【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及l(fā)ed驅(qū)動(dòng)，具體而言，涉及一種可控硅調(diào)光控制電路、可控硅調(diào)光控制設(shè)備及l(fā)ed設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、目前，在可控硅調(diào)光系統(tǒng)中，可控硅調(diào)光器的充電電流與維持電流是復(fù)用的。維持電流在母線電壓過(guò)零點(diǎn)后，就會(huì)開始提供給可控硅調(diào)光器的電容，該電容的電壓達(dá)到一定值(例如32v)時(shí)，開啟雙向可控硅。這會(huì)使可控硅調(diào)光器開啟的時(shí)間點(diǎn)落在靠近母線電壓零點(diǎn)位置，而led導(dǎo)通電壓較大，該led導(dǎo)通電壓接近母線峰值的位置，所以，在可控硅開啟時(shí)間點(diǎn)到led導(dǎo)通時(shí)間點(diǎn)之間有很長(zhǎng)一段時(shí)間都需要系統(tǒng)產(chǎn)生一個(gè)維持電流，使調(diào)光器正常工作，該維持電流屬于系統(tǒng)的損耗，長(zhǎng)時(shí)間提供維持電流會(huì)大大降低系統(tǒng)效率，以及導(dǎo)致系統(tǒng)溫度上升。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)實(shí)施例的目的在于提供一種可控硅調(diào)光控制電路、可控硅調(diào)光控制設(shè)備及l(fā)ed設(shè)備，用以解決現(xiàn)有可控硅調(diào)光系統(tǒng)，由于長(zhǎng)時(shí)間提供維持電流，導(dǎo)致系統(tǒng)效率降低，以及系統(tǒng)溫度上升的問(wèn)題。
2、本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種可控硅調(diào)光控制電路，包括：可控硅調(diào)光器、調(diào)光器充電電流控制系統(tǒng)和恒流控制系統(tǒng)；
3、可控硅調(diào)光器用于為led模塊進(jìn)行調(diào)光；恒流控制系統(tǒng)用于為led模塊提供穩(wěn)定電流；
4、調(diào)光器充電電流控制系統(tǒng)，用于在調(diào)光器導(dǎo)通角小于led導(dǎo)通角的情況下，降低可控硅調(diào)光器的充電電流，使調(diào)光器導(dǎo)通角增大。
5、上述技術(shù)方案中，可控硅調(diào)光控制電路包括可控硅調(diào)光器、調(diào)光器充電電流控制系統(tǒng)和恒流控制系統(tǒng)，利用調(diào)光器充電電流控制系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)對(duì)調(diào)光器充電電流的
6、在一些可選的實(shí)施方式中，調(diào)光器充電電流控制系統(tǒng)，包括：
7、導(dǎo)通角檢測(cè)模塊，用于檢測(cè)可控硅調(diào)光器的調(diào)光器導(dǎo)通角，并在調(diào)光器導(dǎo)通角小于led導(dǎo)通角的情況下，控制輸出第一調(diào)制信號(hào)，第一調(diào)制信號(hào)用于控制電壓隨時(shí)間的斜率升高；
8、母線電壓調(diào)節(jié)模塊，用于在接收到第一調(diào)制信號(hào)的情況下，輸出電壓值隨時(shí)間變化的斜率升高后的電壓vp；
9、充電電流控制模塊，用于利用運(yùn)算放大器的虛短虛斷原理，使母線電壓等于電壓vp與分壓電阻比例的乘積，以控制可控硅調(diào)光器的充電電流。
10、在一些可選的實(shí)施方式中，還包括整流器、第一mos管、第二mos管和第三mos管；
11、交流電壓vac通過(guò)可控硅調(diào)光器輸入整流器，經(jīng)過(guò)整流器整流后輸出母線電壓，母線電壓經(jīng)過(guò)第一mos管和第三電阻后接地，母線電壓還通過(guò)第一電容、第二mos管和第二電阻后接地，母線電壓還通過(guò)led模塊、第三mos管和第三電阻后接地；
12、第一mos管的柵極連接充電電流控制模塊，恒流控制系統(tǒng)的第一端連接第二mos管的柵極，恒流控制系統(tǒng)的第二端連接第三mos管的柵極。
13、在一些可選的實(shí)施方式中，導(dǎo)通角檢測(cè)模塊，還用于：
14、根據(jù)母線采樣電壓、第一電阻的電壓vs2、第二電阻的電壓vs1、第三電阻的電壓vs0或母線電壓上升沿信號(hào)，確定調(diào)光器導(dǎo)通時(shí)間ton或調(diào)光器關(guān)斷時(shí)間toff；
15、在調(diào)光器導(dǎo)通時(shí)間ton小于或等于第一閾值的情況下，控制輸出第二調(diào)制信號(hào)，第二調(diào)制信號(hào)用于控制電壓隨時(shí)間的斜率不變；在調(diào)光器導(dǎo)通時(shí)間ton大于第一閾值的情況下，控制輸出第一調(diào)制信號(hào)；
16、或，在調(diào)光器關(guān)斷時(shí)間toff大于或等于第二閾值的情況下，控制輸出第二調(diào)制信號(hào)；在調(diào)光器關(guān)斷時(shí)間toff小于第二閾值的情況下，控制輸出第一調(diào)制信號(hào)。
17、其中，第一閾值可以是led導(dǎo)通時(shí)間，也可以是led導(dǎo)通時(shí)間加上一個(gè)較小值t1；第二閾值可以是180度減去led導(dǎo)通時(shí)間，也可以是，180度減去led導(dǎo)通時(shí)間，再減去一個(gè)較小值t1。
18、上述技術(shù)方案中，可控硅調(diào)光器導(dǎo)通時(shí)，母線采樣電壓、第一電阻的電壓vs2、第二電阻的電壓vs1和第三電阻的電壓vs0快速升高，因此，可以根據(jù)母線采樣電壓、第一電阻的電壓vs2、第二電阻的電壓vs1、第三電阻的電壓vs0或母線電壓上升沿信號(hào)，確定調(diào)光器導(dǎo)通時(shí)間ton或調(diào)光器關(guān)斷時(shí)間toff。在調(diào)光器導(dǎo)通時(shí)間ton小于led導(dǎo)通時(shí)間的情況下，不再調(diào)節(jié)充電電流，此時(shí)控制輸出第二調(diào)制信號(hào)；在調(diào)光器導(dǎo)通時(shí)間ton大于led導(dǎo)通時(shí)間的情況下，需要降低充電電流，此時(shí)控制輸出第一調(diào)制信號(hào)。
