【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，具體涉及一種半導體封裝器件及制備方法。
技術介紹
1、小尺寸的集成封裝是現有的半導體封裝器件的主要發展方向，通過小體積的半導體封裝器件滿足目前電氣設備的使用需求。對于大功率的半導體封裝器件，小體積封裝導致半導體封裝器件的散熱效果不佳，使得半導體封裝器件在長時間工作下，容易出現工作熱量積聚，影響半導體封裝器件的工作穩定性。由于小尺寸封裝結構下，半導體封裝器件內部的焊線連接尺寸小，使得半導體封裝器件的線路電流載電能力并不能滿足功率芯片的大電流流通需求，影響半導體封裝器件的工作可靠性。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于克服現有技術的不足，本專利技術提供了一種半導體封裝器件及制備方法，通過設置裸露在外的金屬散熱片與底部芯片連接，提高器件的散熱效率，配合器件內部的金屬框架，提高器件的大電流流通能力，從而提高半導體封裝器件的工作可靠性。
2、本專利技術提供了一種半導體封裝器件，所述半導體封裝器件包括：設置有導電通孔的基板、基于基板劃分成上封裝體和下封裝體以及設置在所述上封裝體和下封裝體內的若干個芯片；
3、至少一個位于所述上封裝體的芯片基于所述導電通孔與至少一個位于所述下封裝體的芯片電性連接；
4、所述上封裝體設置有金屬散熱片，所述金屬散熱片與位于所述上封裝體的芯片相接，所述金屬散熱片的頂面裸露在所述上封裝體的表面上；
5、所述下封裝體設置有金屬框架，所述金屬框架與位于所述下封裝體的芯片連接，所述金屬框架的底面裸露在所
6、進一步的，所述半導體封裝器件還包括若干個電子元器件，若干個所述電子元器件設置在所述上封裝體內，和/或若干個所述電子元器件設置在所述下封裝體內。
7、進一步的，所述金屬框架為銅夾，所述銅夾的一端與芯片的頂面電極連接，所述銅夾的另一端連接在所述基板的焊盤上。
8、進一步的，所述金屬框架包括金屬連接板、第一連接柱和第二連接柱；
9、所述第一連接柱的底端固定在所述芯片的頂面電極上，所述第二連接柱的底端連接在所述基板的焊盤上；
10、所述金屬連接板的一端固定在所述第一連接柱的頂端，所述金屬連接板的另一端固定在所述第二連接柱的頂端。
11、進一步的，所述第一連接柱基于導電粘膠貼裝連接在芯片的電極上，或所述第一連接柱基于焊接固定在芯片的電極上；
12、所述第二連接柱基于導電粘膠貼裝在所述基板的焊盤上，或所述第二連接柱基于焊接固定在所述基板的焊盤上。
13、進一步的，所述金屬框架包括金屬框架主體，所述金屬框架主體基于刻蝕形成電性連接部和支撐部；
14、所述電性連接部用于實現至少一個芯片和所述基板的焊盤之間的電氣連接。
15、進一步的，所述金屬框架還包括第一支撐柱和第二支撐柱；
16、所述電性連接部基于所述第一支撐柱與所述基板的頂面焊盤電性連接；
17、所述支撐部基于所述第二支撐柱設置在所述基板的頂面上。
18、本專利技術還提供了一種半導體封裝器件的制備方法，所述半導體封裝器件的制備方法用于制備所述半導體封裝器件；
19、所述制備方法包括：
20、在基板的頂面焊盤對應位置貼裝頂部芯片和若干個電子元器件，并對頂部芯片和若干個電子元器件進行焊線打線操作；
21、在基板的頂面焊盤和頂部芯片的頂面電極之間設置金屬框架；
22、在基板的底面與頂面通孔連接的焊盤位置上進行底部芯片的貼裝；
23、在底部芯片上貼裝金屬散熱片及彎折結構的金屬部件形成引腳；
24、對以上結構進行注塑封裝，使得半導體封裝器件的底面裸露出金屬散熱片和電極引腳。
25、進一步的，所述制備方法還包括：
26、當所述金屬框架為半蝕框架結構時，通過一體成型工藝制備形成金屬框架主體；
