【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本公開涉及一種多層陶瓷電容器。
技術(shù)介紹
1、由于電子產(chǎn)品的尺寸趨于減小，因此要求多層陶瓷電容器的尺寸減小，但仍具有大容量。根據(jù)多層陶瓷電容器的小型化和高電容的需求，多層陶瓷電容器的外電極也需要更薄。
2、形成外電極的膏使用導(dǎo)電金屬(諸如銅(cu))作為其主要材料，從而確保密封性能和與陶瓷主體的電連接性。此外，玻璃用作輔助材料以在導(dǎo)電金屬的燒結(jié)收縮期間填充空的空間，同時提供外電極和陶瓷主體之間的結(jié)合力。
3、多層陶瓷電容器基于其長度和寬度進(jìn)行分類。因此，即使在具有相同長度或?qū)挾鹊亩鄬犹沾呻娙萜髦校沾芍黧w的尺寸也可根據(jù)外電極的厚度而變化，并且電容可相應(yīng)地變化。因此，為了在保持長度和寬度的同時增加電容，外電極必須制造得很薄。然而，如果外電極變薄，則濕氣滲透到陶瓷主體內(nèi)部的風(fēng)險可能增大。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本公開提供一種陶瓷電容器，該陶瓷電容器能夠通過抑制濕氣滲透到陶瓷主體中來改善耐濕可靠性。
2、然而，本公開的實施例不限于所描述的實施例，并且可在本公開中包括的技術(shù)構(gòu)思的范圍內(nèi)進(jìn)行各種擴展。
3、根據(jù)實施例的多層陶瓷電容器包括：陶瓷主體，包括在第一方向上彼此相對的第一表面和第二表面、在第二方向上彼此相對并連接所述第一表面和所述第二表面的第三表面和第四表面以及在第三方向上彼此相對并連接所述第一表面和所述第二表面的第五表面和第六表面；內(nèi)電極，設(shè)置在所述陶瓷主體內(nèi)部；保護(hù)層，設(shè)置在所述陶瓷主體的所述第三表面和所述第四表面上；以及連接電極，覆蓋所
4、所述第一保護(hù)層可包括從所述第三表面延伸到所述第一表面上的第一部分和從所述第三表面延伸到所述第二表面上的第二部分，并且所述第二保護(hù)層可包括從所述第四表面延伸到所述第一表面上的第一部分和從所述第四表面延伸到所述第二表面上的第二部分。
5、所述內(nèi)電極可通過所述一個或多個開口連接到所述連接電極。
6、所述保護(hù)層可包括氧化硅。
7、所述保護(hù)層可具有小于10-7s/cm的電導(dǎo)率。
8、所述保護(hù)層還可包括氧化鈉(na2o)。
9、所述保護(hù)層還可包括氧化銅(ii)(cuo)。
10、所述連接電極可包括與所述保護(hù)層相同材料的顆粒。
11、所述連接電極可包括至少部分地覆蓋所述第一保護(hù)層的第一連接電極和至少部分地覆蓋所述第二保護(hù)層的第二連接電極，所述第一保護(hù)層可具有在所述陶瓷主體的所述第一表面和所述第二表面上沿朝向所述第四表面的方向比所述第一連接電極突出得更遠(yuǎn)的部分，并且所述第二保護(hù)層可具有在所述陶瓷主體的所述第一表面和所述第二表面上沿朝向所述第三表面的方向比所述第二連接電極突出得更遠(yuǎn)的部分。
12、所述多層陶瓷電容器還可包括：第一鍍覆電極和第二鍍覆電極，所述第一鍍覆電極至少部分地覆蓋所述第一連接電極，所述第二鍍覆電極至少部分地覆蓋所述第二連接電極。所述第一保護(hù)層可具有在所述陶瓷主體的所述第一表面和所述第二表面上沿朝向所述第四表面的方向比所述第一鍍覆電極突出得更遠(yuǎn)的部分，并且所述第二保護(hù)層可具有在所述陶瓷主體的所述第一表面和所述第二表面上沿朝向所述第三表面的方向比所述第二鍍覆電極突出得更遠(yuǎn)的部分。
13、所述第一保護(hù)層和所述第二保護(hù)層可具有與所述陶瓷主體接觸的部分。
14、所述第一保護(hù)層的所述第一部分和所述第二部分可各自連續(xù)地延伸而沒有開口，并且所述第二保護(hù)層的所述第一部分和所述第二部分可各自連續(xù)地延伸而沒有開口。
15、所述保護(hù)層可包括包含鈉(na)、銅(ii)(cu)和硅(si)的玻璃。
16、根據(jù)另一實施例的多層陶瓷電容器包括：陶瓷主體，包括在第一方向上彼此相對的第一表面和第二表面、在第二方向上彼此相對并連接所述第一表面和所述第二表面的第三表面和第四表面以及在第三方向上彼此相對并連接所述第一表面和所述第二表面的第五表面和第六表面；內(nèi)電極，設(shè)置在所述陶瓷主體內(nèi)部；保護(hù)層，設(shè)置在所述陶瓷主體的所述第三表面的一部分和所述第四表面的一部分上；以及連接電極，覆蓋所述保護(hù)層。所述連接電極包括通過所述陶瓷主體的所述第三表面和所述第四表面上未設(shè)置所述保護(hù)層的部分與所述內(nèi)電極接觸的部分。
17、所述保護(hù)層可包括從所述第三表面或所述第四表面延伸到所述第一表面和所述第二表面上的部分。
18、開口設(shè)置在所述陶瓷主體的所述第三表面和所述第四表面上未設(shè)置所述保護(hù)層的部分處，并且所述保護(hù)層可具有從所述保護(hù)層的位于所述第一表面或所述第二表面上的一端連續(xù)延伸到所述保護(hù)層的位于所述開口的一側(cè)上的另一端的部分。
