【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及太陽能電池，尤其涉及一種背接觸太陽能電池及其制備方法、電池組件、光伏系統。
技術介紹
1、隨著topcon電池效率逐漸接近理論效率極限，人們開始探索更優的工藝路線，其中結合背接觸結構的tbc太陽能電池逐漸備受關注。由于電極設置于電池背光面，可以有效降低短路電流損失，具有廣闊的應用前景。然而現有的背接觸太陽能電池中，通常接觸電阻較大，降低了背接觸電池的電池效率。
2、現有技術中有通過多層不同類型的導電層來接觸不同電極實現對應的低接觸電阻，但電池制備過程繁瑣，成本高、無法量產。此外還有通過設計新的背接觸太陽能電池結構來縮短載流子收集路徑從而優化接觸電阻，然而其結構加工復雜，不利于量產實現。以及通過設計多孔隧穿氧化層來降低接觸電阻，但要精確控制超薄隧穿氧化層上孔洞排布，難度較大，因此需要提供一種可降低接觸電阻的背接觸太陽能電池，且制備方法簡易，易于工業生產。
技術實現思路
1、本專利技術旨在至少一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。為此，本專利技術提供了一種背接觸太陽能電池及其制備方法，該疊層太陽能電池可降低接觸電阻，提高光電轉換效率，且制備簡單，易于量產。
2、為此，本專利技術第一方面提供了一種背接觸太陽能電池，包括：
3、半導體基底，所述半導體基底具有相對的受光面和背光面，所述半導體基底的背光面包括第一區域、第二區域和間隔區，所述間隔區將所述第一區域與第二區域間隔開；
4、依次層疊設置在所述第一區域上的隧穿氧化層、第一摻
5、依次層疊設置在所述第二區域上的隧穿氧化層、第二摻雜層和金屬層；
6、所述第一摻雜層與第二摻雜層的極性相反。
7、為解決現有技術中存在的不足，本專利技術通過在第二摻雜層上設置金屬層作為電極漿料接觸停止層，改善了接觸界面，降低接觸電阻，提高光電轉換效率。
8、根據本專利技術的實施例，所述金屬層包括多個間隔排列的結構單元；
9、和/或，相鄰所述結構單元的距離為500-1000μm。由此進一步降低金屬層對光的吸收或反射。
10、根據本專利技術的實施例，所述隧穿氧化層的厚度為1.1-1.5nm；
11、和/或，所述第一摻雜層的厚度為200-500nm；
12、和/或，所述第二摻雜層的厚度為200-500nm；
13、和/或，所述金屬層的厚度為30-100nm。
14、根據本專利技術的實施例，所述第一摻雜層與第二摻雜層的極性相反。
15、根據本專利技術的實施例，所述第一摻雜層為p型摻雜多晶硅層，所述第二摻雜層為n型摻雜多晶硅層。
16、根據本專利技術的實施例，所述金屬層的材質選自鋁、銀硅合金、鋁硅合金中的至少一種。
17、根據本專利技術的實施例，所述背接觸太陽能電池還包括減反射層，所述減反射層設置于所述第一摻雜層遠離所述背光面的一側、間隔區表面以及所述金屬層的一側。
18、本專利技術第二方面提供了一種第一方面所述的背接觸太陽能電池的制備方法，包括：
19、提供半導體基底，所述半導體基底具有相對的受光面和背光面，在所述背光面依次形成隧穿氧化層、第一摻雜層和氧化層，所述半導體基底的背光面包括第一區域、第二區域和間隔區；
20、去除所述第一摻雜層和氧化層中所述第二區域和間隔區對應的部分，使得所述第二區域和間隔區暴露所述隧穿氧化層；
21、在所述半導體基底的背光面依次形成第二摻雜層和金屬層；
22、去除所述金屬層和第二摻雜層在所述第一區域和間隔區對應的部分，去除所述隧穿氧化層中所述間隔區對應的部分，使得所述間隔區暴露所述半導體基底，所述第一區域和第二區域形成物理隔離，去除剩余的所述氧化層。
23、本專利技術提供的背接觸太陽能電池的制備方法較為簡單，只需在原有制備工藝中額外制備金屬層，其作為電極漿料接觸停止層，改善了摻雜層與電極的接觸界面，得到的背接觸太陽能電池的接觸電阻較低，光電轉換效率得到提升。
24、根據本專利技術的實施例，所述氧化層為psg或bsg。
25、根據本專利技術的實施例，所述制備方法還包括：去除剩余的所述氧化層，對位于所述第二區域上的金屬層進行圖案化處理，使得所述金屬層形成多個間隔排列的結構單元。
26、根據本專利技術的實施例，所述制備方法還包括：去除所述剩余的氧化層后，在所述半導體基底的背光面形成減反射層。
27、本專利技術第三方面提供了一種電池組件，包括第一方面所述的背接觸太陽能電池。
28、本專利技術第四方面提供了一種光伏系統，包括第三方面所述的電池組件或根據第二方面所述的制備方法得到的背接觸太陽能電池。
29、本專利技術的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本專利技術的實踐了解到。
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1.一種背接觸太陽能電池，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，所述金屬層包括多個間隔排列的結構單元；
3.根據權利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，所述隧穿氧化層的厚度為1.1-1.5nm；
4.根據權利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，所述第一摻雜層包括P型摻雜多晶硅層，所述第二摻雜層包括N型摻雜多晶硅層。
5.根據權利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，所述金屬層的材質包括鋁、銀硅合金、鋁硅合金中的至少一種。
6.根據權利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，所述背接觸太陽能電池還包括減反射層，所述減反射層設置于所述第一摻雜層遠離所述背光面的一側、間隔區表面以及所述金屬層的一側。
7.一種權利要求1-6任一項所述的背接觸太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：
8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述氧化層為PSG或BSG。
9.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：去除剩余的所述氧化
10.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：去除所述剩余的氧化層后，在所述半導體基底的背光面形成減反射層。
11.一種電池組件，其特征在于，包括權利要求1-6任一項所述的背接觸太陽能電池或根據權利要求7-10任一項所述的制備方法得到的背接觸太陽能電池。
12.一種光伏系統，其特征在于，包括權利要求11所述的電池組件。
...【技術特征摘要】
1.一種背接觸太陽能電池，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，所述金屬層包括多個間隔排列的結構單元；
3.根據權利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，所述隧穿氧化層的厚度為1.1-1.5nm；
4.根據權利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，所述第一摻雜層包括p型摻雜多晶硅層，所述第二摻雜層包括n型摻雜多晶硅層。
5.根據權利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，所述金屬層的材質包括鋁、銀硅合金、鋁硅合金中的至少一種。
6.根據權利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，所述背接觸太陽能電池還包括減反射層，所述減反射層設置于所述第一摻雜層遠離所述背光面的一側、間隔區表面以及所述金屬層的一側。
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【專利技術屬性】
技術研發人員：仇翔，柳偉，吳魁藝，陳達明，
申請(專利權)人：天合光能股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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