【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及芯片領(lǐng)域，具體而言，涉及一種igbt器件測試方法與系統(tǒng)。
技術(shù)介紹
1、在晶圓生產(chǎn)過程中，需要進(jìn)行各種各樣的測試，以篩除不合格的產(chǎn)品，進(jìn)行工藝改進(jìn)。在晶圓的量測過程中，需要使用測試機(jī)臺。
2、當(dāng)前量測器件的測試機(jī)臺，在參數(shù)施加失效停測時(shí)，僅能對下個(gè)參數(shù)不測試，在一段時(shí)間內(nèi)，測試機(jī)臺施加的電信號不會被斷掉，而會持續(xù)施加，被量測的器件仍然會持續(xù)接受信號。但如遇某些特定器件，無法持續(xù)接受電信號時(shí)，此時(shí)該失效停測無法起到保護(hù)器件的作用，甚至是出現(xiàn)燒die情況。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的在于提供一種igbt器件測試方法與系統(tǒng)，以改善上述問題。
2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)實(shí)施例采用的技術(shù)方案如下：
3、第一方面，本專利技術(shù)實(shí)施例提供一種igbt器件測試系統(tǒng)，所述igbt器件測試系統(tǒng)包括控制器、電源模塊、電壓測量裝置以及通路模塊，所述控制器分別與所述電源模塊、所述電壓測量裝置以及所述通路模塊連接；
4、在進(jìn)行集電極端與發(fā)射極端的擊穿電壓測試時(shí)，所述電源模塊的正端連接于待測igbt器件的集電極信號輸入端，所述電源模塊的負(fù)端連接于待測igbt器件的發(fā)射極信號輸入端；所述通路模塊的第一端連接于所述待測igbt器件的柵極信號輸入端，所述通路模塊的第二端連接于所述待測igbt器件的發(fā)射極量測端；所述電壓測量裝置的一端連接于所述待測igbt器件的集電極量測端，所述電壓測量裝置的另一端連接于所述待測igbt器件的發(fā)射極量測端；>
5、所述控制器用于控制所述通路模塊切換為導(dǎo)通狀態(tài)，控制所述電源模塊施加電流信號；
6、所述電壓測量裝置用于檢測所述待測igbt器件的集電極量測端與發(fā)射極量測端之間的第一電壓，并將檢測到的所述第一電壓傳輸給所述控制器；
7、所述控制器用于在監(jiān)測到所述第一電壓出現(xiàn)正弦波震蕩時(shí)，控制所述電源模塊停止施加電流信號。
8、第二方面，本專利技術(shù)實(shí)施例提供一種igbt器件測試方法，應(yīng)用于上述的igbt器件測試系統(tǒng)，所述方法包括：
9、所述控制器控制所述通路模塊切換為導(dǎo)通狀態(tài)，控制所述電源模塊施加電流信號；
10、所述電壓測量裝置檢測所述待測igbt器件的集電極量測端與發(fā)射極量測端之間的第一電壓，并將檢測到的所述第一電壓傳輸給所述控制器；
11、所述控制器在監(jiān)測到所述第一電壓出現(xiàn)正弦波震蕩時(shí)，控制所述電源模塊停止施加電流信號。
12、相對于現(xiàn)有技術(shù)，本專利技術(shù)實(shí)施例所提供的一種igbt器件測試方法與系統(tǒng)，控制器控制通路模塊切換為導(dǎo)通狀態(tài)，控制電源模塊施加電流信號；電壓測量裝置檢測待測igbt器件的集電極量測端與發(fā)射極量測端之間的第一電壓，并將檢測到的第一電壓傳輸給控制器；控制器在監(jiān)測到第一電壓出現(xiàn)正弦波震蕩時(shí)，控制電源模塊停止施加電流信號。在監(jiān)測到第一電壓出現(xiàn)正弦波震蕩時(shí)，控制電源模塊停止施加電流信號，將施加信號進(jìn)行關(guān)斷，從而將器件形成了保護(hù)形態(tài)，對測試器件進(jìn)行有效保護(hù)。
13、為使本專利技術(shù)的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種IGBT器件測試系統(tǒng)，其特征在于，所述IGBT器件測試系統(tǒng)包括控制器、電源模塊、電壓測量裝置以及通路模塊，所述控制器分別與所述電源模塊、所述電壓測量裝置以及所述通路模塊連接；
2.如權(quán)利要求1所述的IGBT器件測試系統(tǒng)，其特征在于，
3.如權(quán)利要求1所述的IGBT器件測試系統(tǒng)，其特征在于，所述IGBT器件測試系統(tǒng)還包括第一電流測量裝置和第二電流測量裝置，所述第一電流測量裝置和所述第二電流測量裝置均連接于所述控制器；
4.如權(quán)利要求3所述的IGBT器件測試系統(tǒng)，其特征在于，
5.如權(quán)利要求1所述的IGBT器件測試系統(tǒng)，其特征在于，所述IGBT器件測試系統(tǒng)還包括第三電流測量裝置，所述第三電流測量裝置連接于所述控制器；
6.如權(quán)利要求5所述的IGBT器件測試系統(tǒng)，其特征在于，
7.如權(quán)利要求1所述的IGBT器件測試系統(tǒng)，其特征在于，所述IGBT器件測試系統(tǒng)還包括第四電流測量裝置，所述第四電流測量裝置連接于所述控制器；
8.如權(quán)利要求7所述的IGBT器件測試系統(tǒng)，其特征在于，
9.一種
10.如權(quán)利要求9所述的IGBT器件測試方法，其特征在于，所述方法還包括：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種igbt器件測試系統(tǒng)，其特征在于，所述igbt器件測試系統(tǒng)包括控制器、電源模塊、電壓測量裝置以及通路模塊，所述控制器分別與所述電源模塊、所述電壓測量裝置以及所述通路模塊連接；
2.如權(quán)利要求1所述的igbt器件測試系統(tǒng)，其特征在于，
3.如權(quán)利要求1所述的igbt器件測試系統(tǒng)，其特征在于，所述igbt器件測試系統(tǒng)還包括第一電流測量裝置和第二電流測量裝置，所述第一電流測量裝置和所述第二電流測量裝置均連接于所述控制器；
4.如權(quán)利要求3所述的igbt器件測試系統(tǒng)，其特征在于，
5.如權(quán)利要求1所述的igbt器件測試系統(tǒng)，其特征在于，所述...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：胡傲雪，孟繁新，封明輝，馮正林，符杰，何家霖，岳蘭，
申請(專利權(quán))人：成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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