【技術實現步驟摘要】
本申請涉及天線，尤其涉及一種天線和電子設備。
技術介紹
1、高增益天線主要分為兩種實現形式：饋源類和陣列類。例如傳統的拋物面天線增益高，頻帶寬，被廣泛用于衛星通信和雷達系統中，然而體積大、重量大和剖面高的缺點也限制了其在現代通訊系統中的應用，盡管平板反射陣列可以相對地降低天線的重量和體積，但是需要放置在距離反射面幾個波長焦點位置的饋源依舊會使得天線整體具有比較高的剖面。相比之下，使用全并饋饋電網絡的平板陣列天線則具有剖面低、結構緊湊、體積小等多種優點也因此得到了國內外研究者的廣泛關注。
2、相關技術中，通常采用表面開槽的天線單元，但是這種方式得到的天線，帶寬較窄，在一定程度上制約了該天線的應用。
技術實現思路
1、本申請提供了一種天線和電子設備，用以解決現有技術中，傳統表面開槽天線單元帶寬較窄的問題。
2、第一方面，本申請實施例提供了一種天線，包括：輻射層和饋電層，所述輻射層設置于所述饋電層的上方；
3、所述輻射層，包括：第一金屬層、第一介質層和第二金屬層；所述第一介質層設置于所述第一金屬層和所述第二金屬層中間；
4、所述第一金屬層上設置至少一個貫穿孔，每個貫穿孔中設置一個輻射貼片；
5、所述第一介質層中設置貫通所述第一介質的多個第一金屬通孔，所述第一金屬通孔能夠圍成與所述輻射貼片數量相同的第一諧振腔，所述第一諧振腔一一對應地設置于所述輻射貼片的下方；
6、所述第二金屬層上設置有與所述輻射貼片數量相同的第一耦合
7、可選的，所述第一諧振腔的尺寸大于所述貫穿孔，相鄰的兩個所述第一諧振腔共用同一邊框上的第一金屬通孔。
8、可選的，所述饋電層，包括：第三金屬層和第二介質層；
9、所述第二介質層中設置貫通所述第二介質的多個第二金屬通孔，所述第二金屬通孔能夠組成一功分器。
10、可選的，所述貫穿孔的數量為4x個，x為正整數；所述饋電層還包括：第三介質層和第四金屬層；
11、所述第三介質層中設置貫通所述第三介質的多個第三金屬通孔，所述第三金屬通孔能夠圍成所述輻射貼片數量四分之一個的第二諧振腔；
12、所述第二諧振腔一一對應地設置于第一耦合縫隙組的下方，所述第一耦合縫隙組包括相鄰的四個所述第一耦合縫隙；
13、所述第四金屬層上設置有與所述第二諧振腔數量相同的第二耦合縫隙，所述第二耦合縫隙一一對應地設置于所述第二諧振腔的下方。
14、可選的，所述第三介質層中的所述第三金屬通孔，能夠與所述第一介質層中相同位置的所述第一金屬通孔對齊。
15、可選的，所述第一耦合縫隙組中的四個，所述第一耦合縫隙呈2*2陣列形式。
16、可選的，所述輻射貼片呈軸對稱結構，在所述輻射貼片的每條邊均具有開槽。
17、可選的，所述輻射貼片為矩形結構，所述輻射貼片第一邊中心處具有第一開槽，在所述輻射貼片的第二邊中心處具有第二開槽，所述第一開槽的長度大于得到第二開槽的長度，所述第二邊與所述第一邊相鄰
18、可選的，根據在所述第二介質層上方的金屬層的耦合縫隙的目標數量，將所述第二金屬通孔組成一分所述目標數量的功分器。
19、可選的，所述貫穿孔為m個，所述m為n*n，所述n為偶數；
20、所述貫穿孔呈n*n陣列形式設置在第一金屬層。
21、第二方面，本申請實施例提供了一種電子設備，包括：電子設備本體和第一方面所述的天線。
22、本申請實施例提供的該天線，包括輻射層和饋電層，所述輻射層設置于所述饋電層的上方；所述輻射層，包括：第一金屬層、第一介質層和第二金屬層；所述第一介質層設置于所述第一金屬層和所述第二金屬層中間；所述第一金屬層上設置至少一個貫穿孔，每個貫穿孔中設置一個輻射貼片；所述第一介質層中設置貫通所述第一介質的多個第一金屬通孔，所述第一金屬通孔能夠圍成與所述輻射貼片數量相同的第一諧振腔，所述第一諧振腔一一對應地設置于所述輻射貼片的下方；所述第二金屬層上設置有與所述輻射貼片數量相同的第一耦合縫隙，所述第一耦合縫隙一一對應地設置于所述第一諧振腔的下方。如此，采用通過饋電層對輻射層饋電，由于第一介質層設置與所述第一金屬層和所述第二金屬層中間，并且第一介質層的第一金屬通孔的設置，使得上述三層形成sic，從而，能夠通過第二金屬層總的耦合縫隙，給第一介質層的sic饋電諧振后，通過第一層金屬層中的輻射貼片輻射電磁波，利用貼片輻射的方式相較于相關技術中的縫隙輻射的方式，能夠使天線輻射更高的帶寬。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種天線，其特征在于，包括：輻射層和饋電層，所述輻射層設置于所述饋電層的上方；
2.根據權利要求1所述的天線，其特征在于，所述第一諧振腔的尺寸大于所述貫穿孔，相鄰的兩個所述第一諧振腔共用同一邊框上的第一金屬通孔。
3.根據權利要求1所述的天線，其特征在于，所述饋電層，包括：第三金屬層和第二介質層；
4.根據權利要求1所述的天線，其特征在于，所述貫穿孔的數量為4X個，X為正整數；所述饋電層還包括：第三介質層和第四金屬層；
5.根據權利要求4所述的天線，其特征在于，所述第一耦合縫隙組中的四個所述第一耦合縫隙呈2*2陣列形式。
6.根據權利要求1所述的天線，其特征在于，所述輻射貼片呈軸對稱結構，在所述輻射貼片的每條邊均具有開槽。
7.根據權利要求6所述的天線，其特征在于，所述輻射貼片為矩形結構，所述輻射貼片第一邊中心處具有第一開槽，在所述輻射貼片的第二邊中心處具有第二開槽，所述第一開槽的長度大于得到第二開槽的長度，所述第二邊與所述第一邊相鄰。
8.根據權利要求3所述的天線，其特征在于，根據在所述第二
9.根據權利要求1所述的天線，其特征在于，所述貫穿孔為M個，所述M為N*N，所述N為偶數；
10.一種電子設備，其特征在于，包括：電子設備本體和如權利要求1-9任一項所述的天線。
...【技術特征摘要】
1.一種天線，其特征在于，包括：輻射層和饋電層，所述輻射層設置于所述饋電層的上方；
2.根據權利要求1所述的天線，其特征在于，所述第一諧振腔的尺寸大于所述貫穿孔，相鄰的兩個所述第一諧振腔共用同一邊框上的第一金屬通孔。
3.根據權利要求1所述的天線，其特征在于，所述饋電層，包括：第三金屬層和第二介質層；
4.根據權利要求1所述的天線，其特征在于，所述貫穿孔的數量為4x個，x為正整數；所述饋電層還包括：第三介質層和第四金屬層；
5.根據權利要求4所述的天線，其特征在于，所述第一耦合縫隙組中的四個所述第一耦合縫隙呈2*2陣列形式。
6.根據權利要求1所述的天線，其特征在于，所述輻射貼...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳雪莉，
申請(專利權)人：中興通訊股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。