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    一種堿性電解槽中雷尼鎳電極的析氫性能優(yōu)化方法技術(shù)

    技術(shù)編號(hào):44527295 閱讀:2 留言:0更新日期:2025-03-07 13:17
    本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)公開(kāi)了一種堿性電解槽中雷尼鎳電極的析氫性能優(yōu)化方法。本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)的析氫性能優(yōu)化方法,包括:選用鉑對(duì)電極、雷尼鎳工作電極、參比電極和硫酸電解液組成的三電極電化學(xué)體系,對(duì)三電極電化學(xué)體系進(jìn)行循環(huán)伏安法掃描,將鉑基對(duì)電極上的鉑先氧化后還原以納米顆粒沉積在雷尼鎳的表面上。本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)的析氫性能優(yōu)化方法,工藝簡(jiǎn)單、成本低廉、無(wú)環(huán)境污染、原子利用率高,進(jìn)一步優(yōu)化雷尼鎳的性能,降低制氫能耗,實(shí)現(xiàn)了綠氫的降本增效。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本專(zhuān)利技術(shù)涉及電化學(xué)合成和制氫,具體地說(shuō)是一種堿性電解槽中雷尼鎳電極的析氫性能優(yōu)化方法


    技術(shù)介紹

    1、電解水技術(shù)是通過(guò)電能將水分解為氫氣和氧氣的過(guò)程(2h2o→2h2+o2)。目前堿性水電解(alk)因技術(shù)成熟度高、成本低廉受到了廣泛的關(guān)注。然而,alk制氫能耗一直居高不下,生產(chǎn)1nm3氫氣大約需要4.5kwh,大大增加了制氫的用電成本。為了進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)alk技術(shù)的降本增效和優(yōu)化堿槽的體積,開(kāi)發(fā)高效、快捷、低成本的析氫催化劑是技術(shù)關(guān)鍵。

    2、目前工業(yè)alk制氫電解槽中通常以商業(yè)雷尼鎳作為析氫電極,然而雷尼鎳的電流密度通常只能達(dá)到幾百毫安,因此其性能仍有進(jìn)一步改性和提高的空間。例如中國(guó)專(zhuān)利cn116695162a公開(kāi)了一種侵蝕造孔溶液進(jìn)行24h侵蝕造孔處理后,將nico合金涂到電極增加了雷尼鎳電解的電流密度。中國(guó)專(zhuān)利cn114318361a公開(kāi)了一種通過(guò)超聲熱解法在雷尼鎳合金電極表面制備氧化釩顆粒修飾電極,降低了過(guò)電位,提高了電流密度。中國(guó)專(zhuān)利cn113430535a以氧化石墨烯(go)為原料通過(guò)溶解、復(fù)合沉積、管式爐摻入氮源、氬氣還原、多次乙醇清洗、循環(huán)伏安法等步驟構(gòu)筑nicogo的多元金屬基底,但沒(méi)有給出具體優(yōu)化后的析氫性能。然而,上述方法中采用的制備工藝流程和工藝設(shè)備復(fù)雜,同時(shí)間接地增加了人力和設(shè)備成本。


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、為高效、低成本地優(yōu)化雷尼鎳的析氫性能,本專(zhuān)利技術(shù)提供一種利用電化學(xué)循環(huán)伏安法快速進(jìn)行雷尼鎳電極的納米顆粒修飾改性方法,其僅需要在電化學(xué)三電極體系中,通過(guò)電化學(xué)氧化還原,將對(duì)電極的鉑原子先氧化后還原以納米顆粒沉積在工作電極雷尼鎳上,以快速優(yōu)化雷尼鎳的析氫性能。

    2、為實(shí)現(xiàn)上述目的,本專(zhuān)利技術(shù)采用以下技術(shù)方案:一種堿性電解槽中雷尼鎳電極的析氫性能優(yōu)化方法,其選用鉑對(duì)電極、雷尼鎳工作電極、參比電極和硫酸電解液組成的三電極電化學(xué)體系,對(duì)三電極電化學(xué)體系進(jìn)行循環(huán)伏安法掃描,將鉑對(duì)電極上的鉑先氧化后還原以納米顆粒沉積在雷尼鎳的表面上。

    3、本專(zhuān)利技術(shù)通過(guò)簡(jiǎn)單的電化學(xué)氧化還原實(shí)現(xiàn)pt納米顆粒的沉積,pt對(duì)電極在氧化電位下首先失去電子變成pt2+(pt?–?2e-→?pt2+),微量的pt2+溶解在溶液中后,又被還原到工作電極變成pt0(pt2++?2e-→?pt0)沉積在雷尼鎳上。

    4、循環(huán)伏安法的參數(shù)設(shè)置,包括掃速、電壓區(qū)間、次數(shù)會(huì)大大影響pt的沉積速率、成核機(jī)制、成核大小和催化的尺寸效應(yīng)。

    5、進(jìn)一步地,所述循環(huán)伏安法的掃描次數(shù)為250-350次,優(yōu)選為280-320次,最優(yōu)選為300次。過(guò)低的掃描次數(shù)會(huì)導(dǎo)致負(fù)載在雷尼鎳電極上的pt原子不夠,析氫性能不佳;過(guò)高的掃描次數(shù)會(huì)導(dǎo)致pt原子團(tuán)聚為大顆粒,而非納米顆粒,從而喪失尺寸效應(yīng),弱化析氫性能,也會(huì)導(dǎo)致容易脫落。

