【技術實現步驟摘要】
本公開涉及一種半導體存儲器件。
技術介紹
1、為了滿足消費者對半導體存儲器件的高性能和低價格的需求，需要提高半導體存儲器件的集成。半導體存儲器件的集成是決定其價格的重要因素。因此，特別需要具有提高的集成的半導體存儲器件。
2、在控制存儲單元操作的晶體管的結構中，正在研究在一個有源區上實施一個或更多個具有不同柵極絕緣膜厚度的晶體管的工藝。
技術實現思路
1、至少一個實施方式涉及具有改進的集成的半導體存儲器件。
2、實施這里所公開的專利技術構思的技術目的不限于以上提及的技術目的。未提及的其他技術目的和優點可以基于以下描述被理解，并且可以基于各種示例實施方式被更清楚地理解。此外，將容易理解的是，根據各種示例實施方式的技術目的和優點可以使用權利要求中示出的方式及其組合來實現。
3、根據各種示例實施方式，提供了一種半導體存儲器件，該半導體器件包括單元結構和電連接到單元結構的外圍電路結構。該單元結構包括在垂直方向上堆疊并在垂直方向上彼此間隔開的多個柵電極、在垂直方向上穿透所述多個柵電極的溝道結構、以及連接到溝道結構的位線。外圍電路結構包括有源區；在有源區上的柵極結構，柵極結構與有源區交叉；在柵極結構的至少一側并在有源區中的源極/漏極區；覆蓋柵極結構的絕緣間隔物；在絕緣間隔物的側壁上并電連接到源極/漏極區的導電間隔物；以及電連接到導電間隔物的接觸。絕緣間隔物的最頂部表面的至少一部分與導電間隔物的最頂部表面的至少一部分共面。
4、根據各種示例實施方式
5、根據各種示例實施方式，提供了一種半導體存儲器件，該半導體存儲器件包括：單元結構；和電連接到單元結構的外圍電路結構。單元結構包括在垂直方向上堆疊并在垂直方向上彼此間隔開的多個柵電極、在垂直方向上穿透所述多個柵電極的溝道結構、以及連接到溝道結構的位線。外圍電路結構包括：在第一方向上延伸的有源區；在有源區上并且在第二方向上延伸的柵極結構，其中柵極結構與有源區交叉，并且柵極結構包括在第一方向上延伸的一對第一側壁和在第二方向上延伸的一對第二側壁；在柵極結構的所述一對第二側壁中的每個上并且在有源區中的源極/漏極區；絕緣間隔物，覆蓋柵極結構的上表面、所述一對第一側壁和所述一對第二側壁，并包括絕緣材料；間隔物結構，圍繞絕緣間隔物的外側壁，其中間隔物結構包括：包含半導體材料的半導體間隔物以及包含導電材料并且電連接到源極/漏極區的導電間隔物；覆蓋絕緣間隔物的一部分、半導體間隔物、和源極/漏極區的一部分的蝕刻停止膜；以及電連接到導電間隔物的接觸。蝕刻停止膜在垂直方向上不與導電間隔物重疊。導電間隔物在第一方向上與所述一對第二側壁重疊，并且在第二方向上不與所述一對第一側壁重疊。間隔物結構的最頂部表面與絕緣間隔物的上表面共面。
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1.一種半導體存儲器件，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述絕緣間隔物的上表面朝向所述有源區凸起。
3.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述接觸在所述垂直方向上與所述導電間隔物完全重疊。
4.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述接觸的至少一部分在所述垂直方向上不與所述導電間隔物重疊。
5.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，進一步包括插設在所述源極/漏極區和所述導電間隔物之間的硅化物膜。
6.根據權利要求5所述的半導體存儲器件，其中，所述硅化物膜不與所述接觸接觸。
7.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，進一步包括覆蓋所述源極/漏極區的至少一部分的蝕刻停止膜。
8.根據權利要求7所述的半導體存儲器件，其中，所述蝕刻停止膜覆蓋所述絕緣間隔物的上表面的一部分。
9.一種半導體存儲器件，包括：
10.根據權利要求9所述的半導體存儲器件，其中，所述導電間隔物在所述第二方向上的長度小于所述柵極結構在所述第二方向上的長度。
11.根
12.根據權利要求9所述的半導體存儲器件，其中，在所述半導體存儲器件的平面圖中，所述半導體間隔物的至少一部分在所述第一方向上與所述柵極結構重疊。
13.根據權利要求9所述的半導體存儲器件，其中，所述間隔物結構的最頂部表面與所述絕緣間隔物的上表面共面。
14.根據權利要求9所述的半導體存儲器件，其中，所述絕緣間隔物的上表面朝向所述有源區凸起。
15.根據權利要求9所述的半導體存儲器件，進一步包括覆蓋所述半導體間隔物的上表面的蝕刻停止膜，以及
16.根據權利要求15所述的半導體存儲器件，其中，所述蝕刻停止膜的至少一部分在所述垂直方向上與所述絕緣間隔物重疊。
17.根據權利要求9所述的半導體存儲器件，其中，所述接觸的最底部表面的垂直水平大于所述源極/漏極區的上表面的垂直水平。
18.一種半導體存儲器件，包括：
19.根據權利要求18所述的半導體存儲器件，其中，所述導電間隔物在所述第二方向上的長度小于所述柵極結構在所述第二方向上的長度。
20.根據權利要求18所述的半導體存儲器件，其中，所述接觸在所述垂直方向上與所述導電間隔物完全重疊。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體存儲器件，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述絕緣間隔物的上表面朝向所述有源區凸起。
3.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述接觸在所述垂直方向上與所述導電間隔物完全重疊。
4.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述接觸的至少一部分在所述垂直方向上不與所述導電間隔物重疊。
5.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，進一步包括插設在所述源極/漏極區和所述導電間隔物之間的硅化物膜。
6.根據權利要求5所述的半導體存儲器件，其中，所述硅化物膜不與所述接觸接觸。
7.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，進一步包括覆蓋所述源極/漏極區的至少一部分的蝕刻停止膜。
8.根據權利要求7所述的半導體存儲器件，其中，所述蝕刻停止膜覆蓋所述絕緣間隔物的上表面的一部分。
9.一種半導體存儲器件，包括：
10.根據權利要求9所述的半導體存儲器件，其中，所述導電間隔物在所述第二方向上的長度小于所述柵極結構在所述第二方向上的長度。
11.根據權利要求9所述的半導體存儲器件，其中，所述導電間隔物在所述第二方向上的長度等于所述柵極...
【專利技術屬性】
技術研發人員：崔昌玟，李昌憲，閔柱盛，尹澤硅，
申請(專利權)人：三星電子株式會社，
類型：發明
國別省市：
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