的方法，其中，所述溝道層的第一部分和所述溝道層的第二部分是氮化鎵。
16.根據權利要求15所述的方法，其中，所述溝道層的第一部分和所述溝道層的第二部分包括本征氮化鎵。
17.根據權利要求11所述的方法，包括形成與所述溝道層接觸的所述HEMT的源極電極和所述HEMT的漏極電極。
18.一種方法，包括：
19.根據權利要求18所述的方法，其中形成所述電介質結構包括在所述氮化鎵層上沉積電介質層并對所述電介質層進行圖案化。
20.根據權利要求19所述的方法，其中，所述溝道層包括氮化鎵。
...【技術特征摘要】
1.一種方法，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，包括在去除所述鈍化殘留物之前在所述阻擋層上沉積電介質帽層。
3.根據權利要求2所述的方法，其中，形成所述柵極電極包括：
4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一外延生長過程在半導體基板上形成氮化鋁層，在所述氮化鋁層上形成超晶格，在所述超晶格上形成摻雜有碳的氮化鎵的第一層，并在所述氮化鎵的第一層上形成所述背阻擋層。
5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述背阻擋層是氮化鎵的第二層。
6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述背阻擋層摻雜有鎂。
7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述溝道層是氮化鎵的第三層。
8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述阻擋層是氮化鋁鎵。
9.根據權利要求1所述的方法，包括形成與所述溝道層接觸的所述hemt的源極電極和所述hemt的漏極電極。
10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述漏極電極比所述源極電極距離...
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