【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及集成電路領域，具體涉及一種包含限流電阻和電容陣列的相位插值器。
技術介紹
1、寄存時鐘驅動器（register?clock?driver，rcd）芯片，作為集成電路的關鍵組件，其根本職能在于為源自內存控制器的地址、指令及控制信號實施必要的緩沖與放大處理。此過程保障了信號在傳送至動態(tài)隨機存取存儲器（dynamic?random?access?memory，dram）期間的高強度保真度和及時性，有效抑制了信號衰減與變形，尤其是在高密度內存布局中顯得尤為重要。與之協(xié)同工作的數(shù)據(jù)緩沖器（data?buffer，db）芯片，則專注于中轉并緩存往返于內存控制器與dram間的數(shù)據(jù)信號流，進一步鞏固了數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽慷扰c效率。
2、rcd與db芯片的聯(lián)合部署，構建了一個協(xié)同作業(yè)的集成系統(tǒng)，全面覆蓋了內存操作的四大關鍵信號——地址、命令、控制及數(shù)據(jù)信號的全方位緩沖處理，不僅增強了信號的純凈度，還大幅度提高了內存系統(tǒng)的整體性能與穩(wěn)定性。
3、應用實踐中，內存模塊若僅嵌入rcd芯片，該模塊被特指為寄存式雙列直插內存模組（registered?dual?in-line?memory?module，rdimm）。rdimm通過提升信號強度，特別適合內存需求龐大的服務器與工作站環(huán)境，能有效緩解信號沖突并增強系統(tǒng)兼容屬性。
4、相反，當內存模組融合了rcd與db的集成方案時，該模組被界定為減載雙列直插內存模組（load?reduced?dual?in-line?memory?module，lrdimm）。lrd
5、本專利技術旨在應用于第五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器（double?datarate?5th-generation?synchronous?dynamic?random?access?memory，ddr5?sdram）協(xié)議的時鐘信號傳輸路徑中。
6、但在該領域中，如何提升相位插值器的線性度以及降低占空比失真，是本領域亟待解決的技術難題。
技術實現(xiàn)思路
1、為了緩解或部分緩解上述技術問題，本專利技術的解決方案如下所述：
2、一種包含限流電阻和電容陣列的相位插值器，所述相位插值器還包括核心電路和緩沖器；所述核心電路接收第一輸入時鐘和第二輸入時鐘，并輸出核心時鐘；所述緩沖器接收第一時鐘，且所述緩沖器的輸出端引出輸出時鐘；此外，所述核心時鐘接入限流電阻的第一端，限流電阻的第二端連接電容陣列的輸入端；所述電容陣列的輸入端引出所述第一時鐘。
3、進一步地，所述緩沖器是交流類型的緩沖器。
4、進一步地，所述電容陣列至少包括第一傳輸門、第二傳輸門、第一電容和第二電容。
5、進一步地，所述第一傳輸門的第一端和所述第二傳輸門的第一端均是電容陣列的輸入端。
6、進一步地，第一傳輸門的第二端連接第一電容的第一端，第一電容的第二端接地；第二傳輸門的第二端連接第二電容的第一端，第二電容的第二端接地。
7、進一步地，在所述緩沖器中，第一時鐘接入第三電容的第一端，第三電容的第二端連接反相器的第一端以及緩沖電阻的第一端，緩沖電阻的第二端接入第三傳輸門的第一端，第三傳輸門的第二端接入反相器的輸出端，反相器的輸出端引出輸出時鐘。
8、進一步地，所述核心電路中的pmos管通過第一電阻接入器件工作電壓，所述核心電路中的nmos管通過第二電阻接地。
9、進一步地，所述相位插值器包括多個核心電路，且每個核心電路均由一個獨立的ldo功率管供電。
10、本專利技術技術方案，具有如下有益的技術效果：
11、（1）提高線性度，降低芯片內部的時鐘抖動現(xiàn)象；
12、（2）降低占空比失真。
13、此外，本專利技術還具有的其它有益效果將在具體實施例中提及。
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1.一種包含限流電阻和電容陣列的相位插值器，其特征在于：
2.根據(jù)權利要求1所述的包含限流電阻和電容陣列的相位插值器，其特征在于：
3.根據(jù)權利要求2所述的包含限流電阻和電容陣列的相位插值器，其特征在于：
4.根據(jù)權利要求3所述的包含限流電阻和電容陣列的相位插值器，其特征在于：
5.根據(jù)權利要求4所述的包含限流電阻和電容陣列的相位插值器，其特征在于：
6.根據(jù)權利要求5所述的包含限流電阻和電容陣列的相位插值器，其特征在于：
7.根據(jù)權利要求6所述的包含限流電阻和電容陣列的相位插值器，其特征在于：
8.根據(jù)權利要求7所述的包含限流電阻和電容陣列的相位插值器，其特征在于：
【技術特征摘要】
1.一種包含限流電阻和電容陣列的相位插值器，其特征在于：
2.根據(jù)權利要求1所述的包含限流電阻和電容陣列的相位插值器，其特征在于：
3.根據(jù)權利要求2所述的包含限流電阻和電容陣列的相位插值器，其特征在于：
4.根據(jù)權利要求3所述的包含限流電阻和電容陣列的相位插值器，其特征在于：
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【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：請求不公布姓名，請求不公布姓名，請求不公布姓名，請求不公布姓名，請求不公布姓名，
申請(專利權)人：成都電科星拓科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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