【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及集成電路光刻，特別涉及一種顯影方法。
技術介紹
1、集成電路光刻是半導體制造過程中的一個關鍵步驟，主要包括涂膠、曝光、顯影和刻蝕等過程。其中，顯影是將晶圓上曝光后的光刻膠進行化學處理，以去除未曝光區域或者曝光區域的光刻膠，形成與掩模版圖案相同的光刻膠圖形。
2、顯影液的主要成分為四甲基氫氧化銨，在晶圓經過黃光顯影站點時，通過顯影機將顯影液均勻地噴灑在旋轉的晶圓表面，促使顯影液與對應區域的光刻膠發生酸堿中和反應，從而得到線寬、外觀等均符合工藝要求的產品。
3、由于顯影液為強堿性混合溶液，與光刻膠反應后產生的溶液屬于危廢料。然而，目前的顯影過程往往需要使用大量的顯影液以保證充分顯影，由此產生的危廢料較多，使得危廢料的處理費用較大。
技術實現思路
1、基于此，本專利技術的目的是提供一種顯影方法，旨在優化顯影過程，在保證晶圓得到充分顯影時降低顯影液的使用量。
2、為實現上述目的，本專利技術采用的技術方案如下：
3、本專利技術提供了一種顯影方法，包括如下步驟：
4、提供一曝光完成的晶圓；
5、使用去離子水對所述晶圓的涂膠面進行預潤濕；
6、將設定溫度的顯影液多次均勻噴灑在旋轉的所述晶圓的涂膠面上，直至去除所述晶圓上對應區域的光刻膠；
7、實時檢測所述晶圓上的顯影液量是否小于預設值；
8、若是，則對所述晶圓的涂膠面補噴所述顯影液。
9、進一步地，所述將設定溫度的
10、在第一時間段內將所述顯影液均勻噴灑在所述晶圓的涂膠面上；
11、在第二時間段內將所述顯影液均勻噴灑在所述晶圓的涂膠面上；
12、在第三時間段內將所述顯影液均勻噴灑在所述晶圓的涂膠面上。
13、進一步地，所述在第一時間段內將所述顯影液均勻噴灑在所述晶圓的涂膠面上的步驟具體包括：
14、以預設流量在所述晶圓的涂膠面上進行第一子時間段的噴灑所述顯影液的操作，其中，所述晶圓的轉速為40rad/min～80rad/min；
15、將所述晶圓的轉速降低為8rad/min～12rad/min，并持續第二子時間段；
16、將所述晶圓的轉速提高為640rad/min～960rad/min，并持續第三子時間段；
17、其中，所述第二子時間段大于所述第一子時間段和所述第三子時間段。
18、進一步地，所述在第二時間段內將所述顯影液均勻噴灑在所述晶圓的涂膠面上的步驟具體包括：
19、以預設流量在所述晶圓的涂膠面上進行第四子時間段的噴灑所述顯影液的操作，其中，所述晶圓的轉速為40rad/min～80rad/min；
20、將所述晶圓的轉速降低為8rad/min～12rad/min，并持續第五子時間段；
21、將所述晶圓的轉速提高為640rad/min～960rad/min，并持續第六子時間段；
22、其中，所述第五子時間段大于所述第四子時間段和所述第六子時間段。
23、進一步地，所述在第三時間段內將所述顯影液均勻噴灑在所述晶圓的涂膠面上的步驟具體包括：
24、以預設流量在所述晶圓的涂膠面上進行第七子時間段的噴灑所述顯影液的操作，其中，所述晶圓的轉速為40rad/min～80rad/min；
25、將所述晶圓的轉速降低為8rad/min～12rad/min，并持續第八子時間段；
26、將所述晶圓的轉速降低為4rad/min～6rad/min，并持續第九子時間段；
27、將所述晶圓的轉速提高為8rad/min～12rad/min，并持續第十子時間段；
28、其中，所述第八子時間段、所述第九子時間段以及所述第十子時間段均大于所述第七子時間段。
