【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本技術涉及半導體制造，尤其涉及一種用于濕法清洗、刻蝕的設備。
技術介紹
1、晶圓在進行工藝處理中會有很多個濕法清洗/刻蝕的步驟。化學蝕刻法(又稱濕法刻蝕)利用化學溶液直接對工件未被保護的部位進行化學腐蝕，通常采用化學清洗/蝕刻裝置對晶圓進行清洗/刻蝕。單片式清洗/刻蝕機臺一般通過旋轉刻蝕的方法，晶圓處于高速旋轉狀態(tài)，輸送管路用于輸送清洗/刻蝕的化學溶液，通過噴嘴將化學溶液噴射到晶圓上，但往往存在清洗不徹底或者刻蝕不均勻的情況。而且，化學溶液經(jīng)過輸送管路到達噴嘴處會存在熱量流失，使得溫度達不到設定值，導致刻蝕速率低或者清洗功能達不到需求，均勻性與產(chǎn)能達不到需求。
2、有鑒于此，有必要提出一種用于濕法清洗、刻蝕的設備以解決上述問題。
技術實現(xiàn)思路
1、本技術的目的在于提供一種用于濕法清洗、刻蝕的設備，用以改善現(xiàn)有的化學清洗/蝕刻裝置往往存在清洗不徹底或刻蝕不均勻的問題。
2、本技術提供了一種用于濕法清洗、刻蝕的設備，包括：輸液管路、箱體、加熱裝置以及噴淋裝置；所述輸液管路一端連接化學溶液供給裝置且另一端連接所述箱體，所述化學溶液供給裝置通過所述輸液管路向所述箱體內輸送化學溶液；所述加熱裝置用于對所述箱體內的化學溶液進行加熱；所述噴淋裝置與所述箱體連接且用于向晶圓噴淋經(jīng)加熱后的化學溶液。
3、在一種可能的實施例中，所述設備還包括監(jiān)測裝置和控制器；所述監(jiān)測裝置設于工藝腔室內且用于實時檢測噴淋的化學溶液溫度；所述控制器與所述監(jiān)測裝置和所述加熱裝置控制連接，
4、在一種可能的實施例中，所述監(jiān)測裝置包括設于所述工藝腔室內的紅外發(fā)射器和紅外接收器，所述紅外發(fā)射器和所述紅外接收器對應所述化學溶液的噴淋位置設置，所述紅外發(fā)射器發(fā)射的紅外光線經(jīng)所述噴淋的化學溶液部分吸收后，被所述紅外接收器接收；所述控制器還用于根據(jù)所述紅外光線被所述化學溶液吸收的情況，計算出所述噴淋的化學溶液溫度。
5、在一種可能的實施例中，所述紅外發(fā)射器為若干個且間隔設置，所述紅外接收器為若干個且與所述紅外發(fā)射器一一對應設置。
6、在一種可能的實施例中，所述噴淋裝置包括設于所述晶圓放置位置上方的至少一個噴霧型噴嘴，所述噴霧型噴嘴的噴射范圍可調；所述監(jiān)測裝置還用于實時檢測噴霧濃度；所述控制器還用于根據(jù)所述噴霧濃度調節(jié)所述噴霧型噴嘴的噴射范圍和噴射量。
7、在一種可能的實施例中，所述噴霧型噴嘴為若干個且呈陣列、均勻間隔分布，以覆蓋所述晶圓放置位置。
8、在一種可能的實施例中，所述噴淋裝置還包括噴淋座，所述噴淋座的頂端設有一進液口且底端間隔地設有若干個出液口，所述進液口和所述出液口之間形成通道；每個所述出液口處設置一所述噴霧型噴嘴。
9、在一種可能的實施例中，所述設備還包括一端連接氣體供給裝置且另一端連接所述箱體的輸氣管路，所述氣體供給裝置通過所述輸氣管路向所述箱體內輸送惰性氣體。
10、在一種可能的實施例中，所述加熱裝置可以為電熱絲、電熱板或電加熱管；和/或，所述加熱裝置靠近所述箱體設置或與所述箱體外壁相貼。
11、在一種可能的實施例中，所述設備還包括中空且密閉的殼體，所述殼體罩設于所述加熱裝置和所述箱體外。
12、在一種可能的實施例中，所述設備還包括設于所述輸液管路上的回吸閥，所述回吸閥用于在停止噴淋時，對所述化學溶液進行回吸。
