【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)屬于連接器領(lǐng)域，具體涉及一種高速度通訊存儲(chǔ)卡緣連接器。
技術(shù)介紹
1、中國(guó)專利cn202210624516.8公開(kāi)了一種電連接器，為pcie6.0連接器，用來(lái)插接pcie卡等電子卡，傳輸高速信號(hào)。電連接器包括絕緣本體、多個(gè)端子及塞件。絕緣本體設(shè)有對(duì)接面、自對(duì)接面凹設(shè)而形成的插槽，插槽設(shè)有面向?qū)用娴牟鄣酌妫约斑B接對(duì)接面及槽底面兩個(gè)內(nèi)壁面。絕緣本體的頂面構(gòu)成對(duì)接面，電子卡穿過(guò)對(duì)接面而插入插槽。絕緣本體包括位于插槽兩側(cè)的兩個(gè)側(cè)壁，每個(gè)側(cè)壁設(shè)有多個(gè)端子槽，一一收容對(duì)應(yīng)的端子，端子槽向下貫穿，向內(nèi)貫穿內(nèi)壁面，同時(shí)向上貫穿對(duì)接面。
2、端子包括固定部、彈性臂及接腳部。
3、塞件為一體式結(jié)構(gòu)且安裝于絕緣本體，塞件包括插入在信號(hào)端子槽的絕緣插入部及插入接地端子槽的導(dǎo)電插入部，塞件包括底板，底板包括彼此連于一體的導(dǎo)電板層及絕緣板層，絕緣板層包裹在導(dǎo)電板層的上、下表面，導(dǎo)電插入部自導(dǎo)電板層一體向上延伸而形成，絕緣插入部自絕緣板層一體向上延伸而形成。導(dǎo)電插入部為導(dǎo)電塑膠材料，先通過(guò)第一次注塑成型的方式形成導(dǎo)電板層及導(dǎo)電插入部，然后通過(guò)第二次注塑成型的方式在導(dǎo)電板層的上、下表面形成絕緣板層及絕緣插入部，從而形成一體式結(jié)構(gòu)的塞件。導(dǎo)電插入部及絕緣插入部均為柱狀插入部，底板的橫向兩側(cè)分別設(shè)有一排柱狀插入部，每排的柱狀插入部沿縱長(zhǎng)方向延伸。柱狀插入部在臨近槽底面的上半部抵接在端子的固持部，在遠(yuǎn)離槽底面的下半部與端子間隔一定距離，利用柱狀的插入部與絕緣本體之間的干涉，增加塞件與絕緣本體的固持力。
4、上述電連接
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的是提供一種高速度通訊存儲(chǔ)卡緣連接器，以解決上述
技術(shù)介紹
中提出的問(wèn)題。
2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)所使用的技術(shù)方案是：
3、一種高速度通訊存儲(chǔ)卡緣連接器，包括：一絕緣本體，具有自頂面向下凹設(shè)的供一電子模組插入的一縱長(zhǎng)的插槽，插槽兩側(cè)的縱長(zhǎng)側(cè)壁內(nèi)均分別設(shè)置有多個(gè)端子槽，絕緣本體最少一端設(shè)置有耳扣容納空間及樞接耳扣的樞接部；
4、最少一個(gè)耳扣，樞接在絕緣本體的一端；以及
5、多個(gè)端子，分別一一對(duì)應(yīng)收容于兩縱長(zhǎng)側(cè)壁內(nèi)的相應(yīng)端子槽內(nèi)，最少一部分端子槽內(nèi)設(shè)置有雙層端子，其余端子槽內(nèi)為單層端子。
6、進(jìn)一步地，在各所述縱長(zhǎng)側(cè)壁的長(zhǎng)度方向上，分為至少兩個(gè)間隔設(shè)置的區(qū)域，在每個(gè)區(qū)域內(nèi)有多個(gè)連續(xù)的端子槽，每個(gè)端子槽內(nèi)設(shè)置有雙層端子，每個(gè)區(qū)域的雙層端子的兩邊均布置有單層端子。
7、進(jìn)一步地，所述的間隔設(shè)置的區(qū)域?yàn)槎鄠€(gè)，每相鄰的兩個(gè)區(qū)域之間的間距相等或不相等或部分相等。
8、進(jìn)一步地，所述的雙層端子包括下層端子和上層端子；在雙層端子的位置，各端子槽內(nèi)的一個(gè)下層端子和一個(gè)上層端子與該端子槽內(nèi)的一塞件嵌入式成型在一起；在單層端子的位置，各端子槽內(nèi)的一個(gè)端子與該端子槽內(nèi)的一塞件嵌入式成型在一起；各塞件分別一一對(duì)應(yīng)插裝固定于相應(yīng)端子槽內(nèi)。
9、進(jìn)一步地，與所述的一個(gè)下層端子和一個(gè)上層端子嵌入式成型在一起的塞件和與一個(gè)端子嵌入式成型在一起的塞件結(jié)構(gòu)和大小均相同，收容各塞件的端子槽的結(jié)構(gòu)和大小均相同；單層端子與下層端子平齊并構(gòu)成一排，或者，單層端子與上層端子平齊并構(gòu)成一排。
