【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及芯片質(zhì)量檢測(cè)，具體涉及一種芯片老化測(cè)試過(guò)程中的芯片絕緣缺陷檢測(cè)裝置及方法。
技術(shù)介紹
1、在芯片（例如高功率紅外激光芯片）的老化制程環(huán)節(jié)中，需要向芯片正負(fù)極供電，供電前，需確定每個(gè)芯片的正負(fù)極對(duì)老化測(cè)試平臺(tái)是否短路，并記錄芯片編號(hào)、檢測(cè)時(shí)間、絕緣電阻數(shù)據(jù)等信息，并根據(jù)絕緣電阻信息判斷芯片是否對(duì)老化測(cè)試平臺(tái)短路，該過(guò)程目前基于人工手動(dòng)完成。
2、但基于不同的芯片質(zhì)量要求，對(duì)不同芯片的老化時(shí)間（從8小時(shí)至幾個(gè)月不等）要求不一，若老化時(shí)間較長(zhǎng)（例如1個(gè)月或幾個(gè)月），則需要頻繁定期檢查芯片的絕緣電阻情況，判斷是否存在短路，并重復(fù)絕緣電阻的測(cè)量與記錄工作，該工作若全部依賴人工完成，則存在如下缺陷：上述絕緣電阻檢測(cè)、記錄的時(shí)間周期長(zhǎng)，且重復(fù)性高，導(dǎo)致人員在不同時(shí)間段進(jìn)行檢測(cè)和數(shù)據(jù)記錄時(shí)，容易發(fā)生芯片編號(hào)、絕緣電阻檢測(cè)時(shí)間、絕緣電阻等信息錯(cuò)位的情況，且若檢測(cè)完畢后發(fā)現(xiàn)漏記其中某些信息，則檢測(cè)時(shí)間窗口已錯(cuò)過(guò)，不可補(bǔ)測(cè)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本專利技術(shù)提供了一種芯片老化測(cè)試過(guò)程中的芯片絕緣缺陷檢測(cè)裝置及方法，其基于預(yù)先構(gòu)建的采樣電壓-芯片數(shù)量之間的映射關(guān)系，通過(guò)將自動(dòng)檢測(cè)獲得的當(dāng)前電壓數(shù)字信號(hào)與映射關(guān)系的對(duì)比，即可快速確定是否有芯片存在絕緣缺陷，以及發(fā)生短路的芯片位置。
2、為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本專利技術(shù)提供如下技術(shù)方案：
3、一方面，提供了一種芯片老化測(cè)試過(guò)程中的芯片絕緣缺陷檢測(cè)裝置，其包括：
4、檢測(cè)電源，其具有電源
5、導(dǎo)電單元；
6、首端導(dǎo)線，其一端連接依次串聯(lián)的n個(gè)芯片d1、d2、...、dn中，第1個(gè)芯片d1的正極，另一端連接所述導(dǎo)電單元；
7、尾端導(dǎo)線，其一端連接依次串聯(lián)的n個(gè)芯片d1、d2、...、dn中，第n個(gè)芯片dn的負(fù)極，另一端連接所述導(dǎo)電單元；
8、若干中間導(dǎo)線，且每一中間導(dǎo)線的一端均同時(shí)連接芯片dn-1的負(fù)極以及芯片dn的正極，另一端均連接所述導(dǎo)電單元；
9、電壓采樣單元，其分別連接所述導(dǎo)電單元以及電源負(fù)極v-，用于獲取經(jīng)過(guò)每一導(dǎo)線流向?qū)щ妴卧碾娏魉a(chǎn)生的對(duì)應(yīng)的當(dāng)前電壓模擬信號(hào)，且將每一當(dāng)前電壓模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)的當(dāng)前電壓數(shù)字信號(hào)；
10、以及上位機(jī)，其連接所述電壓采樣單元，用于根據(jù)所有當(dāng)前電壓數(shù)字信號(hào)以及采樣電壓-芯片數(shù)量之間的映射關(guān)系確定是否有芯片與導(dǎo)電單元發(fā)生短路，以及確定發(fā)生短路的芯片編號(hào)。
11、優(yōu)選的，所述導(dǎo)電單元由導(dǎo)電金屬材料制成，且接觸電阻小于1ω。
12、優(yōu)選的，所述電壓采樣單元包括：采樣電阻，其同時(shí)連接所述導(dǎo)電單元、電源負(fù)極v-，用于獲取經(jīng)過(guò)不同導(dǎo)線流向?qū)щ妴卧碾娏魉a(chǎn)生的當(dāng)前電壓模擬信號(hào)；以及信號(hào)轉(zhuǎn)換單元，其用于將每一當(dāng)前電壓模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)的當(dāng)前電壓數(shù)字信號(hào)。
13、優(yōu)選的，每一當(dāng)前電壓模擬信號(hào)在被信號(hào)轉(zhuǎn)換單元進(jìn)行信號(hào)轉(zhuǎn)換之前，均經(jīng)過(guò)信號(hào)放大和濾波處理。
14、優(yōu)選的，所述采樣電壓-芯片數(shù)量之間的映射關(guān)系包括所有芯片均未與導(dǎo)電單元發(fā)生短路時(shí)的第一映射關(guān)系以及至少有1個(gè)芯片與導(dǎo)電單元發(fā)生短路時(shí)的第二映射關(guān)系。