27、在基板的頂面焊盤上加工若干個支撐柱，使得若干個支撐柱的頂面與頂部芯片的頂面電極處于同一水平面上；
28、將金屬框架主體對應覆蓋在所述頂部芯片的頂面電極以及若干個支撐柱上。
29、進一步的，完成塑封封裝后，對所述金屬框架主體頂部進行切割，使得金屬框架主體分割為電性連接部和支撐部。
30、本專利技術提供了一種半導體封裝器件及制備方法，通過在基板的底部芯片設置金屬散熱片，并在半導體封裝器件的底面裸露出金屬散熱片，提高半導體封裝器件的散熱效率；在半導體封裝器件的內部設置金屬框架，減少內部芯片與基板焊盤之間的焊線連接，通過金屬框架結構提高內部電性連接結構的電流載流能力，提高半導體封裝器件的大電流流通能力，從而提高半導體封裝器件的工作可靠性。
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1.一種半導體封裝器件，其特征在于，所述半導體封裝器件包括：設置有導電通孔的基板、基于基板劃分成上封裝體和下封裝體以及設置在所述上封裝體和下封裝體內的若干個芯片；
2.如權利要求1所述的半導體封裝器件，其特征在于，所述半導體封裝器件還包括若干個電子元器件，若干個所述電子元器件設置在所述上封裝體內，和/或若干個所述電子元器件設置在所述下封裝體內。
3.如權利要求1所述的半導體封裝器件，其特征在于，所述金屬框架為銅夾，所述銅夾的一端與芯片的頂面電極連接，所述銅夾的另一端連接在所述基板的焊盤上。
4.如權利要求1所述的半導體封裝器件，其特征在于，所述金屬框架包括金屬連接板、第一連接柱和第二連接柱；
5.如權利要求4所述的半導體封裝器件，其特征在于，所述第一連接柱基于導電粘膠貼裝連接在芯片的電極上，或所述第一連接柱基于焊接固定在芯片的電極上；
6.如權利要求1所述的半導體封裝器件，其特征在于，所述金屬框架包括金屬框架主體，所述金屬框架主體基于刻蝕形成電性連接部和支撐部；
7.如權利要求6所述的半導體封裝器件，其特征在
8.一種半導體封裝器件的制備方法，其特征在于，所述半導體封裝器件的制備方法用于制備如權利要求1至7任一所述的半導體封裝器件；
9.如權利要求8所述的半導體封裝器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：
10.如權利要求9所述的半導體封裝器件的制備方法，其特征在于，完成塑封封裝后，對所述金屬框架主體頂部進行切割，使得金屬框架主體分割為電性連接部和支撐部。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體封裝器件，其特征在于，所述半導體封裝器件包括：設置有導電通孔的基板、基于基板劃分成上封裝體和下封裝體以及設置在所述上封裝體和下封裝體內的若干個芯片；
2.如權利要求1所述的半導體封裝器件，其特征在于，所述半導體封裝器件還包括若干個電子元器件，若干個所述電子元器件設置在所述上封裝體內，和/或若干個所述電子元器件設置在所述下封裝體內。
3.如權利要求1所述的半導體封裝器件，其特征在于，所述金屬框架為銅夾，所述銅夾的一端與芯片的頂面電極連接，所述銅夾的另一端連接在所述基板的焊盤上。
4.如權利要求1所述的半導體封裝器件，其特征在于，所述金屬框架包括金屬連接板、第一連接柱和第二連接柱；
5.如權利要求4所述的半導體封裝器件，其特征在于，所述第一連接柱基于導電...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李子瑩，唐慶圓，丁露璐，李海峰，
申請(專利權)人：廣東風華芯電科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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