13、本技術提供的用于濕法清洗、刻蝕的設備的有益效果在于：在所述噴淋裝置和所述輸液管路之間設置所述箱體存儲化學溶液，利用所述加熱裝置對所述箱體內的化學溶液進行加熱，以使所述噴淋裝置向晶圓噴淋的化學溶液達到設定溫度值，以保障化學反應的速率，避免產(chǎn)生刻蝕不均勻或清洗不徹底的情況。
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1.一種用于濕法清洗、刻蝕的設備，其特征在于，包括：輸液管路、箱體、加熱裝置以及噴淋裝置；
2.根據(jù)權利要求1所述的用于濕法清洗、刻蝕的設備，其特征在于，還包括監(jiān)測裝置和控制器；
3.根據(jù)權利要求2所述的用于濕法清洗、刻蝕的設備，其特征在于，所述監(jiān)測裝置包括設于所述工藝腔室內的紅外發(fā)射器和紅外接收器，所述紅外發(fā)射器和所述紅外接收器對應所述化學溶液的噴淋位置設置，所述紅外發(fā)射器發(fā)射的紅外光線經(jīng)所述噴淋的化學溶液部分吸收后，被所述紅外接收器接收；
4.根據(jù)權利要求3所述的用于濕法清洗、刻蝕的設備，其特征在于，所述紅外發(fā)射器為若干個且間隔設置，所述紅外接收器為若干個且與所述紅外發(fā)射器一一對應設置。
5.根據(jù)權利要求2所述的用于濕法清洗、刻蝕的設備，其特征在于，所述噴淋裝置包括設于所述晶圓放置位置上方的至少一個噴霧型噴嘴，所述噴霧型噴嘴的噴射范圍可調；
6.根據(jù)權利要求5所述的用于濕法清洗、刻蝕的設備，其特征在于，所述噴霧型噴嘴為若干個且呈陣列、均勻間隔分布，以覆蓋所述晶圓放置位置。
7.根據(jù)權利要求5或6所述的用于
8.根據(jù)權利要求1-6中任一項所述的用于濕法清洗、刻蝕的設備，其特征在于，還包括一端連接氣體供給裝置且另一端連接所述箱體的輸氣管路，所述氣體供給裝置通過所述輸氣管路向所述箱體內輸送惰性氣體。
9.根據(jù)權利要求1-6中任一項所述的用于濕法清洗、刻蝕的設備，其特征在于，所述加熱裝置可以為電熱絲、電熱板或電加熱管；和/或，
10.根據(jù)權利要求1-6中任一項所述的用于濕法清洗、刻蝕的設備，其特征在于，還包括設于所述輸液管路上的回吸閥，所述回吸閥用于在停止噴淋時，對所述化學溶液進行回吸。
...【技術特征摘要】
1.一種用于濕法清洗、刻蝕的設備，其特征在于，包括：輸液管路、箱體、加熱裝置以及噴淋裝置；
2.根據(jù)權利要求1所述的用于濕法清洗、刻蝕的設備，其特征在于，還包括監(jiān)測裝置和控制器；
3.根據(jù)權利要求2所述的用于濕法清洗、刻蝕的設備，其特征在于，所述監(jiān)測裝置包括設于所述工藝腔室內的紅外發(fā)射器和紅外接收器，所述紅外發(fā)射器和所述紅外接收器對應所述化學溶液的噴淋位置設置，所述紅外發(fā)射器發(fā)射的紅外光線經(jīng)所述噴淋的化學溶液部分吸收后，被所述紅外接收器接收；
4.根據(jù)權利要求3所述的用于濕法清洗、刻蝕的設備，其特征在于，所述紅外發(fā)射器為若干個且間隔設置，所述紅外接收器為若干個且與所述紅外發(fā)射器一一對應設置。
5.根據(jù)權利要求2所述的用于濕法清洗、刻蝕的設備，其特征在于，所述噴淋裝置包括設于所述晶圓放置位置上方的至少一個噴霧型噴嘴，所述噴霧型噴嘴的噴射范圍可調；
6.根據(jù)權利要求5...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：劉浩，李琪，
申請(專利權)人：芯恩青島集成電路有限公司，
類型：新型
國別省市：
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