【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及硅基oled，具體而言，涉及一種硅基有機發(fā)光二極管的強微腔陽極結(jié)構(gòu)及制備方法。
技術(shù)介紹
1、目前，硅基oled(organicl?ight-emittingdiode，有機發(fā)光二極管)顯示技術(shù)具有自發(fā)光、高對比度、高反應速度等特點，廣泛適合應用在移動顯示產(chǎn)品上。傳統(tǒng)的r/g/b子像素相同厚度的陽極已經(jīng)無法滿足高亮度、高色域的要求，為了進一步提升oled器件的效能和光色，一般會采用強微腔共振的器件結(jié)構(gòu)，即r/g/b子像素陽極厚度各不相同。
2、然而，常見強微腔陽極結(jié)構(gòu)通常是通過通孔的方式出光，從而易導致發(fā)光亮度不均勻。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請?zhí)峁┮环N硅基有機發(fā)光二極管的強微腔陽極結(jié)構(gòu)及制備方法，旨在改善上述問題。
2、第一方面，本申請?zhí)峁┑囊环N硅基有機發(fā)光二極管的強微腔陽極結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：
3、在cmos基板上鍍一層第一透明絕緣氧化物層；
4、對所述第一透明絕緣氧化物層進行處理，得到rgb子像素所分別對應的子像素溝槽，其中，不同顏色子像素所對應的所述子像素溝槽的刻蝕深度不同；
5、于所述子像素溝槽內(nèi)沉積一層陽極金屬層作為金屬陽極；
6、于所述金屬陽極上沉積一層第二透明絕緣氧化物層；
7、刻蝕所述第二透明絕緣氧化物層至所述金屬陽極同一水平高度；
8、于刻蝕后的所述第二透明絕緣氧化物層沉積一層透明金屬氧化物導電薄膜，并使用光罩刻蝕所述透明金屬氧化物導電薄膜以形成所述rgb子
9、于形成有所述rgb子像素的陽極金屬圖形的所述cmos基板上沉積pdl層；
10、對所述pdl層進行刻蝕，形成所述rgb子像素中每一子像素所對應的像素開口、底切結(jié)構(gòu)和像素發(fā)光保護結(jié)構(gòu)。
11、在一可能的實施例中，所述對所述第一透明絕緣氧化物層進行處理，得到rgb子像素所分別對應的子像素溝槽，包括：
12、使用half-tone光罩并依次進行涂布、曝光、顯影、刻蝕和去膠，得到rgb子像素所分別對應的子像素溝槽。
13、在一可能的實施例中，所述rgb子像素中r子像素對應的所述子像素溝槽的深度為2600a；
14、所述rgb子像素中g(shù)子像素對應的所述子像素溝槽的深度為1800a；
15、所述rgb子像素中b子像素對應的所述子像素溝槽的深度為1100a。
16、在一可能的實施例中，所述第一透明絕緣氧化物層包括sio2或者sin中的至少一種。
17、在一可能的實施例中，所述第一透明絕緣氧化物層為sio2，所述第一透明絕緣氧化物層的厚度為2000ˉ10000a。
18、在一可能的實施例中，所述第一透明絕緣氧化物層的厚度為2000-5000a。
19、在一可能的實施例中，所述于所述子像素溝槽內(nèi)沉積一層陽極金屬層作為金屬陽極，包括：
20、于所述子像素溝槽內(nèi)依次沉積第一金屬、第二金屬和第三金屬，形成陽極金屬層，所述陽極金屬層作為金屬陽極。
21、在一可能的實施例中，所述第一金屬為ti，所述第一金屬的沉積厚度為150a；
22、所述第二金屬為ai，所述第二金屬的沉積厚度為800a；
23、所述第三金屬為tin，所述第三金屬的沉積厚度為50a。
24、在一可能的實施例中，所述第二透明絕緣氧化物層為sio2，所述第二透明絕緣氧化物層的厚度為1500ˉ5000a。
25、在一可能的實施例中，所述刻蝕所述第二透明絕緣氧化物層至所述金屬陽極同一水平高度，包括：
26、于所述第二透明絕緣氧化物層上旋涂一層光刻膠；
27、刻蝕所述光刻膠和所述第二透明絕緣氧化物層至所述子像素溝槽外的所述金屬陽極的表面，以得到與暴露在所述子像素溝槽外的所述金屬陽極同一水平高度的子透明絕緣氧化物層。
28、在一可能的實施例中，所述光刻膠的厚度小于1微米。
29、在一可能的實施例中，所述于形成有所述rgb子像素的陽極金屬圖形的所述cmos基板上沉積pdl層，包括：
30、于形成有所述rgb子像素的陽極金屬圖形的所述cmos基板上依次沉積第三透明絕緣氧化物層、第四透明絕緣氧化物層和第五透明絕緣氧化物層，形成pdl層。
31、在一可能的實施例中，所述第三透明絕緣氧化物層、第四透明絕緣氧化物層和第五透明絕緣氧化物層的厚度分別為200a、650a和200a。
32、在一可能的實施例中，所述對所述pdl層進行刻蝕，形成所述rgb子像素中每一子像素所對應的像素開口、底切結(jié)構(gòu)和像素發(fā)光保護結(jié)構(gòu)，包括：
33、于每一子像素對應區(qū)域中刻蝕所述第五透明絕緣氧化物層和所述第四透明絕緣氧化物層至暴露出所述第三透明絕緣氧化物層，形成像素開口；
34、側(cè)向刻蝕所述第四透明絕緣氧化物層形成底切結(jié)構(gòu)；
35、刻蝕所述第三透明絕緣氧化物層，形成像素發(fā)光保護結(jié)構(gòu)，所述第三透明絕緣氧化物層刻蝕的寬度小于所述第五透明絕緣氧化物層刻蝕的寬度。
36、在一可能的實施例中，所述底切結(jié)構(gòu)的側(cè)刻深度為0.05um-0.2um和/或所述第三透明絕緣氧化物層暴露于所述像素開口中的寬度為0.05-0.2um。
37、第二方面，本申請還提供一種硅基有機發(fā)光二極管的強微腔陽極結(jié)構(gòu)，該強微腔陽極結(jié)構(gòu)采用如第一方面任意一項所述的制備方法所制得。