    6、進(jìn)一步地,所述循環(huán)伏安法的掃描區(qū)間在0.0v~-0.5v。

    7、進(jìn)一步地,所述循環(huán)伏安法的掃速為100-200mv/s,優(yōu)選為100-150mv/s,最優(yōu)選為100v/s。掃描速度過(guò)快會(huì)導(dǎo)致pt成核較快,無(wú)法以納米顆粒分散成核,掃速過(guò)慢會(huì)增加反應(yīng)時(shí)間。

    8、本專(zhuān)利技術(shù)通過(guò)合理設(shè)置循環(huán)伏安法的參數(shù),如電壓區(qū)間、掃速、次數(shù),對(duì)提高合成速率、降低材料和用電成本具有顯著意義。

    9、進(jìn)一步地,所述鉑對(duì)電極的材料為鉑片、鉑網(wǎng)、鉑絲之一,其能提供大量的pt原子。

    10、進(jìn)一步地,所述的參比電極為ag/agcl電極。

    11、進(jìn)一步地,所述的雷尼鎳工作電極為商業(yè)雷尼鎳電極,降低工成本,且無(wú)預(yù)處理、高溫煅燒、復(fù)雜的藥品參與反應(yīng)、后處理等繁瑣材料合成步驟。

    12、進(jìn)一步地,所述的硫酸優(yōu)選為0.4-0.6m?h2so4。

    13、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本專(zhuān)利技術(shù)具有的有益效果是:1.分散在雷尼鎳上的納米顆粒pt原子,一方面極大地提高了活性位點(diǎn)的數(shù)量,另一方面優(yōu)化了雷尼鎳電極的析氫反應(yīng)動(dòng)力學(xué);此外,該納米顆粒的沉積方式也進(jìn)一步極大地提高金屬pt原子的利用率。2.本專(zhuān)利技術(shù)僅以商業(yè)化低成本的雷尼鎳作為工作電極,無(wú)預(yù)處理、高溫煅燒、復(fù)雜的藥品參與反應(yīng)、后處理等繁瑣材料合成步驟,僅通過(guò)短時(shí)間的循環(huán)伏安法氧化還原即可實(shí)現(xiàn)雷尼鎳電極的修飾,適合大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。3.本專(zhuān)利技術(shù)與普通的未處理雷尼鎳電極網(wǎng)的性能比較,性能提升了4-5倍,效果顯著。

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    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.一種堿性電解槽中雷尼鎳電極的析氫性能優(yōu)化方法,其特征在于,選用鉑對(duì)電極、雷尼鎳工作電極、參比電極和硫酸電解液組成的三電極電化學(xué)體系,對(duì)三電極電化學(xué)體系進(jìn)行循環(huán)伏安法掃描,將鉑對(duì)電極上的鉑先氧化后還原以納米顆粒沉積在雷尼鎳的表面上。

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種堿性電解槽中雷尼鎳電極的析氫性能優(yōu)化方法,其特征在于,

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種堿性電解槽中雷尼鎳電極的析氫性能優(yōu)化方法,其特征在于,所述循環(huán)伏安法的掃描次數(shù)為280-320次。

    4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種堿性電解槽中雷尼鎳電極的析氫性能優(yōu)化方法,其特征在于,所述循環(huán)伏安法的掃描區(qū)間在0.0V~-0.5V。

    5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種堿性電解槽中雷尼鎳電極的析氫性能優(yōu)化方法,其特征在于,所述循環(huán)伏安法的掃速為100-200mV/s。

    6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種堿性電解槽中雷尼鎳電極的析氫性能優(yōu)化方法,其特征在于,所述循環(huán)伏安法的掃速為100-150mV/s。

    7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種堿性電解槽中雷尼鎳電極的析氫性能優(yōu)化方法,其特征在于,

    8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種堿性電解槽中雷尼鎳電極的析氫性能優(yōu)化方法,其特征在于,

    9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種堿性電解槽中雷尼鎳電極的析氫性能優(yōu)化方法,其特征在于,所述的雷尼鎳工作電極為商業(yè)雷尼鎳電極。

    10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種堿性電解槽中雷尼鎳電極的析氫性能優(yōu)化方法,其特征在于,所述的硫酸為0.4-0.6M?H2SO4。

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種堿性電解槽中雷尼鎳電極的析氫性能優(yōu)化方法,其特征在于,選用鉑對(duì)電極、雷尼鎳工作電極、參比電極和硫酸電解液組成的三電極電化學(xué)體系,對(duì)三電極電化學(xué)體系進(jìn)行循環(huán)伏安法掃描,將鉑對(duì)電極上的鉑先氧化后還原以納米顆粒沉積在雷尼鎳的表面上。

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種堿性電解槽中雷尼鎳電極的析氫性能優(yōu)化方法,其特征在于,

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種堿性電解槽中雷尼鎳電極的析氫性能優(yōu)化方法,其特征在于,所述循環(huán)伏安法的掃描次數(shù)為280-320次。

    4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種堿性電解槽中雷尼鎳電極的析氫性能優(yōu)化方法,其特征在于,所述循環(huán)伏安法的掃描區(qū)間在0.0v~-0.5v。

    5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種堿性電解槽中雷尼鎳電極的析...

    【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:劉敏李洋,趙波鄭新宇,吳啟亮邵歸寧,章雷其,賈巖松,顧超華
    申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人:國(guó)網(wǎng)浙江省電力有限公司電力科學(xué)研究院
    類(lèi)型:發(fā)明
    國(guó)別省市:

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