【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及電路板生產(chǎn)，尤其與一種電路板臺階槽處理方法相關(guān)。
技術(shù)介紹
1、在印制電路板的制造中，通常會在其表面設(shè)計出臺階槽，而臺階槽內(nèi)往往存在線路圖形，為確保在表面處理過程中，臺階槽內(nèi)的線路圖形不出現(xiàn)漏鍍的現(xiàn)象，需要在壓合的過程中防止pp膠流至臺階槽內(nèi)的線路圖形上。為確保臺階槽內(nèi)的線路圖形無膠跡存在，在臺階槽的加工過程中需要在臺階槽內(nèi)的粘貼阻膠膜，同時對位于阻膠膜處的pp進行開窗處理。常規(guī)的做法是在線路板上粘貼阻膠膜，然后根據(jù)臺階槽的尺寸與形狀對阻膠膜進行加工，最后再把不需要保留在線路板上的阻膠膜撕掉，剩余的阻膠膜則覆蓋于臺階槽內(nèi)。但由于臺階槽內(nèi)的線路圖形間隙較小，銅面與基材的高低差較大，阻膠膜表面張力等原因，阻膠膜在線路的邊緣難以與基材完全吻合，從而形成縫隙，在壓合的過程中，pp膠順著上述縫隙溢流至臺階槽內(nèi)或臺階槽內(nèi)的線路上，在進行后續(xù)的表面處理時，就會影響表面處理的效果。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、針對上述相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本申請?zhí)峁┮环N電路板臺階槽處理方法，保證將阻膠膜與臺階槽之間沒有縫隙，避免pp溢膠至臺階槽內(nèi)而影響后續(xù)的表面處理效果，具有較強的實用性。
2、為了實現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)采用以下技術(shù)：
3、一種電路板臺階槽處理方法，包括以下步驟：
4、s1、貼阻膠膜：使用電路板覆膜裝置在電路板表面覆蓋一層阻膠膜，且尺寸不小于電路板；
5、s2、一次快壓：將阻膠膜與電路板壓合；
6、s3、切阻膠膜：利用激光繞臺階槽內(nèi)的
7、s4、貼覆蓋膜：使用電路板覆膜裝置在阻膠膜表面覆蓋一層覆蓋膜，且覆蓋膜的尺寸與阻膠膜等大；
8、s5、二次快壓：將覆蓋膜與電路板壓合；
9、s6、切覆蓋膜：利用激光沿著臺階槽的形狀對阻膠膜進行切割，且激光切割后的覆蓋膜尺寸比臺階槽的尺寸小4mil；
10、s7、撕膜：將位于臺階槽以外的阻膠膜和覆蓋膜均撕下。
11、進一步地，s1、s4中所使用的電路板覆膜裝置包括：
12、支撐板，有兩個，且對稱布置，支撐板之間沿其長度方向設(shè)有多個輸送輥，用于輸送電路板；
13、限位機構(gòu)，包括兩個設(shè)于支撐板之間，且相向移動的夾板，用于對電路板兩側(cè)限位，夾板之間設(shè)有沿豎直方向移動設(shè)置的擋塊，用于抵接到電路板的一端；
14、覆膜機構(gòu)，包括設(shè)于支撐板上方，并沿豎直方向移動設(shè)置的升降架，升降架兩端設(shè)有繞自身軸線轉(zhuǎn)動的導(dǎo)向輥，遠(yuǎn)離擋塊的導(dǎo)向輥用于輸送阻膠膜或者覆蓋膜，靠近擋塊的導(dǎo)向輥用于轉(zhuǎn)移阻膠膜或者覆蓋膜多余的側(cè)邊，且擋塊位于兩個導(dǎo)向輥之間，位于遠(yuǎn)離擋塊的導(dǎo)向輥和擋塊之間的阻膠膜或者覆蓋膜處于水平狀態(tài)，導(dǎo)向輥之間設(shè)有壓板和沿支撐板長度方向移動設(shè)置的壓輥，且壓板位于壓輥和擋塊之間，壓板呈倒置的l形，且壓輥最低點與壓板水平段的底部齊平，壓輥用于將阻膠膜或者覆蓋膜覆蓋于電路板上，壓板用于對電路板的一端限位，且將阻膠膜或者覆蓋膜與電路板接觸，壓板的豎直段兩端均設(shè)有穿孔，用于穿過阻膠膜或者覆蓋膜多余的側(cè)邊。
15、進一步地，s1、s4中利用電路板覆膜裝置進行覆膜的步驟均包括：
16、s01、將電路板轉(zhuǎn)移至輸送輥上，使擋塊抵接到電路板的一端，并且夾板對電路板的兩側(cè)限位；
17、s02、升降架向下移動，壓板下端抵接到擋塊的上端，并使擋塊與壓板同步向下移動，壓板的水平段及壓輥抵接到電路板的表面，阻膠膜或者覆蓋膜與電路板的表面接觸，且壓板的豎直段抵接到電路板的端部；
18、s03、驅(qū)使壓輥從升降架設(shè)有壓板的一端移動至另一端，從而將阻膠膜或者覆蓋膜與電路板的表面貼合；
