【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)屬于半導(dǎo)體設(shè)備,具體涉及一種增加校準(zhǔn)范圍的晶圓校準(zhǔn)器。
技術(shù)介紹
1、半導(dǎo)體設(shè)備中,一般都會(huì)用到機(jī)械手進(jìn)行晶圓的自動(dòng)傳輸,即通過(guò)機(jī)械手將需要進(jìn)行半導(dǎo)體工藝處理的晶圓自動(dòng)傳入工藝腔室中,或?qū)⑦M(jìn)行完半導(dǎo)體工藝處理的晶圓自動(dòng)傳出工藝腔室。在此過(guò)程當(dāng)中,晶圓校準(zhǔn)器起到了確保晶圓能夠準(zhǔn)確傳輸?shù)淖饔谩km然機(jī)械手的控制系統(tǒng)會(huì)保存著各個(gè)工位取放晶圓的位置信息(包括晶圓的中心坐標(biāo)值、機(jī)械手的旋轉(zhuǎn)角度、伸出長(zhǎng)度和高低位置等信息),但隨著時(shí)間的推移,工藝腔室內(nèi)各部件之間可能會(huì)產(chǎn)生微小的位移差,導(dǎo)致原來(lái)存儲(chǔ)的位置信息和實(shí)際工位之間產(chǎn)生偏差。這時(shí)候,晶圓校準(zhǔn)器的出現(xiàn)就會(huì)消除這些微小的偏差,使晶圓在腔室內(nèi)能夠繼續(xù)準(zhǔn)確傳輸。
2、然而,同行業(yè)現(xiàn)有的技術(shù)中,標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)器校準(zhǔn)晶圓范圍有限,而有些晶圓初始位置偏差較大,無(wú)法使用校準(zhǔn)范圍有限的校準(zhǔn)器,所以使用起來(lái)受到限制,因此,需要一種可以增大晶圓校準(zhǔn)范圍的方法。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本技術(shù)提供的一種增加校準(zhǔn)范圍的晶圓校準(zhǔn)器,旨在通過(guò)輔助校準(zhǔn)支架的設(shè)置,在現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)晶圓校準(zhǔn)器的基礎(chǔ)上增加晶圓校準(zhǔn)誤差范圍,使其能夠校準(zhǔn)初始位置偏差較大的晶圓,保證晶圓在腔室內(nèi)的準(zhǔn)確傳輸,從而解決上述問(wèn)題。
2、本技術(shù)解決上述技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案如下:
3、本技術(shù)提供了一種增加校準(zhǔn)范圍的晶圓校準(zhǔn)器,包括校準(zhǔn)器本體、校準(zhǔn)傳感器以及校準(zhǔn)器吸附盤,所述校準(zhǔn)傳感器以及校準(zhǔn)器吸附盤安裝在所述校準(zhǔn)器本體的頂部,還包括:校準(zhǔn)器底盤,所述校準(zhǔn)器本體固定安裝在所述校準(zhǔn)器底盤
4、在一些實(shí)施例中,所述輔助校準(zhǔn)支架包括依次連接的輔助校準(zhǔn)漏斗、豎直支架以及水平連接架。
5、在一些實(shí)施例中,所述輔助校準(zhǔn)漏斗固定安裝于所述豎直支架的頂部;所述豎直支架與所述水平連接架一體成型為l型結(jié)構(gòu);所述水平連接架與所述校準(zhǔn)器底盤可拆卸連接。
6、在一些實(shí)施例中,所述水平連接架上均勻開設(shè)有若干排安裝孔。
7、在一些實(shí)施例中,每一個(gè)所述水平連接架均通過(guò)同一排安裝孔與所述校準(zhǔn)器底盤連接。
8、在一些實(shí)施例中,所述輔助校準(zhǔn)漏斗面向所述校準(zhǔn)器吸附盤的一側(cè)為坡面,任一輔助校準(zhǔn)漏斗的坡面與其他輔助校準(zhǔn)漏斗的坡面能夠圍成一個(gè)漏斗狀,用于對(duì)晶圓進(jìn)行輔助校準(zhǔn)。
9、本申請(qǐng)的有益效果是:
10、本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N增加校準(zhǔn)范圍的晶圓校準(zhǔn)器,通過(guò)輔助校準(zhǔn)支架的設(shè)置,在現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)晶圓校準(zhǔn)器的基礎(chǔ)上增加了晶圓校準(zhǔn)誤差范圍,使其能夠校準(zhǔn)初始位置偏差較大的晶圓,保證晶圓在腔室內(nèi)的準(zhǔn)確傳輸。
