【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種一維碲化銀納米線的制備方法，屬于表面合成。
技術介紹
1、近年來，一維納米線因其特殊的幾何形狀而受到廣泛關注，其可以被看作是一種在兩個維度上受到限制，而在另一個維度上可以延伸的納米結構。這種結構特點使得電子、光子等在納米線中傳輸時受到的散射和限制作用，在晶體管、傳感器等電子器件上有較大的應用前景。然而，大多數報道的一維納米線是通過電子束照射法或化學溶解制備的，這種復雜的制備環境阻礙了其固有電子性能的應用，因此通過自上而下的方法制備一維納米線具有重要的意義。
2、對于銀碲化合物來說，雖然其具有良好的電學性能、顯著的熱電效應、出色的光學性能、高穩定性等優異性質，但其通常以二維蜂窩狀平面的方式存在。由于二維材料在器件中集成難度大、性能調控復雜、傳感器選擇性差與響應慢等局限性，對在器件方面的應用產生了較大的阻礙。因此，探索更多有效的制備一維銀碲化合物納米線的方法，對于推動銀碲化合物的研究和應用具有重要意義。
技術實現思路
1、針對上述制備一維銀碲化合物納米線的困難，本專利技術提出一種一維碲化銀納米線的制備方法。具體地，本專利技術利用高覆蓋度的碲粉末在銀襯底表面產生應力的策略，通過分子束外延技術精確控制碲粉末在銀襯底表面的沉積量，將上述樣品升溫到生長溫度后保溫一定，接著將所述樣品冷卻至室溫，得到一維碲化銀納米線。本專利技術通過以下技術方案來實現。
2、一種一維碲化銀納米線的制備方法，其步驟包括:
3、步驟1、制備銀單晶基底；
5、所述步驟1中銀單晶基底的制備過程，具體為：
6、步驟1.1、在超高真空腔內，對銀襯底進行氬離子濺射處理得到銀基底；
7、步驟1.2、將步驟1.1得到的銀基底加熱到400℃-500℃，保溫10-30分鐘得到銀單晶基底。
8、所述步驟2中碲粉末通過分子束外延技術的蒸發溫度190℃-195℃。
9、所述步驟2中碲粉末的沉積時間為100分鐘-120分鐘。
10、根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟2中生長溫度為300℃-400℃。
11、所述步驟2中保溫時間為60分鐘-120分鐘。
12、所述的一維碲化銀納米線寬度小于1納米，長度大于50納米。
13、本專利技術的有益效果是：
14、本專利技術能制備一維碲化銀納米線。
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1.一種一維碲化銀納米線制備方法，其特征在于步驟包括：
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟1中銀單晶基底的制備過程，具體為：
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟2中碲粉末通過分子束外延技術的蒸發溫度190℃-195℃。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟2中碲粉末的沉積時間為100分鐘-120分鐘。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟2中生長溫度為300℃-400℃。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟2中保溫時間為60分鐘-120分鐘。
7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的一維碲化銀納米線寬度小于1納米，長度大于50納米。
【技術特征摘要】
1.一種一維碲化銀納米線制備方法，其特征在于步驟包括：
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟1中銀單晶基底的制備過程，具體為：
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟2中碲粉末通過分子束外延技術的蒸發溫度190℃-195℃。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟2中碲粉...
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