【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于信號傳輸領域，特別涉及一種超寬帶器件。
技術介紹
1、sip(systemin?package)即系統級封裝。是將多個具有不同功能的芯片或器件，如功率放大器、處理器、mems濾波器等有源無源器件等及其他器件通過tsv或各種立體封裝技術，集成在一個封裝體內成為具有特定復雜功能甚至完整系統功能的模塊的先進封裝技術。
2、隨著信息技術的飛速發展，人們對通信速率、容量和保密性的要求不斷提高。傳統窄帶通信技術在頻譜資源有限的情況下難以滿足這些需求，為此超寬帶器件成為當今電路設計的一個重要發展趨勢，而為了保障超寬帶芯片之間、超寬帶芯片與外部接口之間良好的信號傳輸性能，超寬帶封裝互聯結構的設計同樣成為一個重要的研究方向。
技術實現思路
1、為了實現超寬帶、低損耗、低駐波比的射頻互聯信號傳輸，本專利技術提供了兩種基于低溫共燒陶瓷工藝的射頻互聯結構的設計方案，設計方案中基板材質為hitce，單層基板厚度97um，導電材料為銅，銅厚10um。所提出的兩種方案利用類同軸每層焊盤所引入的寄生電容與傳輸線引入的寄生電感形成多階lc匹配網絡，可以實現在0-40ghz的超寬帶范圍內，芯片與芯片之間、芯片與外部接口之間的信號高性能傳輸。
2、本專利技術采用的技術方案之一為：用于芯片與外部接口之間的超寬帶封裝互聯結構，基于低溫共燒陶瓷基板，采用外部接口sma-微帶線-第一類同軸-第一帶狀線-第二類同軸-bga焊球的互聯結構；微帶線走線位于低溫共燒陶瓷基板頂層地，微帶線第一端連接
3、第一類同軸與第二類同軸與所占用的低溫共燒陶瓷基板的每一層通過焊盤連接；
4、第一類同軸與第二類同軸每層焊盤所引入的寄生電容與第一類同軸與第二類同軸自身走線所用傳輸線引入的寄生電感形成多階lc匹配網絡。
5、所述第一類同軸、第二類同軸為垂直互聯結構；第一類同軸、第二類同軸占用三層基板。
6、低溫共燒陶瓷基板頂層地與金屬底層間距為3層基板高度。
7、低溫共燒陶瓷基板下方地與金屬底層間距為2層基板高度。
8、微帶線選擇單層基板高度。
9、本專利技術采用的技術方案之二為：用于芯片與芯片之間的超寬帶封裝互聯結構，基于低溫共燒陶瓷基板，采用第一bga焊球-第三類同軸-第二帶狀線-第四類同軸-第二bga焊球的互聯結構，第一bga焊球與第一芯片接口連接，第一bga焊球還與第三類同軸第一端連接，第三類同軸第二端連接第二帶狀線第一端，第二帶狀線走線位于低溫共燒陶瓷基板的金屬地層；第二帶狀線第二端連接第四類同軸第一端，第四類同軸第二端連接第二bga焊球，第二bga焊球與第二芯片接口連接；
10、第三類同軸與第四類同軸與所占用的低溫共燒陶瓷基板的每一層通過焊盤連接；
11、第三類同軸與第四類同軸每層焊盤所引入的寄生電容與第三類同軸與第四類同軸自身走線所用傳輸線引入的寄生電感形成多階lc匹配網絡。
12、所述第三類同軸、第四類同軸為垂直互聯結構；第三類同軸、第四類同軸占用三層基板。
13、低溫共燒陶瓷基板頂層地與金屬底層間距為3層基板高度。
14、低溫共燒陶瓷基板下方地與金屬底層間距為2層基板高度。
15、本專利技術的有益效果：本專利技術采用的基板材質為hitce，單層基板厚度97um，導電材料為銅，銅厚10um；本專利技術所提出的兩種方案利用類同軸每層焊盤所引入的寄生電容與傳輸線引入的寄生電感形成多階lc匹配網絡，可以在0-40ghz超寬帶范圍內實現外部接口與芯片間、芯片與芯片間的優良的互聯性能。具體為回波損耗優于-20db，插損優于-1.5db。