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1.一種增加校準(zhǔn)范圍的晶圓校準(zhǔn)器,包括校準(zhǔn)器本體、校準(zhǔn)傳感器以及校準(zhǔn)器吸附盤,所述校準(zhǔn)傳感器以及校準(zhǔn)器吸附盤安裝在所述校準(zhǔn)器本體的頂部,其特征在于,還包括:校準(zhǔn)器底盤,所述校準(zhǔn)器本體固定安裝在所述校準(zhǔn)器底盤之上;所述校準(zhǔn)器底盤上均勻設(shè)置有至少三個(gè)輔助校準(zhǔn)支架;所述輔助校準(zhǔn)支架在平面投影上以所述校準(zhǔn)器吸附盤為中心,且所述輔助校準(zhǔn)支架在豎直高度上高于所述校準(zhǔn)器吸附盤的頂部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增加校準(zhǔn)范圍的晶圓校準(zhǔn)器,其特征在于,所述輔助校準(zhǔn)支架包括依次連接的輔助校準(zhǔn)漏斗、豎直支架以及水平連接架。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種增加校準(zhǔn)范圍的晶圓校準(zhǔn)器,其特征在于,所述輔助校準(zhǔn)漏斗固定安裝于所述豎直支架的頂部;所述豎直支架與所述水平連接架一體成型為L(zhǎng)型結(jié)構(gòu);所述水平連接架與所述校準(zhǔn)器底盤可拆卸連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種增加校準(zhǔn)范圍的晶圓校準(zhǔn)器,其特征在于,所述水平連接架上均勻開設(shè)有若干排安裝孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種增加校準(zhǔn)范圍的晶圓校準(zhǔn)器,其特征在于,每一個(gè)所述水平連接架均通過(guò)同一排安裝孔與所述校準(zhǔn)器底盤連接
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種增加校準(zhǔn)范圍的晶圓校準(zhǔn)器,其特征在于,所述輔助校準(zhǔn)漏斗面向所述校準(zhǔn)器吸附盤的一側(cè)為坡面,任一輔助校準(zhǔn)漏斗的坡面與其他輔助校準(zhǔn)漏斗的坡面能夠圍成一個(gè)漏斗狀,用于對(duì)晶圓進(jìn)行輔助校準(zhǔn)。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種增加校準(zhǔn)范圍的晶圓校準(zhǔn)器,包括校準(zhǔn)器本體、校準(zhǔn)傳感器以及校準(zhǔn)器吸附盤,所述校準(zhǔn)傳感器以及校準(zhǔn)器吸附盤安裝在所述校準(zhǔn)器本體的頂部,其特征在于,還包括:校準(zhǔn)器底盤,所述校準(zhǔn)器本體固定安裝在所述校準(zhǔn)器底盤之上;所述校準(zhǔn)器底盤上均勻設(shè)置有至少三個(gè)輔助校準(zhǔn)支架;所述輔助校準(zhǔn)支架在平面投影上以所述校準(zhǔn)器吸附盤為中心,且所述輔助校準(zhǔn)支架在豎直高度上高于所述校準(zhǔn)器吸附盤的頂部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增加校準(zhǔn)范圍的晶圓校準(zhǔn)器,其特征在于,所述輔助校準(zhǔn)支架包括依次連接的輔助校準(zhǔn)漏斗、豎直支架以及水平連接架。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種增加校準(zhǔn)范圍的晶圓校準(zhǔn)器,其特征在于,所述輔助...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:尹宗耀,劉冬梅,王強(qiáng),王勇,
申請(qǐng)(專利權(quán))人:北京銳潔機(jī)器人科技有限公司,
類型:新型
國(guó)別省市:
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