【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本公開屬于顯示，具體涉及一種顯示基板。
技術(shù)介紹
1、隨著amoled(active-matrix?organic?light?emitting?diode，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板)顯示產(chǎn)品逐漸向高分辨率、高亮度等方向發(fā)展，需要更高的光取出效率。但是由于oled顯示產(chǎn)品中發(fā)光部件發(fā)出的光線需要穿過許多膜層才能進(jìn)入外部環(huán)境，這些膜層之間存在折射率差異，導(dǎo)致部分光線在這些膜層中發(fā)生反射而造成光損失。為了提升oled產(chǎn)品的發(fā)光亮度，目前主流技術(shù)是在基板制備過程中引入mla(microlens?array，微透鏡陣列)技術(shù)，通過將反射面制備成凹面鏡從而提升光取出效果。但是如何形成規(guī)則的凹面形狀面臨諸多的技術(shù)挑戰(zhàn)，一種常見的技術(shù)手段是將層間介質(zhì)層刻蝕形成許多規(guī)則密排的凹坑，然后順勢(shì)沉積構(gòu)圖后的陽極也具有凹面形狀，后續(xù)依次形成的發(fā)光層和陰極等都具有凹面狀，因此會(huì)對(duì)發(fā)光層發(fā)出的光線具有很好的發(fā)散作用，從而顯著提升光取出效果，進(jìn)而顯著提升顯示產(chǎn)品的顯示質(zhì)量。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本公開旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提供一種能夠顯著提升光取出效果的同時(shí)，避免出現(xiàn)暗點(diǎn)不良等問題的顯示基板。
2、第一方面，本公開提供了一種顯示基板，其包括襯底基板，設(shè)置在所述襯底基板上的層間介質(zhì)層和像素單元，所述像素單元包括形成在所述層間介質(zhì)層上的多個(gè)內(nèi)凹微結(jié)構(gòu)，以及位于所述層間介質(zhì)層背離襯底基板一側(cè)的發(fā)光器件；其特征在于，
3、對(duì)于至少一個(gè)所述像素單元，相鄰設(shè)置的多個(gè)所述內(nèi)凹微結(jié)構(gòu)
4、優(yōu)選的是，每個(gè)所述內(nèi)凹微結(jié)構(gòu)和與之最近的兩個(gè)所述內(nèi)凹微結(jié)構(gòu)限定出所述第一區(qū)域。
5、優(yōu)選的是，相鄰設(shè)置的所述內(nèi)凹微結(jié)構(gòu)之間的所述第一區(qū)域的寬度大于或者等于1微米。
6、優(yōu)選的是，所述像素單元還包括電連接所述發(fā)光器件的所述第一電極的像素驅(qū)動(dòng)電路，所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管。
7、優(yōu)選的是，所述像素單元還包括遮光層，所述遮光層設(shè)置在所述薄膜晶體管的有源層靠近所述襯底基板的一側(cè)，且所述遮光層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述薄膜晶體管的所述有源層在所述襯底基板上的正投影。
8、優(yōu)選的是，所述像素單元中的薄膜晶體管包括驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電連接所述發(fā)光器件的所述第一電極和所述遮光層。
9、優(yōu)選的是，顯示基板還包括設(shè)置在所述層間介質(zhì)層靠近所述襯底基板一側(cè)的色阻層，所述色阻層在所述襯底基板上的正投影，與所述內(nèi)凹微結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影之間至少部分交疊
10、第二方面，本公開還提供一種顯示裝置，其包括上述的顯示基板。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種顯示基板，其包括襯底基板，設(shè)置在所述襯底基板上的層間介質(zhì)層和像素單元，所述像素單元包括形成在所述層間介質(zhì)層上的多個(gè)內(nèi)凹微結(jié)構(gòu)，以及位于所述層間介質(zhì)層背離襯底基板一側(cè)的發(fā)光器件；其特征在于，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，每個(gè)所述內(nèi)凹微結(jié)構(gòu)和與之最近的兩個(gè)所述內(nèi)凹微結(jié)構(gòu)限定出所述第一區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，相鄰設(shè)置的所述內(nèi)凹微結(jié)構(gòu)之間的所述第一區(qū)域的寬度大于或者等于1微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述像素單元還包括電連接所述發(fā)光器件的所述第一電極的像素驅(qū)動(dòng)電路，所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板，其特征在于，所述像素單元還包括遮光層，所述遮光層設(shè)置在所述薄膜晶體管的有源層靠近所述襯底基板的一側(cè)，且所述遮光層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述薄膜晶體管的所述有源層在所述襯底基板上的正投影。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板，其特征在于，所述像素單元中的薄膜晶體管包括驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，還包括設(shè)置在所述層間介質(zhì)層靠近所述襯底基板一側(cè)的色阻層，所述色阻層在所述襯底基板上的正投影，與所述內(nèi)凹微結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影之間至少部分交疊。
8.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的顯示基板。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種顯示基板，其包括襯底基板，設(shè)置在所述襯底基板上的層間介質(zhì)層和像素單元，所述像素單元包括形成在所述層間介質(zhì)層上的多個(gè)內(nèi)凹微結(jié)構(gòu)，以及位于所述層間介質(zhì)層背離襯底基板一側(cè)的發(fā)光器件；其特征在于，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，每個(gè)所述內(nèi)凹微結(jié)構(gòu)和與之最近的兩個(gè)所述內(nèi)凹微結(jié)構(gòu)限定出所述第一區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，相鄰設(shè)置的所述內(nèi)凹微結(jié)構(gòu)之間的所述第一區(qū)域的寬度大于或者等于1微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述像素單元還包括電連接所述發(fā)光器件的所述第一電極的像素驅(qū)動(dòng)電路，所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉寧，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：京東方科技集團(tuán)股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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