19、在一些可選的實(shí)施方式中，導(dǎo)通角檢測(cè)模塊，包括：第一比較器、第一電流源、第二電流源、第一開關(guān)、第二開關(guān)、第二電容、第二比較器和斜率調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生模塊；
20、第一比較器用于在檢測(cè)信號(hào)大于參考電壓vref1的情況下，輸出高電平控制第一開關(guān)閉合，通過(guò)第一電流源為第二電容充電；在檢測(cè)信號(hào)小于參考電壓vref1的情況下，輸出低電平，并經(jīng)過(guò)反相器后，控制第二開關(guān)閉合，第二電容通過(guò)第二電流源放電；
21、第二比較器用于在第二電容的電壓大于參考電壓vref2的情況下，輸出高電平控制斜率調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生模塊輸出第一調(diào)制信號(hào)，第一調(diào)制信號(hào)用于控制電壓隨時(shí)間的斜率升高；在第二電容的電壓小于參考電壓vref2的情況下，輸出低電平控制斜率調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生模塊輸出第二調(diào)制信號(hào)，第二調(diào)制信號(hào)用于控制電壓隨時(shí)間的斜率不變；
22、其中，檢測(cè)信號(hào)包括母線采樣電壓、第二電阻的電壓vs1或第三電阻的電壓vs0。
23、上述技術(shù)方案中，在可控硅調(diào)光器導(dǎo)通時(shí)，母線采樣電壓、第二電阻的電壓vs1和第三電阻的電壓vs0快速升高，針對(duì)母線采樣電壓、第二電阻的電壓vs1或第三電阻的電壓vs0可設(shè)置不同的參考電壓vref1，以檢測(cè)可控硅調(diào)光器導(dǎo)通的時(shí)間點(diǎn)。利用第一比較器，在檢測(cè)信號(hào)大于參考電壓vref1的情況下，第一電流源為第二電容充電，在檢測(cè)信號(hào)小于參考電壓vref1的情況下，第二電容通過(guò)第二電流源放電。因此，第二電容的電壓與調(diào)光器導(dǎo)通時(shí)間ton正相關(guān)，調(diào)光器導(dǎo)通時(shí)間ton大于第一閾值的情況下，第二電容的電壓大于參考電壓vref2，第二比較器輸出高電平控制斜率調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生模塊輸出第一調(diào)制信號(hào)；調(diào)光器導(dǎo)通時(shí)間ton小于第一閾值的情況下，第二電容的電壓小于參考電壓vref2，第二比較器輸出低電平控制斜率調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生模塊輸出第二調(diào)制信號(hào)。
24、在一些可選的實(shí)施方式中，母線電壓調(diào)節(jié)模塊，包括：第一運(yùn)算放大器、第三運(yùn)算放大器、第七電阻、第八電阻、時(shí)鐘產(chǎn)生模塊、第四mos管、dac模塊和第二計(jì)數(shù)器；
25、電壓vref輸入第一運(yùn)算放大器的正輸入端，第一運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端連接第四mos管的源極，第一運(yùn)算放大器的輸出端連接第四mos管的柵極，第四mos管的源極連接電源，第四mos管的源極連接dac模塊的第一端；
26、時(shí)鐘產(chǎn)生模塊連接第二計(jì)數(shù)器，第二計(jì)數(shù)器連接dac模塊的第三本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種可控硅調(diào)光控制電路，其特征在于，包括：可控硅調(diào)光器、調(diào)光器充電電流控制系統(tǒng)和恒流控制系統(tǒng)；
2.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述調(diào)光器充電電流控制系統(tǒng)，包括：
3.如權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，還包括整流器、第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管；
4.如權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，所述導(dǎo)通角檢測(cè)模塊，還用于：
5.如權(quán)利要求4所述的電路，其特征在于，所述導(dǎo)通角檢測(cè)模塊，包括：第一比較器、第一電流源、第二電流源、第一開關(guān)、第二開關(guān)、第二電容、第二比較器和斜率調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生模塊；
6.如權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，所述母線電壓調(diào)節(jié)模塊，包括：第一運(yùn)算放大器、第三運(yùn)算放大器、第七電阻、第八電阻、時(shí)鐘產(chǎn)生模塊、第四MOS管、DAC模塊和第二計(jì)數(shù)器；
7.如權(quán)利要求6所述的電路，其特征在于，所述充電電流控制模塊，包括：第四電阻、第五電阻和第二運(yùn)算放大器；
8.如權(quán)利要求7所述的電路，其特征在于，所述可控硅調(diào)光器，包括：電位器、觸發(fā)二極管、雙向可控硅和第三電容；
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