10、進(jìn)一步地，所述的雙層端子包括下層端子和上層端子；各單層端子以插裝方式固定于相應(yīng)端子槽內(nèi)；在雙層端子的位置，各端子槽內(nèi)的一個(gè)下層端子和一個(gè)上層端子與一塞件嵌入式成型在一起，塞件插裝固定于端子槽內(nèi)。
11、進(jìn)一步地，所述的其余端子槽內(nèi)的單層端子與雙層端子的下層端子和上層端子的結(jié)構(gòu)均不同。
12、進(jìn)一步地，所述的雙層端子包括下層端子和上層端子，雙層端子的上層端子自絕緣本體的頂部向下插裝固定在端子槽內(nèi)，雙層端子的下層端子自絕緣本體的底部向上插裝固定在端子槽內(nèi)；單層端子自絕緣本體底部向上插裝固定在端子槽內(nèi)或自絕緣本體的頂部向下插裝固定在端子槽內(nèi)。
13、進(jìn)一步地，所述的雙層端子包括下層端子和上層端子，雙層端子的上層端子自絕緣本體的頂部向下插裝固定在端子槽內(nèi)，雙層端子的下層端子自絕緣本體的底部向上插裝固定在端子槽內(nèi)；單層端子自絕緣本體底部向上插裝固定在端子槽內(nèi)或自絕緣本體的頂部向下插裝固定在端子槽內(nèi)。
14、進(jìn)一步地，所述的上層端子的接觸部高于下層端子的接觸部，上層端子的焊接部與下層端子的焊接部平齊，上層端子的焊接部與下層端子的焊接部朝向相同或者朝向相反。
15、相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)本專利技術(shù)的有益效果主要體現(xiàn)在：通過(guò)局部設(shè)置雙層端子，在同樣的結(jié)構(gòu)空間的基礎(chǔ)上增加端子的數(shù)量，因此增加了信號(hào)傳輸通道，使得信號(hào)傳輸速度大大得到提升；通過(guò)將端子與塞件嵌入式成型在一起，僅讓塞件以插裝固定方式固持在端子槽內(nèi)，可減少組裝錯(cuò)誤率；通過(guò)將雙層端子與塞件嵌入式成型在一起，僅讓塞件以插裝固定方式固持在端子槽內(nèi)，可減少組裝錯(cuò)誤率，將單層端子以插裝方式固定于端子槽內(nèi)，可以減少嵌入式成型工序，降低制造成本；雙層端子的上層端子從上至下插裝固定在端子槽內(nèi)，下層端子從下至上插裝固定在端子槽內(nèi)，不需要使用到塞件，無(wú)塞件組裝步驟，不僅可以實(shí)現(xiàn)高速自動(dòng)化插端生產(chǎn)，而且成本降低，還能使良率提升。
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1.一種高速度通訊存儲(chǔ)卡緣連接器，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速度通訊存儲(chǔ)卡緣連接器，其特征在于：在各所述縱長(zhǎng)側(cè)壁的長(zhǎng)度方向上，分為至少兩個(gè)間隔設(shè)置的區(qū)域，在每個(gè)區(qū)域內(nèi)有多個(gè)連續(xù)的端子槽，每個(gè)端子槽內(nèi)設(shè)置有雙層端子，每個(gè)區(qū)域的雙層端子的兩邊均布置有單層端子。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高速度通訊存儲(chǔ)卡緣連接器，其特征在于：所述的間隔設(shè)置的區(qū)域?yàn)槎鄠€(gè)，每相鄰的兩個(gè)區(qū)域之間的間距相等或不相等或部分相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的高速度通訊存儲(chǔ)卡緣連接器，其特征在于：所述的雙層端子包括下層端子和上層端子；在雙層端子的位置，各端子槽內(nèi)的一個(gè)下層端子和一個(gè)上層端子與該端子槽內(nèi)的一塞件嵌入式成型在一起；在單層端子的位置，各端子槽內(nèi)的一個(gè)端子與該端子槽內(nèi)的一塞件嵌入式成型在一起；各塞件分別一一對(duì)應(yīng)插裝固定于相應(yīng)端子槽內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高速度通訊存儲(chǔ)卡緣連接器，其特征在于：與所述的一個(gè)下層端子和一個(gè)上層端子嵌入式成型在一起的塞件和與一個(gè)端子嵌入式成型在一起的塞件結(jié)構(gòu)和大小均相同，收容各塞件的端子槽的結(jié)構(gòu)和大小均相同；