29、進一步地，以400ml/min～450ml/min的流量在所述晶圓的涂膠面上進行3s的均勻噴灑和補噴。
30、進一步地，所述第二子時間段為20s，所述第三子時間段為5s。
31、進一步地，所述第五子時間段為20s，所述第六子時間段為5s。
32、進一步地，所述第八子時間段為20s，所述第九子時間段為15s，所述第十子時間段為10s。
33、進一步地，所述顯影液的溫度為19℃～23℃。
34、本專利技術的有益效果至少包括：先通過去離子水對晶圓進行預先潤濕，有助于提高后續顯影液在晶圓表面的附著性能，提高顯影液分布的均勻性，使得后續顯影液能夠更好地與光刻膠反應。同時，在噴涂顯影液時，嚴格控制顯影液的溫度，通過進行少量多次的噴淋顯影液的方式，可以使顯影液更加均勻地分布在光刻膠表面，減少局部顯影不均的現象，確保顯影效果的一致性。此外，在顯影過程中，通過實時檢測顯影液的量，保證顯影液充分覆蓋晶圓的涂膠面，從而保障有足夠的顯影液與曝光區域或者非曝光區域的的光刻膠充分反應。如此，在保證顯影液與對應區域的光刻膠充分反應的同時，可以減少顯影液的總體使用量，避免過噴而產生大量的危廢料，降低成本。
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1.一種顯影方法，其特征在于，所述顯影方法包括：
2.根據權利要求1所述的顯影方法，其特征在于，所述將設定溫度的顯影液多次均勻噴灑在所述晶圓的涂膠面上，直至去除所述晶圓上對應區域的光刻膠的步驟具體包括：
3.根據權利要求2所述的顯影方法，其特征在于，所述在第一時間段內將所述顯影液均勻噴灑在所述晶圓的涂膠面上的步驟具體包括：
4.根據權利要求3所述的顯影方法，其特征在于，所述在第二時間段內將所述顯影液均勻噴灑在所述晶圓的涂膠面上的步驟具體包括：
5.根據權利要求4所述的顯影方法，其特征在于，所述在第三時間段內將所述顯影液均勻噴灑在所述晶圓的涂膠面上的步驟具體包括：
6.根據權利要求3至5任一項所述的顯影方法，其特征在于，以400ml/min～450ml/min的流量在所述晶圓的涂膠面上進行3s的均勻噴灑和補噴。
7.根據權利要求6所述的顯影方法，其特征在于，所述第二子時間段為20s，所述第三子時間段為5s。
8.根據權利要求7所述的顯影方法，其特征在于，所述第五子時間段為20s，所述第六子時間段為5
9.根據權利要求8所述的顯影方法，其特征在于，所述第八子時間段為20s，所述第九子時間段為15s，所述第十子時間段為10s。
10.根據權利要求1所述的顯影方法，其特征在于，所述顯影液的溫度為19℃～23℃。
...【技術特征摘要】
1.一種顯影方法，其特征在于，所述顯影方法包括：
2.根據權利要求1所述的顯影方法，其特征在于，所述將設定溫度的顯影液多次均勻噴灑在所述晶圓的涂膠面上，直至去除所述晶圓上對應區域的光刻膠的步驟具體包括：
3.根據權利要求2所述的顯影方法，其特征在于，所述在第一時間段內將所述顯影液均勻噴灑在所述晶圓的涂膠面上的步驟具體包括：
4.根據權利要求3所述的顯影方法，其特征在于，所述在第二時間段內將所述顯影液均勻噴灑在所述晶圓的涂膠面上的步驟具體包括：
5.根據權利要求4所述的顯影方法，其特征在于，所述在第三時間段內將所述顯影液均勻噴灑在所述晶圓的涂膠面上的步驟具體包括：...
【專利技術屬性】
技術研發人員：曹丹丹，康龍，趙曉明，董國慶，文國昇，金從龍，
申請(專利權)人：江西兆馳半導體有限公司，
類型：發明
國別省市：
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