19、s04、對阻膠膜或者覆蓋膜進行切割，使覆蓋于電路板表面的阻膠膜或者覆蓋膜與其他部分分離；
20、s05、將升降架向上移動，并且壓輥復(fù)位，并且阻膠膜或者覆蓋膜也移動一段距離；
21、s06、通過輸送輥將覆膜后的電路板輸送離開。
22、進一步地，阻膠膜的厚度27.5um或50um。
23、進一步地，覆蓋膜的厚度50um-75um。
24、進一步地，s2中一次快壓的溫度為150℃-180℃，壓力為120kg/cm2-150kg/cm2，時間為120s-150s。
25、進一步地，s5中二次快壓的溫度為140℃-150℃，壓力為100kg/cm2-120kg/cm2，時間為80s-120s。
26、本專利技術(shù)有益效果在于：通過將阻膠膜覆蓋于臺階槽中，并利用激光將阻膠膜加工出于臺階槽相同的形狀，使阻膠膜能夠與基材吻合，并且覆蓋一層覆蓋膜，使阻膠膜與覆蓋膜之間形成復(fù)合型膜，利用覆蓋膜ad膠的填充性，填充阻膠膜與臺階槽中線路之間可能存在的縫隙，防止后續(xù)壓合工序中pp溢膠至臺階槽內(nèi)，避免影響后續(xù)表面處理的效果。
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1.一種電路板臺階槽處理方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板臺階槽處理方法，其特征在于，S1、S4中使用的電路板覆膜裝置包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路板臺階槽處理方法，其特征在于，S1、S4中利用電路板覆膜裝置進行覆膜的步驟均包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路板臺階槽處理方法，其特征在于，壓板（303）水平段的底面均布有多個吸附孔，S05中還包括以下步驟：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板臺階槽處理方法，其特征在于，阻膠膜的厚度27.5?um或50um。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板臺階槽處理方法，其特征在于，覆蓋膜的厚度50?um-75um。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板臺階槽處理方法，其特征在于，S2中一次快壓的溫度為150℃-180℃，壓力為120?kg/cm2-150kg/cm2，時間為120s-150s。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板臺階槽處理方法，其特征在于，S5中二次快壓的溫度為140℃-150℃，壓力為100?kg/cm2-120kg/cm2
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種電路板臺階槽處理方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板臺階槽處理方法，其特征在于，s1、s4中使用的電路板覆膜裝置包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路板臺階槽處理方法，其特征在于，s1、s4中利用電路板覆膜裝置進行覆膜的步驟均包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路板臺階槽處理方法，其特征在于，壓板（303）水平段的底面均布有多個吸附孔，s05中還包括以下步驟：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板臺階槽處理方法，其特征在于，阻膠膜的...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：艾克華，鄧嵐，陳紹林，胡小軍，楊海軍，胡志強，饒宏勝，
申請(專利權(quán))人：四川英創(chuàng)力電子科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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