【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本公開涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
技術(shù)介紹
1、近年來，半導(dǎo)體集成電路行業(yè)經(jīng)歷了快速發(fā)展。半導(dǎo)體封裝器件通常要經(jīng)過芯片制造和芯片封裝兩部分加工過程，因此，芯片自身的特性以及封裝件結(jié)構(gòu)的優(yōu)劣都直接決定了半導(dǎo)體封裝器件產(chǎn)品最終的性能。隨著摩爾定律放緩，晶體管微縮尺寸逐漸接近物理極限，通過晶圓制造工藝將多個芯片集成在一個大芯片上的先進(jìn)封裝成為提升芯片算力和性能的重要發(fā)展方向。其中，使用中介層對不同芯片進(jìn)行集成的2.5d先進(jìn)封裝技術(shù)發(fā)展尤為突出，已經(jīng)在高性能計算芯片、圖形芯片等領(lǐng)域有大量應(yīng)用。
2、但是，2.5d先進(jìn)封裝在實現(xiàn)較高的集成度以及較好的功能拓展性的同時，也帶了散熱性較差的問題，由于小芯片之間的緊密互連和堆疊，集成后的芯片內(nèi)部熱量無法高效、快速地散出，導(dǎo)致芯片整體計算性能降低，甚至導(dǎo)致芯片因過熱受損實效，因此，現(xiàn)有的2.5d先進(jìn)封裝的散熱性能仍有待加強。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本公開提供一種封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
2、第一方面，本公開提供了一種封裝結(jié)構(gòu)，包括：基板；
3、中介層，位于所述基板上；所述中介層包括相對的第一表面和第二表面；所述第二表面面向所述基板；
4、至少一個芯片，位于所述第一表面上；
5、第一散熱結(jié)構(gòu)，位于所述中介層中并從所述第二表面顯露；
6、第一導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)，位于所述中介層中并連接所述芯片和所述第一散熱結(jié)構(gòu)。
7、在一些實施例中，所述中介層包括中心區(qū)域和環(huán)繞所述
8、互連結(jié)構(gòu)，位于所述中介層中并位于所述中心區(qū)域內(nèi)；所述互連結(jié)構(gòu)用于在多個所述芯片之間傳輸信號，和/或，所述互連結(jié)構(gòu)用于在所述芯片和所述基板之間傳輸信號；
9、所述第一散熱結(jié)構(gòu)位于所述外圍區(qū)域內(nèi)。
10、在一些實施例中，所述第一散熱結(jié)構(gòu)環(huán)繞所述中心區(qū)域。
11、在一些實施例中，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括：
12、第二散熱結(jié)構(gòu)，位于所述第一表面上且位于所述外圍區(qū)域內(nèi)；
13、第二導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)，位于所述中介層中并連接所述第一散熱結(jié)構(gòu)和所述第二散熱結(jié)構(gòu)。
14、在一些實施例中，所述第二散熱結(jié)構(gòu)環(huán)繞所述中心區(qū)域。
15、在一些實施例中，所述芯片包括電路結(jié)構(gòu)和位于所述電路結(jié)構(gòu)邊緣的第三導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)；所述第三導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)連接所述第一導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)。
16、第二方面，本公開提供了一種封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，所述制造方法包括：
17、提供中介層；所述中介層包括相對的第一表面和第二表面；
18、在所述中介層中形成第一散熱結(jié)構(gòu)和第一導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)；其中，所述第一散熱結(jié)構(gòu)從所述第二表面顯露，所述第一導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)連接所述第一散熱結(jié)構(gòu)并從所述第一表面顯露；
19、將至少一個芯片固定在所述第一表面上；所述芯片與所述第一導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)連接；
20、提供基板，并將所述中介層固定在所述基板上；所述第二表面面向所述基板。
21、在一些實施例中，所述中介層包括中心區(qū)域和環(huán)繞所述中心區(qū)域的外圍區(qū)域；所述制造方法還包括：
22、在所述中心區(qū)域內(nèi)的所述中介層中形成互連結(jié)構(gòu)；所述互連結(jié)構(gòu)用于在多個所述芯片之間傳輸信號，和/或，所述互連結(jié)構(gòu)用于在所述芯片和所述基板之間傳輸信號；
23、所述在所述中介層中形成第一散熱結(jié)構(gòu)，包括：
24、在所述外圍區(qū)域內(nèi)的所述中介層中形成所述第一散熱結(jié)構(gòu)；所述第一散熱結(jié)構(gòu)環(huán)繞所述中心區(qū)域。
25、在一些實施例中，所述制造方法還包括：
26、在所述外圍區(qū)域內(nèi)的所述第一表面上形成第二散熱結(jié)構(gòu)；所述第二散熱結(jié)構(gòu)環(huán)繞所述中心區(qū)域；
27、在所述中介層中形成第二導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)；所述第二導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)連接所述第一散熱結(jié)構(gòu)和所述第二散熱結(jié)構(gòu)。
28、在一些實施例中，所述制造方法還包括：
29、在所述芯片的電路結(jié)構(gòu)的邊緣形成第三導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)；
30、所述將至少一個芯片固定在所述第一表面上，還包括：
31、將至少一個芯片固定在所述第一表面上，并連接所述第三導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)與所述第一導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)。
32、本公開實施例中，芯片位于中介層的第一表面上，第一散熱結(jié)構(gòu)通過第一導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)連接芯片，且第一散熱結(jié)構(gòu)從第二表面顯露。如此，一方面，第一導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)和第一散熱結(jié)構(gòu)有利于芯片的散熱，從而提高封裝結(jié)構(gòu)的可靠性；另一方面，第一導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)和第一散熱結(jié)構(gòu)均位于中介層內(nèi)，封裝結(jié)構(gòu)的體積較小，有利于提高封裝結(jié)構(gòu)的集成度。
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1.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述中介層包括中心區(qū)域和環(huán)繞所述中心區(qū)域的外圍區(qū)域；所述封裝結(jié)構(gòu)還包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一散熱結(jié)構(gòu)環(huán)繞所述中心區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二散熱結(jié)構(gòu)環(huán)繞所述中心區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片包括電路結(jié)構(gòu)和位于所述電路結(jié)構(gòu)邊緣的第三導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)；所述第三導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)連接所述第一導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)。
7.一種封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述中介層包括中心區(qū)域和環(huán)繞所述中心區(qū)域的外圍區(qū)域；所述制造方法還包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法還包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法還包括：
【技術(shù)特征摘要】
1.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述中介層包括中心區(qū)域和環(huán)繞所述中心區(qū)域的外圍區(qū)域；所述封裝結(jié)構(gòu)還包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一散熱結(jié)構(gòu)環(huán)繞所述中心區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二散熱結(jié)構(gòu)環(huán)繞所述中心區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：夏凱睿，王逸群，謝冬，任小寧，
申請(專利權(quán))人：湖北星辰技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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