15、優(yōu)選的，第一映射關(guān)系和/或第二映射關(guān)系預(yù)先進(jìn)行構(gòu)建，其包括如下步驟：
16、根據(jù)公式（1）獲取檢測(cè)電源輸出的電流流過(guò)依次串聯(lián)的、不同數(shù)量的芯片后，其產(chǎn)生的對(duì)應(yīng)電壓值vdsp：
17、（1）；
18、其中，v1為檢測(cè)電源的供電電壓；nx為檢測(cè)電源輸出的電流流過(guò)的芯片數(shù)量；vd為電流流過(guò)每一芯片時(shí)所產(chǎn)生的壓降；rs為采樣電阻的電阻阻值；ra為芯片絕緣電阻；ka為信號(hào)放大系數(shù)；
19、將獲得的所有電壓值vdsp以及檢測(cè)電源輸出的電流流過(guò)的芯片數(shù)量nx進(jìn)行擬合，以得到一次函數(shù)曲線。
20、優(yōu)選的，當(dāng)僅有1個(gè)芯片存在絕緣性能缺陷時(shí)，將存在絕緣性能缺陷的芯片絕緣電阻值作為芯片絕緣電阻；當(dāng)有多個(gè)芯片均存在絕緣性能缺陷時(shí)，將存在絕緣性能缺陷的所有芯片的絕緣電阻值進(jìn)行并聯(lián)計(jì)算，并將并聯(lián)計(jì)算的結(jié)果作為芯片絕緣電阻。
21、優(yōu)選的，根據(jù)所有當(dāng)前電壓數(shù)字信號(hào)以及采樣電壓-芯片數(shù)量之間的映射關(guān)系確定是否有芯片與導(dǎo)電單元發(fā)生短路，以及確定發(fā)生短路的芯片編號(hào)，包括如下內(nèi)容：
22、若所有當(dāng)前電壓數(shù)字信號(hào)均在第一映射關(guān)系對(duì)應(yīng)的電壓值范圍內(nèi)，則認(rèn)為所有芯片的絕緣性能均符合要求，均未發(fā)生短路。
23、優(yōu)選的，根據(jù)所有當(dāng)前電壓數(shù)字信號(hào)以及采樣電壓-芯片數(shù)量之間的映射關(guān)系確定是否有芯片與導(dǎo)電單元發(fā)生短路，以及確定發(fā)生短路的芯片編號(hào)，包括如下內(nèi)容：
24、若至少有1個(gè)當(dāng)前電壓數(shù)字信號(hào)不在第一映射關(guān)系對(duì)應(yīng)的電壓值范圍內(nèi)，則將該當(dāng)前電壓數(shù)字信號(hào)與第二映射關(guān)系對(duì)應(yīng)的電壓值進(jìn)行比較，并根據(jù)比較結(jié)果確定nx的值，以及通過(guò)nx的值確定發(fā)生短路的芯片編號(hào)。
25、另一方面，還提供一種通過(guò)上述絕緣缺陷檢測(cè)裝置實(shí)現(xiàn)的芯片絕緣缺陷檢測(cè)方法，其包括如下步驟：
26、通過(guò)上位機(jī)設(shè)定絕緣檢測(cè)時(shí)刻；
27、到達(dá)絕緣監(jiān)測(cè)時(shí)刻時(shí)，上位機(jī)自動(dòng)控制開(kāi)關(guān)閉合，以通過(guò)檢測(cè)電源向依次串聯(lián)的n個(gè)芯片d1、d2、...、dn供電；
28、通過(guò)電壓采樣單元自動(dòng)獲取經(jīng)過(guò)不同導(dǎo)線流向?qū)щ妴卧碾娏魉a(chǎn)生的每一當(dāng)前電壓模擬信號(hào)，并自動(dòng)將每一當(dāng)前電壓模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)的當(dāng)前電壓數(shù)字信號(hào)；
29、上位機(jī)接收所有當(dāng)前電壓數(shù)字信號(hào)，并根據(jù)所有當(dāng)前電壓數(shù)字信號(hào)以及采樣電壓-芯片數(shù)量之間的映射關(guān)系自動(dòng)輸出檢測(cè)結(jié)果，并保存所述檢測(cè)結(jié)果，所述檢測(cè)結(jié)果包括：是否有芯片與導(dǎo)電單元發(fā)生短路，以及確定發(fā)生短路的芯片編號(hào)。
30、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)具備以下有益效果：
31、本專利技術(shù)可基于預(yù)先構(gòu)建的采樣電壓-芯片數(shù)量之間的映射關(guān)系，通過(guò)將自動(dòng)檢測(cè)獲得的當(dāng)前電壓數(shù)字信號(hào)與映射關(guān)系的對(duì)比，即可快速確定是否有芯片存在絕緣缺陷，以及發(fā)生短路的芯片位置，同時(shí)可自動(dòng)輸出檢測(cè)結(jié)果，以便于進(jìn)行自動(dòng)化管理，同時(shí)節(jié)省大量人工整理表格的時(shí)間成本，以及大幅降低因人工記錄數(shù)據(jù)導(dǎo)致的數(shù)據(jù)漏填、錯(cuò)填的情況發(fā)生，提高芯片老化檢測(cè)的效率。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種芯片老化測(cè)試過(guò)程中的芯片絕緣缺陷檢測(cè)裝置，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的芯片絕緣缺陷檢測(cè)裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電單元由導(dǎo)電金屬材料制成，且接觸電阻小于1Ω。