6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的高速度通訊存儲(chǔ)卡緣連接器，其特征在于：所述的雙層端子包括下層端子和上層端子；各單層端子以插裝方式固定于相應(yīng)端子槽內(nèi)；在雙層端子的位置，各端子槽內(nèi)的一個(gè)下層端子和一個(gè)上層端子與一塞件嵌入式成型在一起，塞件插裝固定于端子槽內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高速度通訊存儲(chǔ)卡緣連接器，其特征在于：所述的其余端子槽內(nèi)的單層端子與雙層端子的下層端子和上層端子的結(jié)構(gòu)均不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的高速度通訊存儲(chǔ)卡緣連接器，其特征在于：所述的雙層端子包括下層端子和上層端子，雙層端子的上層端子自絕緣本體的頂部向下插裝固定在端子槽內(nèi)，雙層端子的下層端子自絕緣本體的底部向上插裝固定在端子槽內(nèi)；單層端子自絕緣本體底部向上插裝固定在端子槽內(nèi)或自絕緣本體的頂部向下插裝固定在端子槽內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高速度通訊存儲(chǔ)卡緣連接器，其特征在于：各所述單層端子自絕緣本體底部向上插裝固定在端子槽內(nèi)時(shí)，各單層端子與下層端子平齊并構(gòu)成一排；各單層端子自絕緣本體的頂部向下插裝固定在端子槽內(nèi)時(shí)，各單層端子與上層端子平齊并構(gòu)成一排。
10.根據(jù)權(quán)利要求5或7或9所述的高速度通訊存儲(chǔ)卡緣連接器，其特征在于：所述的上層端子的接觸部高于下層端子的接觸部，上層端子的焊接部與下層端子的焊接部平齊，上層端子的焊接部與下層端子的焊接部朝向相同或者朝向相反。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種高速度通訊存儲(chǔ)卡緣連接器，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速度通訊存儲(chǔ)卡緣連接器，其特征在于：在各所述縱長(zhǎng)側(cè)壁的長(zhǎng)度方向上，分為至少兩個(gè)間隔設(shè)置的區(qū)域，在每個(gè)區(qū)域內(nèi)有多個(gè)連續(xù)的端子槽，每個(gè)端子槽內(nèi)設(shè)置有雙層端子，每個(gè)區(qū)域的雙層端子的兩邊均布置有單層端子。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高速度通訊存儲(chǔ)卡緣連接器，其特征在于：所述的間隔設(shè)置的區(qū)域?yàn)槎鄠€(gè)，每相鄰的兩個(gè)區(qū)域之間的間距相等或不相等或部分相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的高速度通訊存儲(chǔ)卡緣連接器，其特征在于：所述的雙層端子包括下層端子和上層端子；在雙層端子的位置，各端子槽內(nèi)的一個(gè)下層端子和一個(gè)上層端子與該端子槽內(nèi)的一塞件嵌入式成型在一起；在單層端子的位置，各端子槽內(nèi)的一個(gè)端子與該端子槽內(nèi)的一塞件嵌入式成型在一起；各塞件分別一一對(duì)應(yīng)插裝固定于相應(yīng)端子槽內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高速度通訊存儲(chǔ)卡緣連接器，其特征在于：與所述的一個(gè)下層端子和一個(gè)上層端子嵌入式成型在一起的塞件和與一個(gè)端子嵌入式成型在一起的塞件結(jié)構(gòu)和大小均相同，收容各塞件的端子槽的結(jié)構(gòu)和大小均相同；單層端子與下層端子平齊并構(gòu)成一排，或者，單層端子與上層端子平齊并構(gòu)成一排。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的高速度通訊存儲(chǔ)卡緣連接器，其特...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：蔡友華，林海燕，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：深圳市興萬(wàn)聯(lián)電子有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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