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    半導體工藝設備及其密封門機構制造技術

    技術編號:44525799 閱讀:2 留言:0更新日期:2025-03-07 13:17
    本申請公開一種半導體工藝設備及其密封門機構,屬于半導體技術領域。密封門機構用于密封半導體工藝設備的工藝腔室的第一開口,密封門機構包括密封盤、密封件以及隔離墊,密封盤用于封閉工藝腔室的第一開口,隔熱板設置于密封盤的上表面,密封盤與隔熱板之間設有吹掃間隙,且隔熱板設有第二開口,第二開口與吹掃間隙連通。半導體工藝設備包括上述的密封門機構以及工藝腔室,工藝腔室設有第一開口,密封門機構用于密封第一開口。如此設置,利用密封門機構密封工藝腔室的第一開口,在吹掃狀態下,工藝腔室內無晶舟存在,晶舟不會影響吹掃氣體的流速以及吹掃均勻度,實現無死角吹掃過程,有利于提升吹掃效果以及吹掃效率。

    【技術實現步驟摘要】

    本申請屬于半導體,具體涉及一種半導體工藝設備及其密封門機構


    技術介紹

    1、在半導體
    ,很多半導體工藝設備具有工藝腔室,工藝腔室在工藝過程中需要加熱,并利用工藝門將工藝腔室的第一開口封閉起來,防止工藝腔室向外散熱。具體地,工藝腔室的底部設有第一開口,工藝門承載晶舟,晶舟用于承載晶圓,工藝門能夠帶動承載晶圓的晶舟上升,以使晶舟通過第一開口伸入工藝腔室內,同時,工藝門封閉第一開口,此時工藝腔室可進行工藝過程。待工藝完成后,工藝門帶動晶舟下降,第一開口被打開,晶舟由第一開口伸出至工藝腔室之外,進而利用外部的晶圓傳輸裝置在晶圓盒以及晶舟之間傳輸晶圓。

    2、然而,由于工藝過程中會產生顆粒等副產物,這些副產物殘留于工藝腔室的腔壁,容易在工藝過程中脫落并掉落至晶圓的表面,影響晶圓的工藝效果,故需要在工藝完成后對工藝腔室進行吹掃,將顆粒等副產物吹掃至工藝腔室之外。

    3、相關技術中,在吹掃狀態下,直接利用工藝門對第一開口進行密封,也就是說,待工藝過程完成后,工藝門帶動晶舟下降,然后晶圓傳輸裝置取走晶舟承載的晶圓,工藝門再繼續上升以密封第一開口,使工藝腔室處于封閉狀態,此時向工藝腔室內通入吹掃氣體,以吹掃顆粒等副產物。但是,由于工藝腔室內存在晶舟,導致吹掃氣流受晶舟影響,存在吹掃死角,吹掃均勻性較差,導致吹掃效果較差。而且,吹掃過程以及工藝過程均需要工藝門參與封閉第一開口,故吹掃過程與晶舟裝卸晶圓的過程無法同時進行,導致整個工藝周期長,半導體工藝設備的工藝效率較低。


    技術實現思路p>

    1、本申請實施例的目的是提供一種半導體工藝設備及其密封門機構,能夠解決相關技術中在吹掃狀態下利用工藝門密封第一開口導致吹掃效果較差的問題。

    2、第一方面,本申請實施例提供一種半導體工藝設備的密封門機構,用于密封所述半導體工藝設備的工藝腔室的第一開口,所述密封門機構包括密封盤以及隔熱板,所述密封盤用于封閉所述工藝腔室的第一開口,所述隔熱板設置于所述密封盤的上表面,所述密封盤與所述隔熱板之間設有吹掃間隙,所述隔熱板設有第二開口,所述第二開口與所述吹掃間隙連通。

    3、第二方面,本申請實施例還提供一種半導體工藝設備,包括工藝腔室以及上述的密封門機構,所述工藝腔室設有第一開口,所述密封門機構用于密封所述第一開口。

    4、在本申請實施例中,在吹掃狀態下,利用密封門機構密封工藝腔室的第一開口,無需利用工藝門密封第一開口,如此一來,在吹掃狀態下,工藝腔室內無晶舟存在,晶舟不會影響吹掃氣體的流速以及吹掃均勻度,實現無死角吹掃過程,有利于提升吹掃效果以及吹掃效率;而且,工藝門以及密封門機構分別在工藝狀態和吹掃狀態下密封第一開口,故晶舟裝卸晶圓的過程與吹掃過程可同時進行,節省單獨吹掃的時間,有利于提高半導體工藝設備的利用率以及工藝效率。

    5、另外,當密封門機構密封第一開口時,工藝腔室內的氣體通過第二開口進入吹掃間隙內,隔熱板上方的氣壓與吹掃間隙內的氣壓趨于相等,隔熱板處于受力平衡狀態,避免隔熱板受力不平衡而沖擊密封盤,進而避免隔熱板破碎。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種半導體工藝設備的密封門機構,用于密封所述半導體工藝設備的工藝腔室(20)的第一開口(21),其特征在于,所述密封門機構(10)包括密封盤(100)以及隔熱板(400),所述密封盤(100)用于封閉所述工藝腔室(20)的第一開口(21),所述隔熱板(400)設置于所述密封盤(100)的上表面,所述密封盤(100)與所述隔熱板(400)之間設有吹掃間隙(400b),且所述隔熱板(400)設有第二開口(400a),所述第二開口(400a)與所述吹掃間隙(400b)連通。

