【技術實現步驟摘要】
本技術涉及半導體測試，具體涉及一種薄膜電阻測試設備。
技術介紹
1、四探針技術原理簡單，具有較高的測試精度，是半導體制造工藝中采用的最為廣泛的工藝監測手段之一。如圖1所示，四探針原理是將四根排成一條直線的探針以一定的壓力垂直地壓在被測樣品表面，在ad探針之間通以電流i(ma)，b、c探針之間就產生一定的電壓vs(mv)。測量此電壓并根據測量方式和樣品的尺寸不同，可分別按相應的公式計算出樣品的電阻率、方塊電阻rs、電阻。四探針技術在硅襯底片、外延片、擴散片、離子注入片、吸雜片、金屬膜和涂層等的薄膜電阻測試項目中廣泛應用，通過阻值測試并以此為依據，控制薄膜樣品的襯底、外延、擴散、離子注入、吸雜、退火等工藝質量。
2、圖2示出了現有技術中薄膜電阻測試設備100’，現有機臺僅包括一個載臺2’和一個四探針檢測頭4’，現有薄膜電阻設備僅能進行單片晶圓檢測。薄膜電阻進行量測時，需要量測晶圓上多個點位，以便反應整體膜層均勻性和特征，單次只能進行單片測量，測量時晶圓固定在托盤上，只有探針移動，耗時常，產量低。并且在產線為了防止污染檢測不同材料的薄膜，薄膜電阻檢測設備只能固定兩側金屬或非金屬，不能混用。
技術實現思路
1、針對現有技術中的問題，本技術的目的在于提供一種薄膜電阻測試設備，提高薄膜電阻測試設備的產能和機臺利用率。
2、本技術實施例提供一種薄膜電阻測試設備，包括：
3、檢測腔，所述檢測腔包括相對的第一側壁和第二側壁；
4、載臺，置于所述檢測腔內
5、第一連接桿，與所述第一側壁沿第一方向可移動連接；
6、第二連接桿，與所述第二側壁沿所述第一方向可移動連接；
7、第一四探針檢測頭，與所述第一連接桿相連接；
8、第二四探針檢測頭，與所述第二連接桿相連接。
9、在一些實施例中，所述第一連接桿通過第一絲桿與所述第一側壁沿所述第一方向滑動連接；
10、所述第二連接桿通過第二絲桿與所述第二側壁沿所述第一方向滑動連接。
11、在一些實施例中，所述第一連接桿通過第一直線電機與所述第一側壁沿所述第一方向滑動連接；
12、所述第二連接桿通過第二直線電機與所述第二側壁沿所述第一方向滑動連接。
13、在一些實施例中，所述第一連接桿通過第一氣缸與所述第一側壁沿所述第一方向滑動連接；
14、所述第二連接桿通過第二氣缸與所述第二側壁沿所述第一方向滑動連接。
15、在一些實施例中，還包括沿第二方向延伸設置第一支撐臂和第二支撐臂，所述第一支撐臂的第一端與所述第一四探針檢測頭相連接，所述第一支撐臂的第二端與所述第一連接桿相連接；
16、所述第二支撐臂的第一端與所述第二四探針檢測頭相連接，所述第二支撐臂的第二端與所述第二連接桿相連接。
17、在一些實施例中，所述載臺上設有承載座，用于放置待測試晶圓。
18、在一些實施例中，所述承載座與所述載臺沿所述第一方向和/或所述第二方向可移動連接。
19、在一些實施例中，所述載臺包括第一載臺和第二載臺，所述第一載臺與所述第二載臺相互平行。
20、在一些實施例中，所述第一載臺和所述第二載臺在所述第一方向上設有間隔距離。
21、在一些實施例中，所述第一載臺與所述第二載臺之間設有活動板。
22、本技術所提供的薄膜電阻測試設備具有如下優點：
23、通過在檢測腔內增設四探針檢測頭的數量，提高薄膜電阻設備的產能；當四探針探頭獨立工作時，可同時檢測金屬薄膜和非金屬薄膜的電阻，提高機臺的利用率。
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1.一種薄膜電阻測試設備，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的薄膜電阻測試設備，其特征在于，所述第一連接桿通過第一絲桿與所述第一側壁沿所述第一方向滑動連接；
3.根據權利要求1所述的薄膜電阻測試設備，其特征在于，所述第一連接桿通過第一直線電機與所述第一側壁沿所述第一方向滑動連接；
4.根據權利要求1所述薄膜電阻測試設備，其特征在于，所述第一連接桿通過第一氣缸與所述第一側壁沿所述第一方向滑動連接；
5.根據權利要求2至4任一項所述的薄膜電阻測試設備，其特征在于，還包括沿第二方向延伸設置第一支撐臂和第二支撐臂，所述第一支撐臂的第一端與所述第一四探針檢測頭相連接，所述第一支撐臂的第二端與所述第一連接桿相連接；
6.根據權利要求5所述的薄膜電阻測試設備，其特征在于，所述載臺上設有承載座，用于放置待測試晶圓。
7.根據權利要求6所述的薄膜電阻測試設備，其特征在于，所述承載座與所述載臺沿所述第一方向和/或所述第二方向可移動連接。
8.根據權利要求7所述的薄膜電阻測試設備，其特征在于，所述載臺包括第一載
9.根據權利要求8所述的薄膜電阻測試設備，其特征在于，所述第一載臺和所述第二載臺在所述第一方向和或所述第二方向上設有間隔距離。
10.根據權利要求9所述的薄膜電阻測試設備，其特征在于，所述第一載臺與所述第二載臺之間設有活動板。
...【技術特征摘要】
1.一種薄膜電阻測試設備，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的薄膜電阻測試設備，其特征在于，所述第一連接桿通過第一絲桿與所述第一側壁沿所述第一方向滑動連接；
3.根據權利要求1所述的薄膜電阻測試設備，其特征在于，所述第一連接桿通過第一直線電機與所述第一側壁沿所述第一方向滑動連接；
4.根據權利要求1所述薄膜電阻測試設備，其特征在于，所述第一連接桿通過第一氣缸與所述第一側壁沿所述第一方向滑動連接；
5.根據權利要求2至4任一項所述的薄膜電阻測試設備，其特征在于，還包括沿第二方向延伸設置第一支撐臂和第二支撐臂，所述第一支撐臂的第一端與所述第一四探針檢測頭相連接，所述第一支撐臂的第二端與所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：蘇顯月，拉海忠，閆曉暉，
申請(專利權)人：上海積塔半導體有限公司，
類型：新型
國別省市：
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