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1.用于芯片與外部接口之間的超寬帶封裝互聯結構，其特征在于，基于低溫共燒陶瓷基板，采用外部接口SMA-微帶線-第一類同軸-第一帶狀線-第二類同軸-BGA焊球的互聯結構；微帶線走線位于低溫共燒陶瓷基板頂層地，微帶線第一端連接外部接口SMA，微帶線第二端連接第一類同軸第一端；第一類同軸第二端連接第一帶狀線第一端，所述第一帶狀線走線位于低溫共燒陶瓷基板的金屬地層；第一帶狀線第二端與第二類同軸第一端連接，第二類同軸第二端連接BGA焊球，BGA焊球與芯片接口連接；
2.根據權利要求1所述的用于芯片與外部接口之間的超寬帶封裝互聯結構，其特征在于，低溫共燒陶瓷基板材質為Hitce。
3.根據權利要求2所述的用于芯片與外部接口之間的超寬帶封裝互聯結構，其特征在于，所述第一類同軸、第二類同軸為垂直互聯結構；第一類同軸、第二類同軸占用三層基板。
4.根據權利要求3所述的用于芯片與外部接口之間的超寬帶封裝互聯結構，其特征在于，微帶線高度為單層基板高度。
5.根據權利要求4所述的用于芯片與外部接口之間的超寬帶封裝互聯結構，其特征在于，微帶線高度與寬度滿足阻
6.用于芯片與芯片之間的超寬帶封裝互聯結構，其特征在于，基于低溫共燒陶瓷基板，采用第一BGA焊球-第三類同軸-第二帶狀線-第四類同軸-第二BGA焊球的互聯結構，第一BGA焊球與第一芯片接口連接，第一BGA焊球還與第三類同軸第一端連接，第三類同軸第二端連接第二帶狀線第一端，第二帶狀線走線位于低溫共燒陶瓷基板的金屬地層；第二帶狀線第二端連接第四類同軸第一端，第四類同軸第二端連接第二BGA焊球，第二BGA焊球與第二芯片接口連接；
7.根據權利要求6所述的用于芯片與芯片之間的超寬帶封裝互聯結構，其特征在于，低溫共燒陶瓷基板材質為Hitce。
8.根據權利要求7所述的用于芯片與芯片之間的超寬帶封裝互聯結構，其特征在于，所述第三類同軸、第四類同軸為垂直互聯結構；第三類同軸、第四類同軸占用三層基板。
9.根據權利要求8所述的用于芯片與芯片之間的超寬帶封裝互聯結構，其特征在于，第二帶狀線上方地與走線間距離為3層基板高度。
10.根據權利要求9所述的用于芯片與芯片之間的超寬帶封裝互聯結構，其特征在于，第二帶狀線下方地與走線間距離為2層基板高度。
...【技術特征摘要】
1.用于芯片與外部接口之間的超寬帶封裝互聯結構，其特征在于，基于低溫共燒陶瓷基板，采用外部接口sma-微帶線-第一類同軸-第一帶狀線-第二類同軸-bga焊球的互聯結構；微帶線走線位于低溫共燒陶瓷基板頂層地，微帶線第一端連接外部接口sma，微帶線第二端連接第一類同軸第一端；第一類同軸第二端連接第一帶狀線第一端，所述第一帶狀線走線位于低溫共燒陶瓷基板的金屬地層；第一帶狀線第二端與第二類同軸第一端連接，第二類同軸第二端連接bga焊球，bga焊球與芯片接口連接；
2.根據權利要求1所述的用于芯片與外部接口之間的超寬帶封裝互聯結構，其特征在于，低溫共燒陶瓷基板材質為hitce。
3.根據權利要求2所述的用于芯片與外部接口之間的超寬帶封裝互聯結構，其特征在于，所述第一類同軸、第二類同軸為垂直互聯結構；第一類同軸、第二類同軸占用三層基板。
4.根據權利要求3所述的用于芯片與外部接口之間的超寬帶封裝互聯結構，其特征在于，微帶線高度為單層基板高度。
5.根據權利要求4所述的用于芯片與外部接口之間的超寬帶封裝互聯結構，其特征在于，微帶線高度與寬度滿足阻抗匹配公式的計算結果...
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