【技術實現步驟摘要】
本專利技術的一個實施方式涉及顯示裝置。特別是，本專利技術的一個實施方式涉及使用了包含氧化物半導體的晶體管的顯示裝置。此外，本專利技術的一個實施方式涉及顯示裝置的制造方法。
技術介紹
1、近年來，代替非晶硅、低溫多晶硅及單晶硅而將氧化物半導體用于溝道的晶體管的開發不斷發展(例如，參見專利文獻1及專利文獻2)。將氧化物半導體用于溝道的晶體管與將非晶硅用于溝道的晶體管同樣地以簡單的結構且低溫工藝形成。已知將氧化物半導體用于溝道的晶體管與將非晶硅用于溝道的晶體管相比具有高的遷移率、截止電流非常低。
2、現有技術文獻
3、專利文獻
4、專利文獻1：日本特開2014-146819號公報
5、專利文獻2：日本特開2015-159315號公報
技術實現思路
1、專利技術所要解決的課題
2、已知包含氧化物半導體的晶體管的特性會因水分侵入氧化物半導體而變動。此外，顯示裝置中，為了緩和因晶體管而形成的凹凸而設置由有機樹脂層形成的平坦化膜。由于有機樹脂層包含大量水分，因此若有機樹脂層所含的氫侵入氧化物半導體，有時晶體管的特性會變動，顯示裝置的可靠性降低。
3、本專利技術的一個實施方式中，目的之一在于提高使用了包含氧化物半導體的晶體管的顯示裝置中的可靠性。
4、用于解決課題的手段
5、本專利技術的一個實施方式涉及的顯示裝置包含沿著第1方向及與第1方向交叉的第2方向呈矩陣狀配置的多個像素，多個像素的各自分別具有：晶
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1.顯示裝置，其包含沿著第1方向及與所述第1方向交叉的第2方向呈矩陣狀配置的多個像素，
2.如權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第1無機層具有第2透明導電層、和設置在所述第2透明導電層之上的第1無機絕緣層，
3.如權利要求2所述的顯示裝置，其中，所述第2無機層包含第3透明導電層，
4.如權利要求2所述的顯示裝置，其中，所述第2無機層包含第2無機絕緣層，
5.如權利要求4所述的顯示裝置，其中，所述第2無機層還包含設置在所述第2無機絕緣層之上的第4透明導電層，
6.如權利要求2所述的顯示裝置，其中，所述第2無機層包含金屬層，
7.如權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第1無機層包含第1無機絕緣層、和設置在所述第1無機絕緣層之上的第2透明導電層，
8.如權利要求7所述的顯示裝置，其中，所述第2無機層包含第2無機絕緣層，
9.如權利要求1所述的顯示裝置，其還具有第1布線，所述第1布線設置于所述晶體管與所述第1導電層之間，并與所述氧化物半導體層相接，
10.如權利要求1所述的顯示裝
11.如權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述開口部設置在與所述氧化物半導體層重疊的區域。
12.如權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述開口部配置在與所述氧化物半導體層中所述柵極布線所重疊的區域重疊的區域。
13.如權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述氧化物半導體層具有多晶結構。
14.如權利要求1所述的顯示裝置，其在所述柵極絕緣層與所述氧化物半導體層之間還具有氧化鋁層。
...【技術特征摘要】
1.顯示裝置，其包含沿著第1方向及與所述第1方向交叉的第2方向呈矩陣狀配置的多個像素，
2.如權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第1無機層具有第2透明導電層、和設置在所述第2透明導電層之上的第1無機絕緣層，
3.如權利要求2所述的顯示裝置，其中，所述第2無機層包含第3透明導電層，
4.如權利要求2所述的顯示裝置，其中，所述第2無機層包含第2無機絕緣層，
5.如權利要求4所述的顯示裝置，其中，所述第2無機層還包含設置在所述第2無機絕緣層之上的第4透明導電層，
6.如權利要求2所述的顯示裝置，其中，所述第2無機層包含金屬層，
7.如權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第1無機層包含第1無機絕緣層、和設置在所述第1無機絕緣層之上的第2透明導電層，
8.如權利要求7...
【專利技術屬性】
技術研發人員：渡壁創，津吹將志，佐佐木俊成，花田明纮，田丸尊也，望月真里奈，渡部將弘，
申請(專利權)人：株式會社日本顯示器，
類型：發明
國別省市：
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