3.如權(quán)利要求1所述的芯片絕緣缺陷檢測(cè)裝置，其特征在于，所述電壓采樣單元包括：采樣電阻，其同時(shí)連接所述導(dǎo)電單元、電源負(fù)極V-，用于獲取經(jīng)過(guò)不同導(dǎo)線流向?qū)щ妴卧碾娏魉a(chǎn)生的當(dāng)前電壓模擬信號(hào)；以及信號(hào)轉(zhuǎn)換單元，其用于將每一當(dāng)前電壓模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)的當(dāng)前電壓數(shù)字信號(hào)。
4.如權(quán)利要求3所述的芯片絕緣缺陷檢測(cè)裝置，其特征在于，每一當(dāng)前電壓模擬信號(hào)在被信號(hào)轉(zhuǎn)換單元進(jìn)行信號(hào)轉(zhuǎn)換之前，均經(jīng)過(guò)信號(hào)放大和濾波處理。
5.如權(quán)利要求3所述的芯片絕緣缺陷檢測(cè)裝置，其特征在于，所述采樣電壓-芯片數(shù)量之間的映射關(guān)系包括所有芯片均未與導(dǎo)電單元發(fā)生短路時(shí)的第一映射關(guān)系以及至少有1個(gè)芯片與導(dǎo)電單元發(fā)生短路時(shí)的第二映射關(guān)系。
6.如權(quán)利要求5所述的芯片絕緣缺陷檢測(cè)裝置，其特征在于，第一映射關(guān)系和/或第二映射關(guān)系預(yù)先進(jìn)行構(gòu)建，其包括如下步驟：
7.如權(quán)利要求6所述
8.如權(quán)利要求5所述的芯片絕緣缺陷檢測(cè)裝置，其特征在于，根據(jù)所有當(dāng)前電壓數(shù)字信號(hào)以及采樣電壓-芯片數(shù)量之間的映射關(guān)系確定是否有芯片與導(dǎo)電單元發(fā)生短路，以及確定發(fā)生短路的芯片編號(hào)，包括如下內(nèi)容：
9.如權(quán)利要求5所述的芯片絕緣缺陷檢測(cè)裝置，其特征在于，根據(jù)所有當(dāng)前電壓數(shù)字信號(hào)以及采樣電壓-芯片數(shù)量之間的映射關(guān)系確定是否有芯片與導(dǎo)電單元發(fā)生短路，以及確定發(fā)生短路的芯片編號(hào)，包括如下內(nèi)容：
10.一種通過(guò)權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述絕緣缺陷檢測(cè)裝置實(shí)現(xiàn)的芯片絕緣缺陷檢測(cè)方法，其特征在于，包括如下步驟：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種芯片老化測(cè)試過(guò)程中的芯片絕緣缺陷檢測(cè)裝置，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的芯片絕緣缺陷檢測(cè)裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電單元由導(dǎo)電金屬材料制成，且接觸電阻小于1ω。
3.如權(quán)利要求1所述的芯片絕緣缺陷檢測(cè)裝置，其特征在于，所述電壓采樣單元包括：采樣電阻，其同時(shí)連接所述導(dǎo)電單元、電源負(fù)極v-，用于獲取經(jīng)過(guò)不同導(dǎo)線流向?qū)щ妴卧碾娏魉a(chǎn)生的當(dāng)前電壓模擬信號(hào)；以及信號(hào)轉(zhuǎn)換單元，其用于將每一當(dāng)前電壓模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)的當(dāng)前電壓數(shù)字信號(hào)。
4.如權(quán)利要求3所述的芯片絕緣缺陷檢測(cè)裝置，其特征在于，每一當(dāng)前電壓模擬信號(hào)在被信號(hào)轉(zhuǎn)換單元進(jìn)行信號(hào)轉(zhuǎn)換之前，均經(jīng)過(guò)信號(hào)放大和濾波處理。
5.如權(quán)利要求3所述的芯片絕緣缺陷檢測(cè)裝置，其特征在于，所述采樣電壓-芯片數(shù)量之間的映射關(guān)系包括所有芯片均未與導(dǎo)電單元發(fā)生短路時(shí)的第一映射關(guān)系以及至少有1個(gè)芯片與導(dǎo)電單元發(fā)生短路時(shí)的第二映射關(guān)系。
6.如權(quán)利要求5所述的芯片絕緣缺陷檢測(cè)裝置，...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李少華，鄧衛(wèi)華，昝國(guó)驥，阮班棟，董雷，高騰，黃文章，程航，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：武漢永力睿源科技有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
還沒(méi)有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。