【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于分子生物學和植物抗逆性領域，具體涉及一種外源施加mecpp提高植物抗性的方法。
技術介紹
1、近年來，苔蘚植物因其易于培養、生活史短、可用于景觀建造和環境監測等優勢，受到了廣泛關注。研究表明，苔蘚植物分化于約4.7億年前，其在長期適應環境變化過程中已經進化出一定的逆境脅迫耐受性，是一種優質的抗逆研究材料。小立碗蘚(physcomitriumpatens)的基因組測序完成，遺傳背景清晰，它的許多基因都參與植物脅迫反應。
2、2-c-甲基-d-赤蘚糖醇2,4-環二磷酸(methylerythritol?cyclodiphosphate，mecpp)是甲基赤蘚糖醇磷酸(methylerythritolphosphate，mep)途徑的中間代謝產物。在現有技術中，通常是通過逆境脅迫和遺傳改良的方法來增加植物內源mecpp含量，但上述方法的效果并不理想。比如，逆境脅迫會影響植物的生長發育和作物的產量和質量；遺傳改良周期長且部分植物沒有合適的遺傳轉化體系。
3、因此，如何提供一種適用性廣、方便快捷的提高植物抗性的方法成為了本領域亟待解決的問題。
技術實現思路
1、為了解決提升植物抗逆性過程中存在的改良周期長、沒有合適的遺傳轉化體系的問題，本專利技術提供了一種遺傳改良周期短、適用于大部分植物且能提高植物抗性的外源施加mecpp的方法，本專利技術提供了如下技術方案：
2、本專利技術提供了2-c-甲基-d-赤蘚糖醇2,4-環二磷酸在提高植物抗性中的應
3、本專利技術還提供了一種外源施加2-c-甲基-d-赤蘚糖醇2,4-環二磷酸提高植物抗性的方法，包括如下步驟：
4、將2-c-甲基-d-赤蘚糖醇2,4-環二磷酸溶液噴施于苗期植物葉片上。
5、優選地，噴施所述2-c-甲基-d-赤蘚糖醇2,4-環二磷酸溶液時，直至葉面有2-c-甲基-d-赤蘚糖醇2,4-環二磷酸溶液滴落。
6、優選地，所述提高植物抗性為提高植物耐高溫性能。
7、優選地，所述植物為小立碗蘚。
8、本專利技術還提供了一種耐高溫植物的培育方法，包括如下步驟：
9、按如上所述的方法處理植物葉片1h后，將植物進行耐高溫培養，再對植物進行恢復培養，得到耐高溫植物。
10、優選地，所述植物為苗期植物。
11、優選地，所述耐高溫培養的操作為：將植物于40～45℃環境中培養4～5h。
12、優選地，所述恢復培養的操作為：將植物于25℃環境中培養。
13、優選地，所述植物為小立碗蘚。
14、本專利技術的有益效果在于：
15、本專利技術提供了一種外源施加mecpp提高植物抗性的方法，通過將mecpp溶液噴施于苗期植物葉片上實現。本專利技術外源施加mecpp提高植物抗性的方法簡單易操作、節約時間、適用范圍廣、符合經濟性，并且經過外源施加mecpp后，植物的抗性顯著提升，具有理想的應用前景。
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1.2-C-甲基-D-赤蘚糖醇2,4-環二磷酸在提高植物抗性中的應用，其特征在于，所述2-C-甲基-D-赤蘚糖醇2,4-環二磷酸為2-C-甲基-D-赤蘚糖醇2,4-環二磷酸溶液，所述2-C-甲基-D-赤蘚糖醇2,4-環二磷酸溶液的濃度為10μM～50μM。
2.一種外源施加2-C-甲基-D-赤蘚糖醇2,4-環二磷酸提高植物抗性的方法，其特征在于，包括如下步驟：
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，噴施所述2-C-甲基-D-赤蘚糖醇2,4-環二磷酸溶液時，直至葉面有2-C-甲基-D-赤蘚糖醇2,4-環二磷酸溶液滴落。
4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述提高植物抗性為提高植物耐高溫性能。
5.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述植物為小立碗蘚。
6.一種耐高溫植物的培育方法，其特征在于，包括如下步驟：
7.如權利要求6所述的培育方法，其特征在于，所述植物為苗期植物。
8.如權利要求6所述的培育方法，其特征在于，所述耐高溫培養的操作為：將植物于40～45℃環境中培養4～5h。
<...【技術特征摘要】
1.2-c-甲基-d-赤蘚糖醇2,4-環二磷酸在提高植物抗性中的應用，其特征在于，所述2-c-甲基-d-赤蘚糖醇2,4-環二磷酸為2-c-甲基-d-赤蘚糖醇2,4-環二磷酸溶液，所述2-c-甲基-d-赤蘚糖醇2,4-環二磷酸溶液的濃度為10μm～50μm。
2.一種外源施加2-c-甲基-d-赤蘚糖醇2,4-環二磷酸提高植物抗性的方法，其特征在于，包括如下步驟：
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，噴施所述2-c-甲基-d-赤蘚糖醇2,4-環二磷酸溶液時，直至葉面有2-c-甲基-d-赤蘚糖醇2,4-環二磷酸溶液滴落。
4.如權利要求2所述的方...
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