【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體設備中的加熱噴淋盤機構，尤其涉及一種噴淋盤溫控機構及其薄膜沉積設備、控制方法。
技術介紹
1、低溫pecvd(低溫等離子化學氣相沉積)s?i?h4工藝是一種低溫pecvd沉積薄膜方法，低溫一般指沉積溫度低于200℃，多使用加熱盤對晶圓進行加熱，并將多余熱量通過加熱盤的柄部散發控溫。現有的控溫方式使用流體流過部件的方法，對所需要冷卻的部件進行冷卻。但是流體攜帶熱量會隨著流動逐漸散失，溫度逐漸下降，導致散熱效果不佳。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于克服現有技術的不足，提供一種噴淋盤溫控機構及其薄膜沉積設備、控制方法，以解決現有噴淋盤散熱效果不佳的技術問題。
2、為實現上述目的，本專利技術采用以下技術方案：
3、第一方面，本專利技術的實施例提供了一種噴淋盤溫控機構，其包括：加熱噴淋盤，連接于所述加熱噴淋盤的壓力控制單元和液位控制單元；所述加熱噴淋盤內設有回流腔和冷卻腔，所述回流腔位于所述冷卻腔上方，且所述回流腔與所述冷卻腔相互連通，所述壓力控制單元用于控制所述回流腔內的壓力，所述液位控制單元用于控制所述冷卻腔內的液位。
4、其中，所述加熱噴淋盤包括：回流管和連接于所述回流管下端的噴淋盤，所述回流腔設置于所述回流管內，所述冷卻腔設置于所述噴淋盤內；所述回流管的頂部還設有散熱部，所述散熱部用于冷凝氣化后的冷卻液。
5、其中，所述冷卻腔內填充有冷卻液，所述冷卻液包括乙醇或氟化液。
6、其中，所述散熱部為凸伸
7、其中，所述加熱噴淋盤的底部設有噴淋面，所述噴淋面上設有噴淋孔，所述冷卻腔為與所述噴淋面棱廓相同的柱型腔。
8、其中，所述回流管為圓形管，所述圓形管的頂部為密封連接于回流管的散熱部，所述圓形管連接于所述加熱噴淋盤的頂部中心。
9、第二方面，本專利技術的實施例提供了一種薄膜沉積設備，所述薄膜沉積設備包括如上任意一項所述的噴淋盤溫控機構。
10、第三方面，本專利技術的實施例提供了一種噴淋盤溫度的控制方法，該控制方法由如上任意一項所述的噴淋盤溫控機構執行，其包括以下步驟：
11、根據溫度控制要求，設置加熱噴淋盤內的回流腔的壓力值；
12、啟動加熱噴淋盤開始向工藝腔室噴淋工藝氣體；
13、實時監測回流腔內的壓力值；
14、根據檢測的回流腔內的壓力值控制對回流腔加壓或泄壓。
15、其中，所述步驟根據溫度控制要求，設置加熱噴淋盤內的回流腔的壓力值還包括：同步設定冷卻腔內的冷卻液的液位高度值。
16、其中，所述步驟實時監測回流腔內的壓力值還包括：同步檢測冷卻腔內的冷卻液的液位高度值，并根據檢測的液位高度值控制向冷卻腔輸入或排出冷卻液。
17、本專利技術的噴淋盤溫控機構及其薄膜沉積設備、控制方法，其通過外部的壓力控制單元和液位控制單元針對特定的溫度控制要求，控制加熱噴淋盤內部的壓力值和冷卻液的液位高度，利用冷卻液汽化潛熱的方式控制噴淋盤的溫度，其冷卻效率高，溫度控制精度高，有利于加熱噴淋盤保持設定溫度閾值，最終提高薄膜沉積質量。
18、上述說明僅是本專利技術技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本專利技術技術手段，可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本專利技術的上述和其它目的、特征及優點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，詳細說明如下。
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1.一種噴淋盤溫控機構，其特征在于，包括：加熱噴淋盤，連接于所述加熱噴淋盤的壓力控制單元和液位控制單元；所述加熱噴淋盤內設有回流腔和冷卻腔，所述回流腔位于所述冷卻腔上方，且所述回流腔與所述冷卻腔相互連通，所述壓力控制單元用于控制所述回流腔內的壓力，所述液位控制單元用于控制所述冷卻腔內的液位。
2.根據權利要求1所述的噴淋盤溫控機構，其特征在于，所述加熱噴淋盤包括：回流管和連接于所述回流管下端的噴淋盤，所述回流腔設置于所述回流管內，所述冷卻腔設置于所述噴淋盤內；所述回流管的頂部還設有散熱部，所述散熱部用于冷凝氣化后的冷卻液。
3.根據權利要求2所述的噴淋盤溫控機構，其特征在于，所述冷卻腔內填充有冷卻液，所述冷卻液包括乙醇或氟化液。
4.根據權利要求2所述的噴淋盤溫控機構，其特征在于，所述散熱部為凸伸于所述回流管頂端面的若干散熱鰭片。
5.根據權利要求4所述的噴淋盤溫控機構，其特征在于，所述加熱噴淋盤的底部設有噴淋面，所述噴淋面上設有噴淋孔，所述冷卻腔為與所述噴淋面棱廓相同的柱型腔。
6.根據權利要求5所述的噴淋盤溫控機構，
7.一種薄膜沉積設備，其特征在于，所述薄膜沉積設備包括如權利要求1至6任意一項所述的噴淋盤溫控機構。
8.一種噴淋盤溫度的控制方法，該控制方法由如權利要求1至6任意一項所述的噴淋盤溫控機構執行，其特征在于，包括以下步驟：
9.根據權利要求8所述的噴淋盤溫度的控制方法，其特征在于，所述步驟根據溫度控制要求，設置加熱噴淋盤內的回流腔的壓力值還包括：同步設定冷卻腔內的冷卻液的液位高度值。
10.根據權利要求9所述的噴淋盤溫度的控制方法，其特征在于，所述步驟實時監測回流腔內的壓力值還包括：同步檢測冷卻腔內的冷卻液的液位高度值，并根據檢測的液位高度值控制向冷卻腔輸入或排出冷卻液。
...【技術特征摘要】
1.一種噴淋盤溫控機構，其特征在于，包括：加熱噴淋盤，連接于所述加熱噴淋盤的壓力控制單元和液位控制單元；所述加熱噴淋盤內設有回流腔和冷卻腔，所述回流腔位于所述冷卻腔上方，且所述回流腔與所述冷卻腔相互連通，所述壓力控制單元用于控制所述回流腔內的壓力，所述液位控制單元用于控制所述冷卻腔內的液位。
2.根據權利要求1所述的噴淋盤溫控機構，其特征在于，所述加熱噴淋盤包括：回流管和連接于所述回流管下端的噴淋盤，所述回流腔設置于所述回流管內，所述冷卻腔設置于所述噴淋盤內；所述回流管的頂部還設有散熱部，所述散熱部用于冷凝氣化后的冷卻液。
3.根據權利要求2所述的噴淋盤溫控機構，其特征在于，所述冷卻腔內填充有冷卻液，所述冷卻液包括乙醇或氟化液。
4.根據權利要求2所述的噴淋盤溫控機構，其特征在于，所述散熱部為凸伸于所述回流管頂端面的若干散熱鰭片。
5.根據權利要求4所述的噴淋盤溫控機構，其特征在于，所述加熱噴淋盤的底部設有噴...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張曉玉，趙吉蛟，野沢俊久，朱家寬，黃東，
申請(專利權)人：拓荊創益沈陽半導體設備有限公司，
類型：發明
國別省市：
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