【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，尤其涉及一種反應腔及薄膜沉積設備。
技術介紹
1、在薄膜沉積
中，反應源及氣體的精準控制對于在晶圓表面形成高質量薄膜至關重要。這一過程通常在反應腔內完成，其中加熱盤類型和抽氣方式的選擇對沉積效果具有決定性影響。然而，當前的反應腔設計普遍面臨靈活性不足的問題，它們大多只能按照原始設計要求運行，一旦工藝需求發生變化，就需要對整個反應腔進行重新設計，這極大地限制了其在多樣化工藝場景下的應用。特別是一體式反應腔，其設計往往針對特定工藝，缺乏必要的拓展性。無論是更換不同尺寸的加熱盤，還是調整抽氣方式，都意味著需要對腔體結構進行大幅修改，這不僅耗時費力，還伴隨著高昂的硬件更換成本。因此，開發一種能夠適應多樣化工藝需求、具備良好拓展性的反應腔設計顯得尤為重要。
技術實現思路
1、本專利技術的實施例提供了一種反應腔及薄膜沉積設備，旨在解決現有的反應腔靈活性差，難以適應多種工藝需求的問題。
2、第一方面，本專利技術提供了一種反應腔，包括：腔體和兩個底板，所述腔體中設有第一腔室和第二腔室，所述第一腔室與所述第二腔室相鄰設置且上下貫穿所述腔體，所述底板上開設有加熱盤通孔；
3、其中，兩個所述底板可拆卸地封閉于所述第一腔室和所述第二腔室的底部。
4、進一步地，所述腔體上開設有上下貫穿所述腔體的兩個側抽氣口，兩個所述側抽氣口相鄰地設于所述第一腔室和所述第二腔室之間。
5、進一步地，反應腔還包括密封件，所述密封件可拆卸地封閉于兩個所述
6、進一步地，所述第一腔室的頂部與所述第二腔室的頂部之間設有隔離部，所述隔離部由所述腔體的一側內壁朝向所述腔體相對的另一側內壁延伸且不相接以形成缺口；其中，所述密封件可拆卸地拼接于所述缺口處隔離所述第一腔室和所述第二腔室。
7、進一步地，所述密封件為三角塊，所述三角塊的寬端與所述腔體的內壁貼合，所述三角塊的寬端封堵兩個所述側抽氣口，所述三角塊的窄端與所述隔離部貼合。
8、進一步地，所述底板上開設有底部抽氣口。
9、進一步地，所述第一腔室和所述第二腔室均開設有傳片閥口，兩個所述傳片閥口由所述腔體的側壁分別徑向貫通至所述第一腔室和所述第二腔室。
10、進一步地，反應腔還包括兩個吹掃襯套，所述吹掃襯套上設有吹掃氣道，兩個所述吹掃襯套分別可拆卸地設于兩個所述傳片閥口，所述腔體上開設有兩個吹掃氣孔，兩個所述吹掃氣孔由所述腔體的底部分別貫通至兩個所述傳片閥口；其中，所述吹掃氣道與所述吹掃氣孔連通以將吹掃氣體導引至所述第一腔室和所述第二腔室。
11、進一步地，所述吹掃襯套沿所述腔體的徑向設有貫通的進氣口，所述吹掃氣道包括環形氣道和若干進氣孔，所述環形氣道環繞所述進氣口的周向開設，所述吹掃氣孔與所述環形氣道連通，若干所述進氣孔設于所述環形氣道上以連通所述環形氣道與所述進氣口。
12、進一步地，所述吹掃襯套上設有限位槽，所述傳片閥口上設有限位凸臺，所述吹掃襯套通過所述限位槽與所述限位凸臺配合固設于所述傳片閥口。
13、進一步地，反應腔還包括兩個腔室襯套，所述腔室襯套上開設有襯套加熱盤通孔和/或襯套傳片閥口，兩個所述腔室襯套分別可拆卸地設于所述第一腔室和所述第二腔室中。
14、進一步地，所述第一腔室和所述第二腔室的內壁上均設有環形定位臺階，所述腔室襯套的底部凸設有定位凸臺，所述定位凸臺置于所述環形定位臺階中。
15、第二方面，本專利技術還提供一種薄膜沉積設備，包括上述的反應腔。
16、本專利技術提供一種反應腔及薄膜沉積設備，該反應腔包括：腔體和兩個底板，腔體包括第一腔室和第二腔室，第一腔室和第二腔室是上下貫通的，底板上設置有加熱盤通孔，兩個底板可拆卸地封閉在第一腔室和第二腔室的底部，通過將一體式的腔體改進為組合式的腔體和底板的結構，當存在更換不同尺寸的加熱盤需求時，可以將底板拆卸下來進行加熱盤更換，以便適配不同尺寸的加熱盤，滿足不同的工藝需求，提高了反應腔的靈活性和通用性，不需要修改腔體結構，節省硬件更換和開發成本。