19、所述保護(hù)層可包括沿著所述第一表面、所述第三表面和所述第二表面延伸的第一保護(hù)層以及沿著所述第一表面、所述第四表面和所述第二表面延伸的第二保護(hù)層。所述連接電極可包括覆蓋所述第一保護(hù)層的第一連接電極和覆蓋所述第二保護(hù)層的第二連接電極，所述第一保護(hù)層可具有在所述第一表面和所述第二表面上沿朝向所述第四表面的方向比所述第一連接電極突出得更遠(yuǎn)的部分，所述第二保護(hù)層可具有在所述第一表面和所述第二表面上沿朝向所述第三表面的方向比所述第二連接電極突出得更遠(yuǎn)的部分。
20、所述多層陶瓷電容器還可包括：第一鍍覆電極和第二鍍覆電極，所述第一鍍覆電極覆蓋所述第一連接電極，所述第二鍍覆電極覆蓋所述第二連接電極。所述第一保護(hù)層可具有在所述第一表面和所述第二表面上沿朝向所述第四表面的方向比所述第一鍍覆電極突出得更遠(yuǎn)的部分，所述第二保護(hù)層可具有在所述第一表面和所述第二表面上沿朝向所述第三表面的方向比所述第二鍍覆電極突出得更遠(yuǎn)的部分。
21、所述保護(hù)層的所述部分可從所述第三表面或所述第四表面連續(xù)地延伸到所述第一表面和所述第二表面而沒有開口。
22、所述保護(hù)層可包括包含鈉(na)、銅(ii)(cu)和硅(si)的玻璃。
23、在根據(jù)實施例的多層陶瓷電容器中，即使當(dāng)外電極形成得很薄時，也能夠防止?jié)駳鉂B透到陶瓷主體中。
24、此外，能夠避免諸如在外電極的燒結(jié)期間外電極脫落以及在形成鍍覆電極時鍍覆擴散到陶瓷主體的非預(yù)期區(qū)域的缺陷。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點】
1.一種多層陶瓷電容器，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中：
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多層陶瓷電容器，其中：
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多層陶瓷電容器，其中：
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多層陶瓷電容器，其中：
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多層陶瓷電容器，其中：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多層陶瓷電容器，所述多層陶瓷電容器還包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中：
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多層陶瓷電容器，其中：
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多層陶瓷電容器，其中：
14.一種多層陶瓷電容器，包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的多層陶瓷電容器，其中：
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的多層陶瓷電容器，其中：
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的多層陶瓷電容器，所述多層陶瓷電容器還包括：
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的多層陶瓷電容器，其中：
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的多層陶瓷電容器，其中：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種多層陶瓷電容器，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中：
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多層陶瓷電容器，其中：
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多層陶瓷電容器，其中：
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多層陶瓷電容器，其中：
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多層陶瓷電容器，其中：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多層陶瓷電容器，所述多層陶瓷電容器還包括：
11.根據(jù)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：姜熙相，李秀珍，
申請(專利權(quán))人：三星電機株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：
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