38、上述本申請?zhí)峁┑囊环N硅基有機發(fā)光二極管的強微腔陽極結(jié)構(gòu)及制備方法，本申請通過在cmos基板上鍍一層第一透明絕緣氧化物層；對所述第一透明絕緣氧化物層進行處理，得到rgb子像素所分別對應的子像素溝槽，其中，不同顏色子像素所對應的所述子像素溝槽的刻蝕深度不同；于所述子像素溝槽內(nèi)沉積一層陽極金屬層作為金屬陽極；于所述金屬陽極上沉積一層第二透明絕緣氧化物層；刻蝕所述第二透明絕緣氧化物層至所述金屬陽極同一水平高度；于刻蝕后的所述第二透明絕緣氧化物層沉積一層透明金屬氧化物導電薄膜，并使用光罩刻蝕所述透明金屬氧化物導電薄膜以形成所述rgb子像素的陽極金屬圖形；于形成有所述rgb子像素的陽極金屬圖形的所述cmos基板上沉積pdl層；對所述pdl層進行刻蝕，形成所述rgb子像素中每一子像素所對應的像素開口、底切結(jié)構(gòu)和像素發(fā)光保護結(jié)構(gòu)。從而利用子像素溝槽側(cè)壁的金屬反射層反射oled光，可以增強oled出光強度；另外，通過將第二透明絕緣氧化物層刻蝕至溝槽外金屬表面同一水平高度，一方面可以構(gòu)建rgb子像素不同絕緣層厚度的光學共振強微腔，另一方面水平高度有利于oled蒸鍍良率提升和減少陰極斷裂風險，提升oled器件效率；其次，利用透明導電金屬氧化物薄膜搭接在子像素溝槽外的金屬表面，形成導電金屬環(huán)，可以節(jié)約子像素空間，有助于提升像素開口率；最后，通過形成底切結(jié)構(gòu)和像素發(fā)光保護結(jié)構(gòu)，可以有效屏蔽oled器件邊緣區(qū)域發(fā)光強度不均的弱點，提升器件發(fā)光均勻性。...
【技術(shù)保護點】
1.一種硅基有機發(fā)光二極管的強微腔陽極結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述對所述第一透明絕緣氧化物層進行處理，得到RGB子像素所分別對應的子像素溝槽，包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述RGB子像素中R子像素對應的所述子像素溝槽的深度為2600A；
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一透明絕緣氧化物層包括SiO2或者SiN中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述第一透明絕緣氧化物層為SiO2，所述第一透明絕緣氧化物層的厚度為2000-10000A。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述第一透明絕緣氧化物層的厚度為2000ˉ5000A。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述于所述子像素溝槽內(nèi)沉積一層陽極金屬層作為金屬陽極，包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述第一金屬為Ti，所述第一金屬的沉積厚度為150A；
9.根據(jù)權(quán)利要求
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述刻蝕所述第二透明絕緣氧化物層至所述金屬陽極同一水平高度，包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述光刻膠的厚度小于1微米。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述于形成有所述RGB子像素的陽極金屬圖形的所述CMOS基板上沉積PDL層，包括：
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述第三透明絕緣氧化物層、第四透明絕緣氧化物層和第五透明絕緣氧化物層的厚度分別為200A、650A和200A。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的制備方法，其特征在于，所述對所述PDL層進行刻蝕，形成所述RGB子像素中每一子像素所對應的像素開口、底切結(jié)構(gòu)和像素發(fā)光保護結(jié)構(gòu)，包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制備方法，其特征在于，所述底切結(jié)構(gòu)的側(cè)刻深度為0.05um-0.2um和/或所述第三透明絕緣氧化物層暴露于所述像素開口中的寬度為0.05-0.2um。
16.一種硅基有機發(fā)光二極管的強微腔陽極結(jié)構(gòu)，其特征在于，采用如權(quán)利要求1-15任意一項所述的制備方法所制得。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種硅基有機發(fā)光二極管的強微腔陽極結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述對所述第一透明絕緣氧化物層進行處理，得到rgb子像素所分別對應的子像素溝槽，包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述rgb子像素中r子像素對應的所述子像素溝槽的深度為2600a；
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一透明絕緣氧化物層包括sio2或者sin中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述第一透明絕緣氧化物層為sio2，所述第一透明絕緣氧化物層的厚度為2000-10000a。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述第一透明絕緣氧化物層的厚度為2000ˉ5000a。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述于所述子像素溝槽內(nèi)沉積一層陽極金屬層作為金屬陽極，包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述第一金屬為ti，所述第一金屬的沉積厚度為150a；
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第二透明絕緣氧化物層為sio2，所述第二透明絕緣...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳小童，吳迪，吳遠武，李陽，
申請(專利權(quán))人：湖畔光芯半導體江蘇有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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