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1.一種反應腔，其特征在于，包括：腔體和兩個底板，所述腔體中設有第一腔室和第二腔室，所述第一腔室與所述第二腔室相鄰設置且上下貫穿所述腔體，所述底板上開設有加熱盤通孔；
2.根據權利要求1所述的反應腔，其特征在于，所述腔體上開設有上下貫穿所述腔體的兩個側抽氣口，兩個所述側抽氣口相鄰地設于所述第一腔室和所述第二腔室之間。
3.根據權利要求2所述的反應腔，其特征在于，還包括密封件，所述密封件可拆卸地封閉于兩個所述側抽氣口。
4.根據權利要求3所述的反應腔，其特征在于，所述第一腔室的頂部與所述第二腔室的頂部之間設有隔離部，所述隔離部由所述腔體的一側內壁朝向所述腔體相對的另一側內壁延伸且不相接以形成缺口，所述密封件可拆卸地拼接于所述缺口處以隔離所述第一腔室和所述第二腔室。
5.根據權利要求4所述的反應腔，其特征在于，所述密封件為三角塊，所述三角塊的寬端與所述腔體的內壁貼合，所述三角塊的寬端封堵兩個所述側抽氣口，所述三角塊的窄端與所述隔離部貼合。
6.根據權利要求1所述的反應腔，其特征在于，所述底板上開設有底部抽氣口。
8.根據權利要求7所述的反應腔，其特征在于，還包括兩個吹掃襯套，所述吹掃襯套上設有吹掃氣道，兩個所述吹掃襯套分別可拆卸地設于兩個所述傳片閥口，所述腔體上開設有兩個吹掃氣孔，兩個所述吹掃氣孔由所述腔體的底部分別貫通至兩個所述傳片閥口；其中，所述吹掃氣道與所述吹掃氣孔連通以將吹掃氣體導引至所述第一腔室和所述第二腔室。
9.根據權利要求8所述的反應腔，其特征在于，所述吹掃襯套沿所述腔體的徑向設有貫通的進氣口，所述吹掃氣道包括環形氣道和若干進氣孔，所述環形氣道環繞所述進氣口的周向開設，所述吹掃氣孔與所述環形氣道連通，若干所述進氣孔設于所述環形氣道上以連通所述環形氣道與所述進氣口。
10.根據權利要求8所述的反應腔，其特征在于，所述吹掃襯套上設有限位槽，所述傳片閥口上設有限位凸臺，所述吹掃襯套通過所述限位槽與所述限位凸臺配合固設于所述傳片閥口。
11.根據權利要求1-6任一項所述的反應腔，其特征在于，還包括兩個腔室襯套，所述腔室襯套上開設有襯套加熱盤通孔和/或襯套傳片閥口，兩個所述腔室襯套分別可拆卸地設于所述第一腔室和所述第二腔室中。
12.根據權利要求11所述的反應腔，其特征在于，所述第一腔室和所述第二腔室的內壁上均設有環形定位臺階，所述腔室襯套的底部凸設有定位凸臺，所述定位凸臺置于所述環形定位臺階中。
13.一種薄膜沉積設備，其特征在于，包括如權利要求1-12任一項所述的反應腔。
...【技術特征摘要】
1.一種反應腔，其特征在于，包括：腔體和兩個底板，所述腔體中設有第一腔室和第二腔室，所述第一腔室與所述第二腔室相鄰設置且上下貫穿所述腔體，所述底板上開設有加熱盤通孔；
2.根據權利要求1所述的反應腔，其特征在于，所述腔體上開設有上下貫穿所述腔體的兩個側抽氣口，兩個所述側抽氣口相鄰地設于所述第一腔室和所述第二腔室之間。
3.根據權利要求2所述的反應腔，其特征在于，還包括密封件，所述密封件可拆卸地封閉于兩個所述側抽氣口。
4.根據權利要求3所述的反應腔，其特征在于，所述第一腔室的頂部與所述第二腔室的頂部之間設有隔離部，所述隔離部由所述腔體的一側內壁朝向所述腔體相對的另一側內壁延伸且不相接以形成缺口，所述密封件可拆卸地拼接于所述缺口處以隔離所述第一腔室和所述第二腔室。
5.根據權利要求4所述的反應腔，其特征在于，所述密封件為三角塊，所述三角塊的寬端與所述腔體的內壁貼合，所述三角塊的寬端封堵兩個所述側抽氣口，所述三角塊的窄端與所述隔離部貼合。
6.根據權利要求1所述的反應腔，其特征在于，所述底板上開設有底部抽氣口。
7.根據權利要求1-6任一項所述的反應腔，其特征在于，所述第一腔室和所述第二腔室均開設有傳片閥口，兩個所述傳片閥口由所述腔體的側壁分別徑向貫通至所述第一腔室和所述第二腔室。
8.根據權利要求7所述的反應腔，其特...
【專利技術屬性】
技術研發人員：高菁，尹晶，關帥，齊永恒，吳鳳麗，
申請(專利權)人：拓荊創益沈陽半導體設備有限公司，
類型：發明
國別省市：
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