    2.根據權利要求1所述的密封門機構,其特征在于,所述密封盤(100)的上表面設有凹槽(110),所述隔熱板(400)位于所述凹槽(110)內,所述凹槽(110)的槽壁面與所述隔熱板(400)之間形成所述吹掃間隙(400b)。

    3.根據權利要求1所述的密封門機構,其特征在于,所述第二開口(400a)開設于所述隔熱板(400)的邊緣。

    4.根據權利要求3所述的密封門機構,其特征在于,所述第二開口(400a)的邊緣為弧狀結構,且所述第二開口(400a)與所述隔熱板(400)的邊緣圓滑過渡連接。

    5.根據權利要求3所述的密封門機構,其特征在于,沿所述隔熱板(400)的邊緣延伸的方向,所述第二開口(400a)間隔設置至少兩個。

    6.根據權利要求1所述的密封門機構,其特征在于,所述密封門機構還包括密封件(200),所述密封件(200)設置于所述密封盤(100)的上表面,所述密封件(200)位于所述隔熱板(400)的外圍,且所述密封件(200)凸出于所述密封盤(100)的上表面,以密封所述密封盤(100)以及所述工藝腔室(20)之間的間隙。

    7.根據權利要求6所述的密封門機構,其特征在于,所述密封門機構還包括隔離墊(300),所述隔離墊(300)設置于所述密封盤(100)的上表面,所述隔離墊(300)位于所述密封件(200)的外圍,且所述隔離墊(300)凸出于所述密封盤(100)的上表面,以隔離所述密封盤(100)和所述工藝腔室(20)。

    8.根據權利要求7所述的密封門機構,其特征在于,所述隔離墊(300)設置于所述密封盤(100)的邊緣,所述隔離墊(300)包括相連的連接部(310)和隔離部(320),所述隔離部(320)與所述密封盤(100)的上表面接觸,所述連接部(310)與所述密封盤(100)的側表面相連。

    9.根據權利要求8所述的密封門機構,其特征在于,所述連接部(310)與所述密封盤(100)的側表面可拆卸地相連。

    10.根據權利要求7所述的密封門機構,其特征在于,所述隔離墊(300)凸出于所述密封盤(100)的高度小于所述密封件(200)凸出于所述密封盤(100)的高度。

    11.一種半導體工藝設備,其特征在于,包括權利要求1-10任一項所述的密封門機構(10)以及工藝腔室(20),所述工藝腔室(20)設有第一開口(21),所述密封門機構(10)用于密封所述第一開口(21)。

    12.根據權利要求11所述的半導體工藝設備,其特征在于,所述半導體工藝設備還包括工藝門(30)以及晶舟(40),所述晶舟(40)用于承載晶圓(41),所述晶舟(40)設置于所述工藝門(30)。

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    【技術特征摘要】

    1.一種半導體工藝設備的密封門機構,用于密封所述半導體工藝設備的工藝腔室(20)的第一開口(21),其特征在于,所述密封門機構(10)包括密封盤(100)以及隔熱板(400),所述密封盤(100)用于封閉所述工藝腔室(20)的第一開口(21),所述隔熱板(400)設置于所述密封盤(100)的上表面,所述密封盤(100)與所述隔熱板(400)之間設有吹掃間隙(400b),且所述隔熱板(400)設有第二開口(400a),所述第二開口(400a)與所述吹掃間隙(400b)連通。

    2.根據權利要求1所述的密封門機構,其特征在于,所述密封盤(100)的上表面設有凹槽(110),所述隔熱板(400)位于所述凹槽(110)內,所述凹槽(110)的槽壁面與所述隔熱板(400)之間形成所述吹掃間隙(400b)。

    3.根據權利要求1所述的密封門機構,其特征在于,所述第二開口(400a)開設于所述隔熱板(400)的邊緣。

    4.根據權利要求3所述的密封門機構,其特征在于,所述第二開口(400a)的邊緣為弧狀結構,且所述第二開口(400a)與所述隔熱板(400)的邊緣圓滑過渡連接。

    5.根據權利要求3所述的密封門機構,其特征在于,沿所述隔熱板(400)的邊緣延伸的方向,所述第二開口(400a)間隔設置至少兩個。

    6.根據權利要求1所述的密封門機構,其特征在于,所述密封門機構還包括密封件(200),所述密封件(200)設置于所述密封盤(100)的上表面,所述密封件(200)位于所述隔熱板(400)的外圍,且所述密封件(200)凸出于所述密封盤(100)...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:黃敏濤楊帥,常江,
    申請(專利權)人:北京北方華創微電子裝備有限公司,
    類型:發明
    國別省市:

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